7月20日韓聯(lián)社報道，韓國工業(yè)部長白云揆（Paik Ungyu） 日前表示，韓國政府將加大對大型研發(fā)項(xiàng)目的支持，以開發(fā)尖端內(nèi)存芯片，應(yīng)對中國競爭對手的崛起。

近兩年來，DRAM價格一路高歌猛進(jìn)，創(chuàng)下近30年來最大漲幅，而在這場漲價潮中三星電子、SK海力士、美光三大巨頭賺得盆滿缽滿。

芯片目前是韓國最大的出口產(chǎn)品，而中國是全球最大的芯片市場。2016年以來，中國相繼在武漢，南京、成都等城市投資建設(shè)半導(dǎo)體制造基地，投入資金達(dá)到700億美元之巨。這讓韓國政府和企業(yè)感到憂慮，同時業(yè)界對韓國芯片行業(yè)前景開始看淡。

韓國本土芯片制造商擔(dān)心，中國政府的舉措可能會以比預(yù)期更快地速度縮小與韓國的技術(shù)差距。屆時，如果產(chǎn)量得不到謹(jǐn)慎控制，將導(dǎo)致全球芯片價格暴跌。

“中國正加緊發(fā)展自己的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，縮小與韓國的差距，這還可能導(dǎo)致全球供應(yīng)過剩，內(nèi)存芯片價格的增速最近有所放緩，令人擔(dān)心超級周期正接近頂峰?！?白云揆（Paik Ungyu） 說道：“政府正在考慮支持設(shè)計及生產(chǎn)下一代存儲芯片的大型項(xiàng)目，并計劃在今年下半年進(jìn)行初步可行性研究，”

雖然中國政府決心要改變本國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀，但中國企業(yè)在技術(shù)層面與世界先進(jìn)水平還有較大差距。三星已經(jīng)開始量產(chǎn)第五代96層3D V-NAND閃存顆粒，而長江存儲的32層NAND還在試產(chǎn)階段，良率也不盡人意。

另外，三星計劃在2019年內(nèi)投入150億美元增加閃存產(chǎn)量，做好了打價格戰(zhàn)的準(zhǔn)備。在這種情況下，中國的半導(dǎo)體企業(yè)僅靠政府的補(bǔ)貼和支持將難以與三星進(jìn)行長期的抗?fàn)帯?/p>