SiC功率元器件大家都不會陌生，但是許多粉絲反應有些技術點還一知半解。ROHM君特地搬運來相關知識點，從最基礎的介紹到終極使用方法應有盡有，無論您是小白還是“老司機”，一樣可以溫故而知新。

今天ROHM君來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。

何謂全SiC功率模塊

羅姆在全球率先實現了搭載羅姆生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。關于這一點，根據這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點與性能，可以很容易理解。

目前，羅姆正在量產的全SiC功率模塊是二合一型模塊，包括半橋型和升壓斬波型兩種。

另外產品陣容中還有搭載NTC熱敏電阻的產品類型。

以下整理了現有機型產品陣容和主要規格。1200 V耐壓80A～600A的產品種類齊全，400A和600A的兩種機型近期剛剛開發出來。產品陣容擁有覆蓋IGBT模塊市場主要額定電流100 A～600 A的豐富產品。

進步明顯的全SiC功率模塊

最新的全SiC功率模塊采用最新的SiC-MOSFET-（即第三代溝槽結構SiC-MOSFET），以進一步降低損耗。以下為示例。

關鍵點小黑板:

?全SiC功率模塊由羅姆自主生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成。

?與Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。

?全SiC功率模塊正在不斷進化，最新產品搭載了最新的第三代SiC-MOSFET。