7月5日，耐威科技公告稱，公司與青島市即墨區(qū)人民政府、青島城市建設投資（集團）有限責任公司在2018年國際集成電路產(chǎn)業(yè)投資（青島）峰會上簽署《合作框架協(xié)議書》。

首先回顧一下這次合作背景。今年5月24日，耐威科技宣布與袁理先生、青島海絲民和半導體投資中心（有限合伙）、青島民芯投資中心（有限合伙）共同投資設立兩家控股子公司——聚能晶源（青島）半導體材料有限公司與青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司，耐威科技分別持股35%、40%。

兩家控股子公司業(yè)務均與氮化鎵（GaN）相關：聚能創(chuàng)芯主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微波器件的設計、開發(fā)；聚能晶源主要從事半導體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設計、開發(fā)、生產(chǎn)。

隨后，耐威科技將聚能晶源項目落地青島市即墨區(qū)，青島城投擬通過青島海絲民出資參與聚能晶源項目，因此有了這次耐威科技、青島城投與青島即墨政府簽署合作協(xié)議。

協(xié)議內(nèi)容包括：

（1）為幫助和盡快形成產(chǎn)能，占領國內(nèi)第三代半導體材料市場份額，青島即墨同意與聚能晶源另行簽署正式項目合作協(xié)議，為聚能晶源提供一系列項目支持；

（2）為支持聚能晶源吸納骨干尖端人才，各方互相協(xié)助使得聚能晶源為本項目引進的優(yōu)秀人才切實享受到青島市、區(qū)等各項人才優(yōu)惠政策。

（3）聚能晶源預計本項目投資總額不少于約2億元人民幣：2018年年底前投資總額不低于 5000 萬元人民幣，2020年底前投資總額不低于1.5 億元人民幣；

（4）聚能晶源未來產(chǎn)品線將覆蓋功率與微波器件應用，打造世界級氮化鎵（GaN）材料公司，項目主要產(chǎn)品有面向功率器件應用的氮化鎵（GaN）外延片，以及面向微波器件應用的氮化鎵（GaN）外延片等。

耐威科技表示，這次合作有利于公司加快第三代半導體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設計、開發(fā)、生產(chǎn)進度；有利于公司把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇，盡快拓展相關材料在國防裝備、航空電子、5G 通信、物聯(lián)網(wǎng)等領域的推廣應用；有利于公司以傳感為核心所進行的“材料-芯片-器件-系統(tǒng)-應用”的全面布局。

耐威科技緊密圍繞軍工電子、物聯(lián)網(wǎng)兩大產(chǎn)業(yè)鏈，一方面大力發(fā)展導航、MEMS、航空電子三大核心業(yè)務，一方面積極布局無人系統(tǒng)、智能制造等潛力業(yè)務，主要產(chǎn)品及業(yè)務包括軍/民用導航系統(tǒng)及器件、MEMS芯片的工藝開發(fā)及晶圓制造、航空電子系統(tǒng)等。

2016年耐威科技全資收購瑞典純MEMS代工企業(yè)Silex（賽萊克斯），正式切入MEMS領域并作為其重點發(fā)展及投資方向。2016年11月，耐威科技宣布在北京投資建設“8英寸MEMS國際代工線建設項目”，該項目獲得國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金的支持，目前項目建設正在高速推進中。

目前國內(nèi)在氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）材料及器件方面的發(fā)展起步較晚，與國際水平仍有較大差距，正在積極布局中。

氮化鎵（GaN）方面，除了正在入局的耐威科技外，相關企業(yè)還有蘇州能訊、中稼半導體、三安光電、海特高新、英諾賽科、江西晶能等。

其中，蘇州能訊已自主開發(fā)了氮化鎵材料生長、器件設計、制造工藝、封裝與可靠性技術，是國內(nèi)首家商用氮化鎵（GaN）電子器件生產(chǎn)企業(yè)；海特高新控股子公司海威華芯的氮化鎵已成功突破6英寸GaN晶圓鍵合技術；英諾賽科（珠海）科技有限公司8英寸硅基氮化鎵（GaN）生產(chǎn)線也已實現(xiàn)量產(chǎn)......

隨著全球半導體第三次產(chǎn)業(yè)轉移，中國作為全球最大的半導體市場，在第三代半導體材料領域機遇與挑戰(zhàn)共存，需腳踏實地努力實現(xiàn)彎道超車。