為了安全使用SiC模塊,需要計算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫,并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計算與IGBT既有相似之處,也有不同。相對IGBT,MOSFET可以反向?qū)ǎ垂ぷ髟?a target="_blank">同步整流模式。本文簡要介紹其損耗計算方法。
1MOSFET正向?qū)?/p>
圖1為單個導(dǎo)通脈沖(電感負(fù)載)的電壓電流波形及產(chǎn)生的損耗示意圖。電流和電壓的積分值就是產(chǎn)生的損耗,分為通態(tài)損耗和開關(guān)損耗。圖1中,E(sat)為通態(tài)損耗,Eon和Eoff為開關(guān)損耗。
圖1:單個導(dǎo)通脈沖(電感負(fù)載)損耗示意圖
2MOSFET反向?qū)?/p>
如第17講《SiC MOSFET的靜態(tài)特性》所描述,反向?qū)ǎㄔ绰┓较颍r,導(dǎo)通方式會根據(jù)柵極電壓變化。如果柵極施加負(fù)壓時,電流流過體二極管,如下圖2。但是當(dāng)柵極施加正壓(超過閾值電壓)時,電流流過MOSFET,如下圖3。
圖2:柵極負(fù)偏
圖3:柵極正偏
如果MOSFET反向?qū)〞r柵極施加負(fù)壓,電流流過體二極管(此處不考慮內(nèi)部帶SiC SBD的SiC模塊),其損耗計算方式與IGBT一樣,不再贅述,本章節(jié)重點介紹同步整流模式(MOSFET反向?qū)〞r柵極施加正壓)下的損耗計算。
3直流斬波電路損耗計算
以工作在CCM模式的Buck電路(圖4)為例來介紹SiC MOSFET損耗計算方法。Vin/Iin為輸入電壓電流,Vo/Io為輸出電壓電流。T1為控制管;T2為續(xù)流管,工作在同步整流模式。
圖4:Buck電路
3.1 T1損耗計算
T1作為控制管,其占空比如下式:
T1導(dǎo)通損耗可由下式計算,其中RDS(on)為T1管的通態(tài)電阻。
T1開關(guān)損耗可由下式計算,其中VDD為SiC MOSFET datasheet中開關(guān)損耗測試電壓,Eon(@Io)、Eoff(@Io)為datasheet中電流值Io對應(yīng)的開關(guān)損耗,以上參數(shù)均可在datasheet中查找(除部分產(chǎn)品外,如有需要,可聯(lián)系我司)。fsw為開關(guān)頻率。
3.2 T2損耗計算
T2作為續(xù)流管,其占空比為1-D。
T2導(dǎo)通損耗可由下式計算:
T2零電壓開關(guān),所以沒有開關(guān)損耗。但是在T1開通瞬間,T2體二極管會產(chǎn)生反向恢復(fù)損耗,可由下式計算。其中Err(@Io)為datasheet中電流值Io對應(yīng)的開關(guān)損耗,也可在datasheet中查找(除部分產(chǎn)品外,如有需要,可聯(lián)系我司)。
4SPWM調(diào)制橋式電路損耗計算
以SPWM調(diào)制的三相橋式電路(圖5)為例來介紹SiC MOSFET損耗計算方法。VCC為直流電壓,Io為輸出電流有效值。MOSFET工作在同步整流模式。
圖5:三相橋式電路
輸出電流為:
導(dǎo)通損耗可由下式計算:
開關(guān)損耗可由下式計算,同樣的,VDD為SiC MOSFET datasheet中開關(guān)損耗測試電壓,Eon(@IP)、Eoff(@IP)為datasheet中電流值IP對應(yīng)的開關(guān)損耗,可在datasheet中查找(除部分產(chǎn)品外,如有需要,可聯(lián)系我司)。fsw為開關(guān)頻率。
SiC MOSFET體二極管在對管開通時會產(chǎn)生反向恢復(fù)損耗,可由下式計算。其中Err(@IP)為datasheet中電流值IP對應(yīng)的開關(guān)損耗,也可在datasheet中查找(除部分產(chǎn)品外,如有需要,可聯(lián)系我司)。
正文完
<關(guān)于三菱電機>
三菱電機創(chuàng)立于1921年,是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2025年3月31日的財年,集團營收55217億日元(約合美元368億)。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè),三菱電機擁有多項專利技術(shù),并憑借強大的技術(shù)實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場,三菱電機從事開發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有69年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。
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原文標(biāo)題:第23講:SiC MOSFET模塊的損耗計算
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