離子束與樣品的相互作用
在 FIB 系統(tǒng)中,離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)聚焦后轟擊樣品表面,引發(fā)一系列物理現(xiàn)象。入射離子與樣品原子的原子核碰撞,產(chǎn)生濺射現(xiàn)象,這是 FIB 進行材料去除和加工的基礎(chǔ)。同時,入射離子也可能通過級聯(lián)碰撞將動能傳遞給樣品原子,并在樣品表面以下一定距離靜止,即離子注入。
此外,入射離子與樣品的非彈性散射還會產(chǎn)生二次電子、聲子、等離子激元以及 X 射線等,其中二次電子可用于成像,而 X 射線等信號則與樣品的成分信息相關(guān)。金鑒實驗室作為專注于材料分析領(lǐng)域的科研檢測機構(gòu),具備專業(yè)的FIB設(shè)備,能夠?qū)Ω鞣N材料進行檢測,致力于為客戶提供高質(zhì)量的測試服務(wù)。
FIB-SEM 聯(lián)用系統(tǒng)的成分分析功能
FIB-SEM 系統(tǒng)是將 FIB 鏡筒與掃描電鏡(SEM)鏡筒整合在一起的有力工具,用于成分分析。
隨后,SEM 可利用其配備的各種探測器,如能譜儀(EDS)、電子背散射衍射儀(EBSD)等,對加工后的樣品表面進行成分分析和結(jié)構(gòu)表征,實現(xiàn)對樣品微觀區(qū)域的成分、形貌及結(jié)構(gòu)的同步觀測。
基于 FIB 的成分分析方法
1.EDS 能譜分析
EDS 是一種常用的成分分析方法。在 FIB-SEM 系統(tǒng)中,當(dāng)電子束或離子束轟擊樣品表面時,會激發(fā)出樣品中的特征 X 射線。EDS 探測器能夠收集這些 X 射線,并根據(jù)其能量和強度確定樣品中所含元素的種類和相對含量。通過對樣品不同區(qū)域進行 EDS 分析,可以獲得元素的分布信息,了解樣品的成分均勻性以及不同相之間的成分差異。
例如,在分析半導(dǎo)體器件中的雜質(zhì)分布時,可利用 FIB 制備出器件的剖面樣品,然后使用 EDS 對剖面進行掃描,確定雜質(zhì)元素在不同層中的濃度和分布情況。金鑒實驗室在進行試驗時,嚴(yán)格遵循相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)操作,確保每一個測試環(huán)節(jié)都精準(zhǔn)無誤地符合標(biāo)準(zhǔn)要求。
2.EBSD 分析
EBSD 主要用于研究材料的晶體結(jié)構(gòu)和取向信息。在 FIB-SEM 系統(tǒng)中,EBSD 探測器收集樣品表面背散射電子的衍射圖案,通過對這些圖案的分析,可以確定樣品中晶粒的取向、晶界的位置以及相的分布等信息。結(jié)合 FIB 的微加工能力,可以對樣品進行局部切割和制備,以便更好地觀察特定區(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)和成分變化。
FIB 成分分析的優(yōu)勢
1.高空間分辨率
FIB 能夠在納米尺度上對樣品進行精確加工和制備,使得成分分析的空間分辨率大大提高。可以針對樣品中的微小區(qū)域、特定相或界面進行分析,獲取詳細的成分信息,有助于深入研究材料的微觀結(jié)構(gòu)和性能之間的關(guān)系。例如,在研究納米復(fù)合材料時,F(xiàn)IB 可制備出單個納米顆粒或納米結(jié)構(gòu)的剖面樣品,通過高分辨率的成分分析,揭示納米顆粒與基體之間的元素擴散和界面反應(yīng)情況。金鑒實驗室擁有先進的FIB設(shè)備和專業(yè)的技術(shù)團隊,能夠提供標(biāo)準(zhǔn)的測試服務(wù),為您的研究或產(chǎn)品質(zhì)量控制提供強有力的數(shù)據(jù)支持。
2.原位分析
FIB-SEM 等聯(lián)用系統(tǒng)實現(xiàn)了樣品制備和成分分析的一體化,能夠在同一儀器中完成從樣品加工到分析的全過程,避免了樣品在轉(zhuǎn)移過程中可能受到的污染和損傷,保證了分析結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。此外,原位分析還可以實時觀察樣品在加工過程中的成分變化,為研究材料的動態(tài)過程提供了有力手段,如在研究材料的腐蝕、氧化等過程時,可通過原位 FIB-SEM-EDS 分析,實時監(jiān)測元素的遷移和化學(xué)反應(yīng)。
三維成分分析
借助 FIB 的逐層切割和成像技術(shù),可以對樣品進行三維重建和成分分析。通過連續(xù)采集不同深度層面的圖像和成分信息,能夠構(gòu)建出樣品的三維元素分布模型,直觀地展示材料內(nèi)部的成分變化和結(jié)構(gòu)特征。這種三維成分分析方法對于研究復(fù)雜材料體系、多層結(jié)構(gòu)器件以及生物樣品等具有重要價值,例如在分析半導(dǎo)體芯片的三維集成結(jié)構(gòu)時,可利用 FIB-SEM 系統(tǒng)獲取各層之間的元素分布和界面信息,為芯片的設(shè)計和優(yōu)化提供依據(jù)。
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