納芯微正式發布全新一代CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12017A系列，該系列產品是對納芯微已量產的CSP MOS的完美升級與補充。新一代CSP MOS進一步優化了性能表現，顯著提升了電氣與極限能力。以首發產品NPM12017A為例，典型阻值相比上一代降低了26%，溫升降低近30%，極限耐受能力如短路及雪崩能力等提升近50%，達到國際領先水準。同時，憑借12寸特色專利工藝，NPM12017A在極具性價比的同時，還能提供充足的產能保障。

該系列延續了上一代NPM12023A的產品極限能力和優異的封裝機械強度，解決了傳統CSP封裝芯片機械強度低、雪崩能量小、生產組裝加工困難等問題。為手機、平板以及智能穿戴等便攜式鋰電管理應用提供更安全、可靠的解決方案，助力客戶簡化設計。

（納芯微CSP封裝MOSFET產品優勢，來源：納芯微）

卓越性能，助力鋰電保護實現大功率、小型化需求

隨著智能手機、平板電腦等便攜式設備的快充功率從3-5W躍升至100W以上，廠商和客戶對鋰電池快速充電功率/電流的需求持續提升，相應要求采用超低阻值的MOSFET產品以降低鋰電池充放電路徑的功耗，進而提升電池系統性能。

全新一代CSP封裝NPM12017A基于上一代自有知識產權的創新芯片結構上，進一步優化設計，實現相同封裝下內阻降低26%，溫升下降近30%，在降低功耗的同時有效降低了系統溫升和發熱量，性能領先業內水平。同時，其短路能力提升40%（短路電流達400A），雪崩能力提升67%（達50A），兼顧超低阻抗與優異極限電氣特性，為鋰電設備提供更全面可靠的保護。

（NPM12017A核心參數特點，來源：納芯微）

（來源：納芯微）

此外，NPM12017A克服傳統CSP封裝在機械強度與雪崩能量方面的不足，耐受超60N機械壓力，有效防止芯片在生產組裝中的翹曲與裂片等問題，顯著提升產品可靠性與安全性。

領先設計，突破傳統封裝的工藝限制

便攜式鋰電設備向小型化、輕薄化發展，對系統尤其是MOSFET的體積提出更高要求。在傳統晶圓級CSP封裝雙N溝道MOS產品中，硅基材的電阻在電池管理應用中的總電阻占比較大。為降低襯底電阻，一般會采用芯片減薄工藝，但這會顯著削弱產品的機械強度，造成芯片在生產組裝過程中翹曲、變形，甚至產生裂紋，從而導致應用端不良等問題。針對機械強度不足的問題，部分解決方案會采用其他材料加厚的方式來增加機械強度，但這會帶來成本的增加以及不同材質的兼容性風險。

納芯微全新CSP封裝系列在設計之初即針對這一問題進行了優化。通過調整產品結構，使導通電流平行于芯片表面，縮短電流路徑，從而降低導通電阻，從根源上解決了CSP封裝MOSFET的機械強度問題，在兼顧輕薄化、小型化的基礎上，最大程度減少芯片使用過程中的變形、裂片等問題，確保產品的可靠性與安全性。

（納芯微CSP封裝結構與傳統CSP封裝結構對比，來源：納芯微）

簡化系統設計，加速客戶產品上市

納芯微全新CSP封裝MOSFET不僅在性能上實現突破，還在設計上進行了優化。其共漏極雙N溝道結構簡化了電路設計，可直接Pin to Pin替代上一代產品NPM12023A，即可實現性能升級，有效縮短開發周期，助力客戶更快地將高性能產品推向市場。

（NPM12017A選型表，來源：納芯微）

目前，該平臺的更多產品規格正在穩步開發中，未來，納芯微將持續擴大產品陣容，推出更多元化的產品，歡迎垂詢！

審核編輯 黃宇