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DBA基板:開啟高壓大功率應用新時代的關鍵技術

efans_64070792 ? 來源:efans_64070792 ? 作者:efans_64070792 ? 2025-06-26 16:57 ? 次閱讀
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新能源汽車、智能電網、軌道交通等高壓大功率應用場景中,電子器件的散熱效率和可靠性已成為技術突破的關鍵。近年來,DBA(Direct Bonded Aluminum,直接覆鋁陶瓷基板)憑借其獨特的優勢,逐漸成為替代傳統DBC(直接覆銅)基板的“潛力股”。下面由金瑞欣小編深入解析DBA的技術原理、技術關鍵及行業應用,揭示其為何成為下一代功率器件封裝的“熱選”。

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一、技術原理

DBA陶瓷基板的制備工藝原理是:當溫度升至鋁的熔點(660℃)以上時,液態鋁在真空或惰性氣體環境中能夠潤濕陶瓷表面(如Al?O?或AlN)。隨著冷卻過程的進行,鋁原子會在陶瓷晶核上直接結晶生長,最終形成獨特的“鋁-陶瓷-鋁”三明治結構。

與傳統的DBC工藝相比,DBA的最大優勢在于界面無化學反應。DBC工藝需要在1000℃以上的高溫下進行,銅與氧化鋁界面會生成脆性化合物(如CuAlO?/CuAl?O?),這會導致熱應力集中,從而降低器件的可靠性。而DBA的物理結合方式有效避免了這種脆性相的生成,使得結合強度更高,器件的穩定性也更強。

然而,提高鋁在陶瓷基片表面的潤濕性是DBA技術的一大工藝難點。鋁在空氣中極易氧化,形成致密的Al?O?膜,這會嚴重阻礙鋁與陶瓷之間的潤濕作用。為了突破這一難點,目前行業內主要采用以下兩種方案:

表面過渡層技術:在陶瓷表面預先鍍上一層鈦(Ti)、鉻(Cr)等金屬。通過Al-金屬共晶反應形成液相,從而促進鋁與陶瓷之間的擴散,提高潤濕性。

瞬時液相鍵合(TLP):引入硅(Si)等低熔點中間層。在低溫下形成短暫的液相,擴散后生成高熔點金屬間化合物。這種方法既兼顧了低溫加工的優勢,又保證了器件在高溫服役時的穩定性。

二、技術關鍵點

DBA(直接覆鋁陶瓷基板)的核心技術在于通過低溫共晶鍵合實現鋁層與陶瓷的物理結合。以下是其關鍵技術要點:

(一)金屬化時的潤濕性與界面強化

去氧化控制:在真空或氮氣環境中對鋁表面進行處理,去除氧化膜,從而為液態鋁提供良好的浸潤性。

熱應力調控:鋁的塑性變形能力較強,其屈服強度僅為銅的1/3。這一特性使得鋁能夠有效緩解陶瓷與金屬之間因熱膨脹系數失配(Al?O?: 7.1 ppm/K vs Al: 23.6 ppm/K)而產生的熱應力。

(二)蝕刻工藝優化

傳統DBA陶瓷基板的鋁層厚度通?!?00μm,這使得蝕刻出精細線路變得非常困難。為了突破這一限制,最新的圖形化技術包括:

激光精密刻蝕:采用激光技術進行精密刻蝕,可實現微米級線寬。然而,需要注意控制熱影響區,避免基板因局部過熱而變形。

增材制造技術:通過金屬漿料印刷的方式在局部增厚導電線路,從而提升載流能力,滿足高功率應用的需求。

(三)國產化工藝突破

以富樂華為代表的國內企業,在DBA基板的國產化工藝上取得了顯著突破。通過粉體自研和燒結工藝的優化,這些企業成功將界面空洞率降至<0.5%,局部放電耐壓提升至1.2kV,相比進口基板提升了20%。同時,成本也降低了30-40%,這為DBA基板在國內市場的廣泛應用奠定了堅實基礎。

三、現存瓶頸

盡管DBA技術已經取得了顯著進展,但在實際應用中仍面臨一些瓶頸:

(一)精細線路限制

DBA表面的鋁層較厚,這限制了其在精細線路加工方面的應用。目前,行業正在積極開發微細加工技術,如激光微鉆、等離子刻蝕等,以滿足高端應用對精細線路的需求。

(二)成本控制

DBA基板的高純度工藝設備投入較大,這導致其生產成本相對較高。為了降低成本,企業需要通過規模化生產來分攤設備投資,從而降低單位成本,提高市場競爭力。

(三)界面長期可靠性

在長期高溫(>200℃)環境下,鋁層可能會發生蠕變,從而導致界面失效。為了解決這一問題,研究人員正在探索材料優化方案,例如采用Al-Si合金等,以提高界面的長期可靠性。

四、結語

DBA憑借其物理界面高可靠、輕量化以及與鋁線的兼容性等優勢,正在新能源汽車、航天航空等極端工況場景中逐步替代傳統的DBC/AMB基板。富樂華等國內企業已經實現了粉體-工藝-設備的全鏈條國產化,DBA基板的成本也在持續下探。隨著技術的不斷進步,DBA有望在800V高壓平臺、SiC功率模塊封裝等領域成為主流選擇,為高壓大功率應用場景帶來更高效、更多陶瓷基板相關資訊可以搜索“金瑞欣”進行查看,我們會定期更新資訊,若您有相關需求,歡迎與我們聯系,我們將竭誠為您服務。

審核編輯 黃宇

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