晶體管輸出型光耦的性能，取決于其輸入參數、輸出參數和傳輸特性，傳輸特性決定著其電性能傳送能力和特點。其中最重要的參數為電流傳輸比(Current transfer ratio)CTR，設計電路時，除了考慮CTR的選型值，往往還需要關注更多其它相關因素的影響。

CTR值的定義為：(IC/IF)*100%,IC是輸出側的晶體管集電極電流，IF是輸入側的正向電流。所以，當單位為%時，CTR值被描述成幾十到幾千的數值。

例如：

當我們選定的光耦CTR值等級是100~600%時，可以認為，這個等級光耦的在輸入和輸出之間，電流的增益或電流的放大倍數在1.0~6.0倍之間。假設輸入電流IF=5mA時，

CTR=(IC/IF)*100;

IC=CTR*IF/100;

代入設定參數：

ICmin=100*5/100=5(mA);

ICmax=600*5/100=30(mA);

理論上同一等級的產品，CTR測定輸出電流IC值應為5~30mA。

同一個批次，不同單體的CTR值是有差異的，因此，我們選定某個等級的CTR值是一個區間值；設計電路時，需要考慮到不同批次和相同批次產品的CTR最大值和最小值，都應能滿足電路工作條件。這種設計類似于三極晶體管（BJT）的應用。

很多設計人員可能會忽略一點，CTR值的測定，是有其特定條件的。

我們常用的KL817為例，是一顆常見的型號，絕大多數廠商，均默認其基本測試條件為Ta=25℃,IF=5mA,Vce=5V；如上圖中設定的恒流源、恒壓源電路等進行測試。針對不同產品電流設計，其標定CTR的測試條件也不一樣。

上圖是不同的Vce和IF，對應的CTR標準值曲線圖。設定IF=1mA時，CTR約為IF=5mA時的一半。電路設計時，我們實際的Vce也往往不是5V或10V，更多的是0.1V~0.2V。因此，電路應用，經常需要進行實測和計算。

上圖體現出負載電流不同對Vce的參考曲線。這就要求我們設計電路時，把電路在輸出側的等效負載，計算在整個輸出側。設計的目標Vce值，也是隨設計需求待定的。

此外，CTR、IF、IC等參數，均受到溫度等環境因素影響。充分考慮設計冗余量，選用正確的CTR參考等級，同時，將參數設計在中心值附近是比較穩妥的辦法。