隨著全球能源結構轉型加速，新能源汽車、人形機器人等產業爆發式增長，功率半導體市場需求呈指數級攀升。

中國作為全球最大的功率半導體市場，發展前景十分廣闊。然而功率半導體產業繁榮背后暗藏隱憂。

國內功率半導體產業鏈上游的關鍵技術仍被海外企業卡脖子，國內功率半導體企業在高端市場面臨"技術空心化"風險。

面對這一困局，國產功率半導體替代已從戰略儲備轉化為生存剛需。構建自主可控的功率半導體產業鏈已成為保障國家產業競爭力的關鍵突破口。

國產化現狀：

中低端突圍，高端仍待破局

根據Omida的數據及預測，2023 年全球功率半導體市場規模達到503億美元，預計2027年市場規模將達到596億美元。

然而，這一關鍵市場長期被海外功率半導體巨頭主導。

不過，在技術門檻相對較低的中低端功率半導體市場，國內功率半導體企業已形成可觀的替代能力。然而，在高端功率半導體市場，國內企業仍高度依賴進口。

技術突破：

高壓IGBT與三代半導體提速替代

在多重市場驅動下，中國功率半導體產業正經歷技術突圍的攻堅戰。

IGBT領域呈現多點突破態勢

斯達半導已形成覆蓋100V-3300V電壓等級、10A-3600A電流范圍的600余種模塊產品矩陣，市場份額穩居前列。

中車時代8英寸IGBT芯片產線不僅是國內首條，更以6500V高鐵專用IGBT模塊的應用，打破英飛凌、三菱在軌道交通領域的長期壟斷。

超級結MOSFET同步躍遷

華潤微推出的超結MOSFET G4平臺，相比于G2平臺，其FOM提升40%，綜合性能已達到國際先進水平。不僅具有更低的開關損耗，同時具有業界更優異的體二極管反向恢復特性以及魯棒性。

圖/華潤微

新潔能Gen.4超結MOSFET通過進一步技術升級，提升器件的結構密度，進一步降低特征導通電阻，提升器件的功率密度，在相同體積下可以大幅提升器件電流能力。

三代半導體彎道超車

士蘭微即將投產的8英寸SiC功率器件芯片產線，可滿足國內40%車規級SiC芯片需求，同時促進國內8英寸碳化硅襯底及相關工藝裝備的協同發展。

華潤微推出1200V SiC MOSFET產品，具有高耐壓、低導通電阻以及優異的短路、浪涌能力，性能處于國際先進水平。

英諾賽科在GaN領域實現超車，其100V GaN功率器件可實現功率密度提升20%，系統功率損耗可降低大于35%。

功率IC生態縱深拓展

國產功率IC呈現梯度突破，如圣邦微、矽力杰等企業在電源管理芯片領域逐步實現自主替代;峰岹科技實現磁場定向控制算法，推動功率芯片國產化。目前，國產功率IC正向功能集成化、控制智能化方向演進，有望迎來新突破。

數據與展望：

政策技術雙輪驅動國產替代加速

Omdia高級分析師毛敏明的《中國市場功率半導體發展趨勢》報告顯示，2023年功率模塊國產化率為38.8%，其中硅功率MOSFET國產化率為26.1%，離散式IGBT的國產化率達到28.4%。國產替代空間廣闊。

在戰略新興產業快速發展的背景下，市場對IGBT、SiC等高端功率半導體器件的需求激增，這正加速推動國內功率半導體企業在高端產品領域的自主化進程。

盡管當前功率半導體行業仍面臨各種挑戰，但產業生態已形成多維突破態勢。我國功率半導體產業將加速實現從"技術跟隨"向"國際并跑"的躍升，為戰略性新興產業提供核心元器件保障。

小結

當前，國產功率半導體已形成“中低端支撐規模、高端謀求突破”的雙軌發展格局。國產功率半導體的突圍之路，是一場從“替代”到“引領”的質變。

這場攻堅不僅是技術的較量，更是全球高端制造業話語權的爭奪。若政策支持與企業創新持續共振，中國功率半導體或將從“跟隨者”蛻變為“規則制定者”，為全球產業鏈注入“中國芯”動力。

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審核編輯 黃宇