eSSD介紹

eSSD是企業級固態硬盤（Enterprise Solid State Drive）的縮寫，是面向企業級應用和數據中心環境設計的存儲設備，旨在滿足企業對數據存儲在性能、可靠性、可擴展性和管理性等方面的嚴格要求。相較于消費級SSD，eSSD具有更高的讀寫速度，更低的延遲，更大的存儲容量以及更高的可靠性，并且具有斷電保護功能。

為實現其斷電保護功能，eSSD通常會配備大容量的電容。在正常供電時，電容會充電儲能。當檢測到斷電瞬間，電容釋放儲存的電能，為控制器和閃存芯片提供短暫的電力，使控制器有足夠時間將緩存中尚未寫入閃存的數據安全寫入，避免數據丟失。

產業背景

當前用于eSSD斷電保護的電容有液態鋁電解電容、固體聚合物鉭電容以及超級電容。但隨著eSSD朝著更高密度存儲、更快讀寫速度、更小體積的方向演進，系統對儲能電容提出了更高的要求：

①更大的電容量，以滿足毫秒級甚至更長時間的供電要求。以20W功率的eSSD為例，要滿足10ms以上的供電時間，則需要總電容量500μF，且再留50%~100%的余量，即750μF~1000μF。若要達到1000μF，使用47μF的電容需要22pcs，但使用100μF的電容則僅需10pcs,數量減少55%。

②更高的體積利用率，適合eSSD高存儲密度需求，滿足高密度貼裝，在相同功率下進一步薄型化。例如E3.S（2U short）eSSD在同樣的功率40W下高度從16.8mm進一步降低至7.5mm，對應電容的高度則會限制到1.5mm以下；

③在較寬的溫度范圍內保持性能穩定,大部分eSSD工作溫度范圍需達到-40℃~85℃，電容則需要在更寬的溫度范圍內保持性能穩定（-55℃~125℃）；

Sunlord針對上述痛點需求，推出高性能聚合物鉭電容TP系列，實現eSSD更加可靠的斷電保護。

產品優勢

與目前eSSD使用的液態鋁電解電容相比，Sunlord新型固體聚合物鉭電容器TP系列具有如下優點：

更大電容量

①高介電常數

鉭電容的介質是五氧化二鉭（Ta?O?），其介電常數（ε）遠高于傳統電容材料（如鋁電解電容的氧化鋁介電常數約8～10，而Ta?O?可達27～30）。

②超薄介質層

鉭電容的介質層通過陽極氧化工藝形成，厚度可控制在微米級（如1～5μm），遠薄于鋁電解電容的介質層（通常10～20μm）。

根據電容公式,其中C為電容，ε為介電常數，S為極板面積，d為介質厚度，上述固態聚合物鉭電容對比液態鋁電解電容分別實現了ε的提高和d的減小，綜合提升單位體積的電容量。

更小尺寸、更低高度

①高密度結構

固態聚合物鉭電容使用導電聚合物作為電解質，相比液態電解質，其結構更緊湊，可填充到鉭粉的細微孔隙中，減少空隙。此外，固態電解質無需預留膨脹空間，封裝體積利用率更高，間接提升單位體積的容量，使得電容尺寸得以減小。

②小型化、低背化

將同電性的Sunlord固態聚合物鉭電容與常規液態鋁電解電容對比：

圖片來自順絡內部

更高可靠性

①電解質穩定

固態導電聚合物電解質，不存在液態電解液干涸、泄漏或揮發的問題，長期使用不易因電解質劣化導致性能下降。

②使用溫度范圍廣

固態聚合物鉭電容可以在很寬的溫度范圍內工作，即使是惡劣環境中也能使用。

圖片來自順絡內部

③耐壓特性優

聚合物電解質導電均勻性好，即使在高電壓或瞬態過載情況下，也能保持穩定的介電性能。

圖片來自順絡內部

與傳統Frame結構鉭電容相比，Sunlord新型固體聚合物鉭電容器TP系列具有如下優點：

高體積利用率

Sunlord新型鉭電容通過結構設計實現體積利用率提升25%。在相同封裝體積內，新結構增加了鉭芯長度，提高鉭粉裝粉量。根據公式CV=比容*粉重，當比容一定時，粉重提升相當于C值（電容值）和V值（額定電壓）提高，并且可以在相同電性下實現更小尺寸和更低高度。

圖片來自順絡內部

全密封結構

傳統結構Frame金屬端子與塑封料的熱膨脹系數(CTE)差異大，導致之間有縫隙，水汽容易滲入導致漏電流增大而失效。新結構采用PCB代替Frame，與塑封料的熱膨脹系數接近且結合性好，防潮性更高。新型鉭電容可通過額定電壓下1000h+的雙85實驗（溫度85℃，濕度85%）考核。

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型號推薦

圖片來自順絡內部