愛斯泰克（上海）高頻通訊技術有限公司，東南大學黃風義教授帶領的團隊在張江發(fā)布了兩款國產射頻收發(fā)系統(tǒng)集成電路芯片，其中一款高寬帶、抗干擾射頻集成電路芯片被北京大學、中科院等專家組技術鑒定為已達到國際先進水平。據悉，這兩款芯片可廣泛應用于第5代移動通信（5G）、超高速無線物聯(lián)網等，能夠在該技術領域支撐我國5G布局發(fā)展。

射頻芯片是無線通信的關鍵部件，可以實現(xiàn)信息的發(fā)射、無線傳輸和接收。傳統(tǒng)的手機射頻芯片，通常一個頻段（也稱為通道）或鄰近頻段對應了一個芯片單元，多個通道需要多個芯片單元。隨著手機通信的頻段、模式增多及帶寬增加的發(fā)展趨勢，射頻芯片需要支持十幾個通道，并滿足高帶寬、抗干擾能力強等性能要求。目前，移動通信的高端射頻芯片大部分被國外大公司壟斷。

研發(fā)團隊帶頭人、上海市“千人計劃”專家黃風義博士從美國伊利諾伊大學香檳分校畢業(yè)后，曾在美國IBM公司研發(fā)中心擔任鍺硅技術項目組核心研發(fā)工程師，在集成電路芯片的工藝、器件、電路設計等相關領域有20多年研究經驗。2001年回國后，他創(chuàng)建愛斯泰克（上海）高頻通訊技術有限公司，擔任公司董事長。公司主要瞄準中高端應用的射頻、微波、毫米波芯片市場，目前正致力自主研發(fā)可應用于5G、無線物聯(lián)網等國內急需的芯片。

據介紹，此次發(fā)布的芯片分別為高寬帶收發(fā)系統(tǒng)芯片和多頻、多模、可重構收發(fā)系統(tǒng)芯片。團隊對這兩款芯片的構思從2010年開始，在過去5年間投入了大量資源，與東南大學等高校研發(fā)團隊展開測試合作。芯片的研發(fā)經過多輪設計、流片加工才有了如今的問世。其中，高寬帶收發(fā)系統(tǒng)芯片集成了整個收發(fā)前端的主要元器件，具有高帶寬、超高速、抗干擾能力強等特點。

愛斯泰克發(fā)布的兩款芯片

它的傳輸帶寬最高達到150兆，是目前4G手機帶寬的3倍多，已經能夠滿足5G超高速、超大帶寬等要求。在世界范圍內，目前ADI公司已經有同類型芯片產品，但黃風義表示，此次發(fā)布的芯片在抗干擾性等方面要優(yōu)于已有芯片。“打電話時有時會出現(xiàn)串音的情況，這是由于受到其他信號的干擾。這款芯片具備強大的抗干擾能力，可以應用于保密通信。”

在今年4月，這兩款芯片被北京大學、中科院、中國電子科技集團公司等單位著名專家組成的專家組技術鑒定為“成果達到了國際先進水平”。高寬帶收發(fā)系統(tǒng)芯片近20項綜合性能指標的測試結果與國際產品及文獻發(fā)表的結果相比，5項指標接近國際一流水平、7項關鍵指標達到國際一流水平、7項關鍵指標優(yōu)于國際上已報道的最好水平。目前，這兩款芯片已獲國家發(fā)明專利授權2件，申請PCT國際發(fā)明專利1件，未來可廣泛應用于5G手機、基站、超高速無線物聯(lián)網、射頻傳感器、衛(wèi)星通信及特種專用高寬帶通信、導航、雷達等系統(tǒng)。

“模型技術是設計方面的基礎，尤其涉及到某些高端、特種工藝，國際大公司未必會提供最精確的模型。這時產品設計師就需要自主開發(fā)模型。”黃風義團隊于2006年針對射頻芯片中的電感等元件，在國際上開創(chuàng)了特征函數法用于電感模型參數提取和結構優(yōu)化，成果發(fā)表在國際集成電路領域權威期刊《固態(tài)電路雜志》（IEEEJSSC）和微電子領域權威期刊《電子器件快報》（IEEE EDL），被《科技導報》評選為年度中國重大科學進展。

黃風義介紹高寬帶收發(fā)系統(tǒng)芯片

2016年底，黃風義團隊在集成電路芯片中應用最廣泛的場效應晶體管模型研究取得新進展。在深亞微米、超高速晶體管的射頻模型結構中發(fā)現(xiàn)新的溝道效應，突破了被國際產業(yè)界普遍采用30多年的模型結構中的核心溝道單元。該技術將應用到工藝廠家的設計手冊。

相關技術和產品的成功研發(fā)，標志著我國在寬帶、超高速移動通信的高端射頻集成電路芯片設計技術，以及射頻元件模型技術這兩個尖端領域，接近國際一流水平。據悉，公司下一步計劃利用先進的加工工藝，委托中芯國際、臺積電等廠家進行芯片加工，著力推進芯片的產品化，使芯片實現(xiàn)更高性能和更低價格，盡早破解高端射頻芯片被“卡脖子”的局面。