據外媒報道，今天，沉寂已久的計算技術界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計算技術進步的硬指標。晶體管越小，同樣體積的芯片上就能集成更多，這樣一來處理器的性能和功耗都能會獲得巨大進步。

多年以來，技術的發展都在遵循摩爾定律，即當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18-24個月翻一倍以上。眼下，我們使用的主流芯片制程為14nm，而明年，整個業界就將開始向10nm制程發展。

不過放眼未來，摩爾定律開始有些失靈了，因為從芯片的制造來看，7nm就是物理極限。一旦晶體管大小低于這一數字，它們在物理形態上就會非常集中，以至于產生量子隧穿效應，為芯片制造帶來巨大挑戰。因此，業界普遍認為，想解決這一問題就必須突破現有的邏輯門電路設計，讓電子能持續在各個邏輯門之間穿梭。

此前，英特爾等芯片巨頭表示它們將尋找能替代硅的新原料來制作7nm晶體管，現在勞倫斯伯克利國家實驗室走在了前面，它們的1nm晶體管由納米碳管和二硫化鉬（MoS2）制作而成。MoS2將擔起原本半導體的職責，而納米碳管則負責控制邏輯門中電子的流向。

眼下，這一研究還停留在初級階段，畢竟在14nm的制程下，一個模具上就有超過10億個晶體管，而要將晶體管縮小到1nm，大規模量產的困難有些過于巨大。

不過，這一研究依然具有非常重要的指導意義，新材料的發現未來將大大提升電腦的計算能力。

據白宮官網報道，美國東部時間22日，2015年美國最高科技獎獲獎名單公布，包括9名國家科學獎獲得者（National Medal of Science）和8名國家技術和創新獎（National Medal of Technology and Innovation）獲得者。其中美籍華人科學家胡正明榮獲年度國家技術和創新獎。

胡正明教授是鰭式場效晶體管（FinFET）的發明者，如今三星、臺積電能做到14nm/16nm都依賴這項技術。他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在***長大，后來考入加州大學伯克利分校。

在華為海思麒麟950的發布會上，胡正明教授曾現身VCR，據他介紹，FinFET的兩個突破，一是把晶體做薄后解決了漏電問題，二是向上發展，晶片內構從水平變成垂直。

胡認為，FinFET的真正影響是打破了原來英特爾對全世界宣布的將來半導體的限制，這項技術現在仍看不到極限。

2010年后，Bulk CMOS工藝技術在20nm走到盡頭，胡教授的FinFET和FD-SOI工藝發明得以使摩爾定律在今天延續傳奇。