歐洲電源轉(zhuǎn)換和智能運動大會在2018年6月5日-7日舉辦，在第一天會議上，多個公司推出了氮化鎵功率產(chǎn)品。下文將闡述歐洲氮化鎵系統(tǒng)公司、Exagan公司和英飛凌公司等產(chǎn)品

氮化鎵系統(tǒng)公司推出100W和300W無線功率放大器

在昨日舉辦的歐洲電源轉(zhuǎn)換和智能運動（PCIM）大會上，歐洲氮化鎵系統(tǒng)公司推出兩款無線功率放大器，用于高功率消費、工業(yè)和運輸應(yīng)用的無線充電市場。這些新解決方案包括功率范圍從70 W到100 W的100 W功率放大器和功率范圍從150 W到1 kW的300 W功率放大器。

100W功率放大器[GSWP100W-EVBPA]適用于筆記本電腦、娛樂級無人機、家用輔助機器人、電動工具和多款智能手機的快速充電等消費類市場。

300W功率放大器[GSWP300W-EVBPA]面向工業(yè)和運輸市場，適用于交付無人機、倉儲機器人、醫(yī)療設(shè)備、工廠自動化、電動自行車和滑板車等應(yīng)用。

兩款功率放大器都具有一系列特性，包括電流或電壓控制、內(nèi)置保護電路、EMI濾波和可配置輸出功率等。兩款放大器將氮化鎵系統(tǒng)公司等功率晶體管與pSemi公司的高頻GaN E-HEMT驅(qū)動器相結(jié)合。

氮化鎵系統(tǒng)公司戰(zhàn)略營銷副總裁Paul Wiener表示：“我們的氮化鎵解決方案為在諸如無線電力傳輸和充電等應(yīng)用中開發(fā)高功率、高效率電源系統(tǒng)創(chuàng)造了機會。電源生態(tài)系統(tǒng)已經(jīng)發(fā)生了變化。現(xiàn)在可提供高dv / dt電平移位器，快速響應(yīng)IC感測和控制，低損耗高頻磁性元件以及高性能GaN晶體管和放大器功能，從而實現(xiàn)更小、更輕、更低成本和更高效的電源系統(tǒng)。”

Exagan公司推出新型智能氮化鎵功率芯片

歐洲Exagan公司展示了G-FET和G-DRIVE產(chǎn)品，以便于設(shè)計電氣轉(zhuǎn)換器和一個65瓦的USB PD 3.0充電器演示。

在本周舉行的紐倫堡PCIM歐洲會議上，Exagan推出了安全、功能強大的G-FET功率晶體管和G-DRIVE智能快速開關(guān)解決方案，在一個封裝中集成了驅(qū)動器和晶體管。

這些基于氮化鎵的器件易于設(shè)計成電子產(chǎn)品，為符合USB 3.0功率輸出（PD）3.0 C類標準的快速充電器鋪平了道路，同時提供出色的功率性能和集成度。

Exagan總裁兼首席執(zhí)行官FrédéricDupont表示：“我們產(chǎn)品的市場潛力巨大，包括所有便攜式電子設(shè)備以及家庭、餐廳、酒店、機場、汽車等等。”在不久的將來，用戶將能夠只需將標準USB電纜插入小型通用移動充電器即可快速為智能手機，平板電腦，筆記本電腦和其他設(shè)備充電。”

USB C端口具有電力、數(shù)據(jù)和視頻同時傳輸?shù)耐ㄓ眠B接的能力，正在帶來巨大的增長。根據(jù)市場研究公司IHS Markit的數(shù)據(jù)，至少有一個USB C型端口的設(shè)備數(shù)量預計將從2016年的3億臺增加到2021年的近50億臺。

Exagan正在加速為充電器市場提供具有成本效益的GaN基解決方案。該公司在其制造工藝中使用200-mm硅基氮化鎵晶圓，實現(xiàn)了高成本效益的大批量生產(chǎn)。Exagan現(xiàn)在正在向關(guān)鍵客戶提供快速、節(jié)能的器件，同時加快生產(chǎn)，開始批量交貨G-FET和G-DRIVE產(chǎn)品。

Exagan于2014年在法國格勒諾布爾成立，得到了CEA-Leti和Soitec的支持，致力于加速電力電子行業(yè)從硅基技術(shù)向硅基氮化鎵技術(shù)的轉(zhuǎn)變，實現(xiàn)更小、更高效的電氣轉(zhuǎn)換器。

戰(zhàn)略合作伙伴包括X-FAB Silicon Foundries和面向200毫米GaN技術(shù)和制造的國際研究機構(gòu)CEA-Leti，TüVNORD GROUP提供產(chǎn)品質(zhì)量、測試和可靠性服務(wù)。

英飛凌開始批量生產(chǎn)CoolGaN

英飛凌歐洲PCIM期間宣布將于2018年底開始批量生產(chǎn)CoolGaN產(chǎn)品。市場上高可靠性GaN解決方案的工程樣品現(xiàn)已上市。

英飛凌的CoolGaN被認為是市場上最可靠和全球認可的氮化鎵解決方案之一。在質(zhì)量管理過程中，不僅要對器件進行測試，還要評估其在應(yīng)用程序中的行為。

在100ppm（百萬分之一）時，其預計壽命約為55年，超過預期壽命40年。CoolGaN能夠在給定的能量存儲插槽尺寸中實現(xiàn)雙倍的輸出功率，從而釋放空間并同時實現(xiàn)更高的效率。

CoolGaN 400 V和600 V電子模式HEMT的全面生產(chǎn)將于2018年年底開始實施。CoolGaN 400 V將采用70mΩ的SMD底部冷卻TO引線和頂部冷卻DSO-20-87封裝。CoolGaN 600 V采用頂部冷卻DSO-20-87封裝和底部冷卻DSO-20-85。采用底部冷卻TO-leadless和DFN 8x8封裝的70mΩ和190mΩ600V CoolGaN器件，將補充600V CoolGaN的產(chǎn)品組合。