該TPS65266集成了 3 個(gè)通道的高效同步降壓轉(zhuǎn)換器，用于 使用適配器或電池工作且輸入電壓低于 6.5 V 的應(yīng)用。

降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器集成了功率 MOSFET，以優(yōu)化電源效率和 減少外部元件數(shù)量。峰值電流模式控制簡化了補(bǔ)償和 快速瞬態(tài)響應(yīng)。高時(shí)鐘頻率允許使用更小和低值的電感器和 電容器。外部補(bǔ)償支持優(yōu)化的環(huán)路補(bǔ)償和快速瞬態(tài)響應(yīng)。 在輕負(fù)載條件下，降壓轉(zhuǎn)換器在 FCC 模式下工作，以降低噪聲 敏感性和 RF 干擾。具有打嗝模式限制的逐周期過流限制 短路或過載故障情況下的 MOSFET 功率耗散。
*附件：tps65266.pdf

TPS65266 具有電源就緒監(jiān)控電路，可監(jiān)控所有轉(zhuǎn)換器 輸出。PGOOD 引腳在每個(gè)通道中的輸出電壓處于穩(wěn)壓狀態(tài)后置位，并且 測序完成。

當(dāng)持續(xù)的嚴(yán)重過載或短路增加 Buck 中的功率耗散時(shí) 轉(zhuǎn)換器，內(nèi)部熱保護(hù)電路關(guān)閉設(shè)備以防止損壞。恢復(fù) 在設(shè)備充分冷卻后，自動(dòng)進(jìn)行熱關(guān)斷。

特性

• 工作輸入電壓范圍 2.7 至 6.5 V
• 反饋參考電壓 0.6 V ±1%
• 最大連續(xù)輸出電流 3 A/2 A/2 A
• 專用使能和軟啟動(dòng)
• 精確的啟動(dòng)時(shí)序控制，具有使能引腳
  放電
• 輕負(fù)載時(shí)的強(qiáng)制連續(xù)電流 （FCC） 模式
• 具有 Hiccup 模式
  過流保護(hù)的逐周期電流限制
• 可調(diào)時(shí)鐘頻率 250 kHz 至 2.4 MHz
• ExternalClock 同步
• 電源良好指示器
• 過熱保護(hù)

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

TPS65266 是一款集成三通道同步降壓（Buck）DC/DC轉(zhuǎn)換器，專為適配器或電池供電的應(yīng)用設(shè)計(jì)，輸入電壓范圍在2.7V至6.5V之間。每個(gè)通道可獨(dú)立提供3A/2A/2A的輸出電流，具有高效率、低外部元件數(shù)量和優(yōu)化的功率密度等特點(diǎn)。

2. 主要特性

• ?高效率?：采用集成MOSFETs，減少外部元件數(shù)量，提高功率效率。
• ?多通道輸出?：三個(gè)獨(dú)立的降壓轉(zhuǎn)換器通道，每個(gè)通道可單獨(dú)控制。
• ?高精度?：反饋參考電壓為0.6V ±1%。
• ?靈活控制?：支持外部補(bǔ)償、軟啟動(dòng)、使能控制和電源良好指示。
• ?保護(hù)機(jī)制?：包括過流保護(hù)、過熱保護(hù)和輸出過壓保護(hù)。
• ?可調(diào)開關(guān)頻率?：范圍從250kHz到2.4MHz，支持外部時(shí)鐘同步。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 打印機(jī)和掃描儀
• 數(shù)字電視
• 機(jī)頂盒
• 家庭網(wǎng)關(guān)和接入點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)
• 監(jiān)控系統(tǒng)

4. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：VQFN-32，尺寸為5.00mm x 5.00mm。

5. 電氣特性

• ?輸入電壓范圍?：2.7V至6.5V。
• ?最大連續(xù)輸出電流?：每通道分別為3A/2A/2A。
• ?軟啟動(dòng)時(shí)間?：可編程，通過連接SS引腳與地之間的電容來設(shè)置。
• ?使能閾值電壓?：EN1/2/3引腳的高電平輸入電壓為1.2V至1.26V，低電平輸入電壓為1.1V至1.15V。
• ?電源良好閾值?：輸出電壓低于92.5%參考電壓時(shí)，PGOOD引腳拉低。

6. 功能描述

• ?輸出電壓調(diào)整?：通過反饋引腳（FB1/FB2/FB3）和輸出分壓器電阻設(shè)置。
• ?使能控制與欠壓鎖定?：EN1/2/3引腳控制通道使能，VINQ引腳具有內(nèi)部欠壓鎖定功能。
• ?軟啟動(dòng)?：SS引腳用于控制啟動(dòng)時(shí)的輸出電壓斜坡上升，減少浪涌電流。
• ?電源良好指示?：PGOOD引腳監(jiān)視所有轉(zhuǎn)換器輸出，并在所有輸出達(dá)到調(diào)節(jié)范圍后斷言。
• ?過流保護(hù)?：具有逐周期電流限制和打嗝模式，防止短路或過載時(shí)的MOSFET功率損耗。
• ?過熱保護(hù)?：內(nèi)部熱保護(hù)電路在結(jié)溫超過160°C時(shí)關(guān)閉設(shè)備。

7. 外部組件推薦

• ?輸入電容?：每個(gè)VIN引腳建議連接10μF的陶瓷電容。
• ?輸出電容?：根據(jù)輸出電流和電壓紋波要求選擇合適的陶瓷電容。
• ?電感?：根據(jù)輸出電流和期望的紋波電流選擇合適的電感值。

8. 布局指南

• 輸入電容應(yīng)盡可能靠近VIN引腳放置。
• 輸出電容應(yīng)盡可能靠近LX引腳放置。
• FB和COMP引腳對(duì)噪聲敏感，相關(guān)電阻和電容應(yīng)盡可能靠近IC放置。
• 使用寬而短的走線來降低電感和阻抗，特別是高電流路徑。

9. 文檔與支持

• 提供詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊(cè)、應(yīng)用指南和設(shè)計(jì)資源。
• 可通過TI官網(wǎng)獲取技術(shù)支持和文檔更新通知。

10. 注意事項(xiàng)

• 在設(shè)計(jì)和應(yīng)用過程中，需考慮熱設(shè)計(jì)和布局優(yōu)化，以確保最佳性能和可靠性。
• 在使用過程中，應(yīng)遵守靜電放電（ESD）防護(hù)措施，避免損壞IC。