TPS57114C-Q1 器件是一款功能齊全的 6V、4A、同步降壓電流模式轉換器，具有兩個集成 MOSFET。

TPS57114C-Q1 器件通過集成 MOSFET 實現小型設計，實施電流模式控制以減少外部元件數量，通過實現高達 2MHz 的開關頻率來減小電感器尺寸，并通過小型 3mm × 3mm 熱增強型 QFN 封裝最大限度地減少 IC 占用空間。
*附件：tps57114c-q1.pdf

TPS57114C-Q1 器件具有精確的 ±1% 電壓基準 （V 裁判 ） 的 S S T

通過集成的 12mΩ MOSFET 和 515μA 典型電源電流，效率最大化。使用使能引腳，進入關斷模式，關斷電源電流降至 5.5 μA。

內部欠壓鎖定設置為 2.45 V，但使用使能引腳上的電阻網絡對閾值進行編程可以提高設置。slow-start 引腳控制輸出電壓啟動斜坡。開漏電源良好信號指示輸出在標稱電壓的 93% 至 107% 范圍內。

頻率折返和熱關斷可在過流情況下保護器件。

特性

• 適用于汽車應用
• 符合 AEC-Q100 標準，結果如下：
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
• 功能安全
  • 提供有助于功能安全系統設計的文檔
• 兩個 12mΩ（典型值）MOSFET，可在 4A 負載下實現高效率
• 200kHz 至 2MHz 開關頻率
• 0.8 V ± 1% 電壓基準，整個溫度范圍（–40°C 至 +150°C）
• 與外部時鐘同步
• 可調慢啟動和排序
• UV 和 OV 電源就緒輸出
• –40°C 至 +150°C 工作結溫范圍
• 耐熱增強型 3mm × 3mm 16 引腳 WQFN
• 引腳與 TPS54418 兼容

參數

方框圖

1. 產品概述

TPS57114C-Q1是一款專為汽車應用設計的同步降壓DC-DC轉換器，具有2.95V至6V的輸入電壓范圍、4A的輸出電流能力以及高達2MHz的開關頻率。該轉換器集成了兩個低導通電阻的MOSFETs，提供了高效率和小尺寸的解決方案。

2. 關鍵特性

• ?汽車級認證?：AEC-Q100認證，適用于-40°C至+125°C的工作溫度范圍。
• ?高效率?：集成12mΩ MOSFETs，515μA典型供電電流，在4A負載下實現高效率。
• ?寬輸入電壓范圍?：支持2.95V至6V的輸入電壓。
• ?高開關頻率?：開關頻率可調，范圍從200kHz至2MHz，支持小尺寸輸出濾波元件。
• ?精確電壓參考?：提供0.8V ± 1%的精確電壓參考。
• ?功能安全?：提供文檔支持功能安全系統設計。
• ?熱增強封裝?：采用3mm × 3mm的16引腳WQFN封裝，具有裸露熱焊盤，增強散熱性能。

3. 應用領域

• 低電壓、高密度電源系統。
• 高性能DSP、FPGA、ASIC和微處理器的點負載調節。
• 寬帶、網絡和光通信基礎設施。

4. 功能描述

• ?固定頻率PWM控制?：采用電流模式控制，減少外部組件數量，提高系統穩定性。
• ?慢啟動和跟蹤?：通過SS/TR引腳實現輸出電壓的慢啟動和跟蹤功能，減少啟動時的浪涌電流。
• ?UV和OV保護?：具有欠壓（UV）和過壓（OV）保護功能，確保輸出電壓在安全范圍內。
• ?電源良好輸出?：PWRGD引腳指示輸出電壓是否處于正常范圍內。
• ?熱關斷?：內置熱關斷保護機制，防止過溫損壞。
• ?同步整流?：采用同步整流技術，提高轉換效率。

5. 電氣特性

• ?輸入電壓范圍?：2.95V至6V。
• ?輸出電壓范圍?：0.8V至VIN（可調）。
• ?輸出電流?：最大4A。
• ?開關頻率?：200kHz至2MHz（可調）。
• ?軟啟動時間?：通過外部電容設置。
• ?熱關斷溫度?：約168°C，帶20°C遲滯。

6. 封裝和尺寸

• ?封裝類型?：16引腳WQFN封裝。
• ?尺寸?：3mm × 3mm。

7. 典型應用電路

文檔提供了典型應用電路圖，詳細說明了輸入電容、輸出電容、電感、電阻等元件的選擇和設計步驟。同時，建議使用TI的WEBENCH工具進行電路設計和優化。

8. 布局和設計指南

• ?布局建議?：強調輸入電容的旁路、關鍵信號的走線、熱管理等方面的布局考慮。
• ?設計考慮?：包括輸入電容、輸出電容、電感的選擇，慢啟動電容的計算，補償網絡的設計等，以確保系統的穩定性和性能。

9. 文檔和支持

• ?技術文檔?：包括數據手冊、應用筆記等，提供詳細的產品信息和應用指導。
• ?設計工具?：支持使用TI的WEBENCH軟件進行電路設計和優化。
• ?社區資源?：提供TI E2E在線社區支持，方便工程師交流和獲取幫助。

10. 安全警示

• ?靜電放電（ESD）保護?：該器件具有有限的內置ESD保護，建議在存儲或處理時采取適當的預防措施，以防止靜電損壞MOS柵極。