在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

集成MOSFET的分立器件能用什么進(jìn)行替代?

TI視頻 ? 作者:工程師郭婷 ? 2018-08-16 00:08 ? 次閱讀

電源設(shè)計(jì)中,工程師通常會(huì)面臨控制IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問(wèn)題,或者面臨由于柵極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過(guò)大的問(wèn)題。為緩解這一問(wèn)題,工程師通常會(huì)采用外部驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體廠商(包括 TI 在內(nèi))擁有現(xiàn)成的 MOSFET 集成電路驅(qū)動(dòng)器解決方案,但這通常不是成本最低的解決方案,工程師通常會(huì)選擇比較廉價(jià)的分立器件。

圖 1 簡(jiǎn)單的緩沖器可驅(qū)動(dòng)2 Amps 以上的電流

圖 1 中的示意圖顯示了一個(gè) NPN/PNP 發(fā)射跟隨器對(duì),其可用于緩沖控制 IC 的輸出。這可能會(huì)增加控制器的驅(qū)動(dòng)能力并將驅(qū)動(dòng)損耗轉(zhuǎn)移至外部組件。許多人都認(rèn)為該特殊電路無(wú)法提供足夠的驅(qū)動(dòng)電流。

如圖 2 Hfe 曲線所示,通常廠商都不會(huì)為這些低電流器件提供高于 0.5A 的電流。但是,該電路可提供大大高于 0.5A 的電流驅(qū)動(dòng),如圖 1 中的波形所示。就該波形而言,緩沖器由一個(gè) 50Ω 源驅(qū)動(dòng),負(fù)載為一個(gè)與1Ω 電阻串聯(lián)的0.01 uF電容。該線跡顯示了1Ω 電阻兩端的電壓,因此每段接線柱上的電流為 2A。該數(shù)字還顯示MMBT2222A 可以提供大約 3A 的電流,MMBT3906 吸收 2A 的電流。

事實(shí)上,晶體管將與其組件進(jìn)行配對(duì)(MMBT3904 用于 3906,MMBT2907 用于2222)。這兩個(gè)不同的配對(duì)僅用于比較。這些器件還具有更高的電流和更高的hfe, 如 FMMT618/718 對(duì),其在 6 A 電流時(shí)具有 100 的hfe(請(qǐng)參見(jiàn)圖 2)。與集成驅(qū)動(dòng)器不同,分立器件是更低成本的解決方案,且有更高的散熱和電流性能。

圖 2 諸如 FMMT618 的更高電流驅(qū)動(dòng)器可增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力(最高:MMBT3904 / 最低:FMMT618).

圖 3 顯示了一款可使您跨越隔離邊界的簡(jiǎn)單緩沖器變量情況。一個(gè)信號(hào)電平變壓器由一個(gè)對(duì)稱雙極驅(qū)動(dòng)信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)。變壓器次級(jí)繞組用于生成緩沖器電力并為緩沖器提供輸入信號(hào)。二極管 D1 和 D2 對(duì)來(lái)自變壓器的電壓進(jìn)行調(diào)整,而晶體管 Q1 和 Q2則用于緩沖變壓器輸出阻抗以提供大電流脈沖,從而對(duì)連接輸出端的 FET 進(jìn)行充電和放電。該電路效率極高且具有 50% 的占空比輸入(請(qǐng)參見(jiàn)圖 3 中較低的驅(qū)動(dòng)信號(hào)),因?yàn)槠鋵Ⅱ?qū)動(dòng) FET 柵極為負(fù)并可提供快速開(kāi)關(guān),從而最小化開(kāi)關(guān)損耗。這非常適用于相移全橋接轉(zhuǎn)換器

如果您打算使用一個(gè)小于 50% 的上方驅(qū)動(dòng)波形(請(qǐng)參見(jiàn)圖 3),那么就要使用緩沖變壓器。這樣做有助于避免由于轉(zhuǎn)換振鈴引起的任意開(kāi)啟 EFT。一次低電平到零的轉(zhuǎn)換可能會(huì)引起漏電感和次級(jí)電容,從而引發(fā)振鈴并在變壓器外部產(chǎn)生一個(gè)正電壓。

圖 3 利用幾個(gè)部件您就可以構(gòu)建一款獨(dú)立驅(qū)動(dòng)器

總之,分立器件可以幫助您節(jié)約成本。價(jià)值大約 0.04 美元的分立器件可以將驅(qū)動(dòng)器 IC 成本降低 10 倍。分立驅(qū)動(dòng)器可提供超過(guò)2A 的電流并且可以使您從控制 IC 中獲得電力。此外,該器件還可去除控制 IC 中的高開(kāi)關(guān)電流,從而提高穩(wěn)壓和噪聲性能。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8303

    瀏覽量

    218694
  • 緩沖器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    2037

    瀏覽量

    46652
  • 分立器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    229

    瀏覽量

    21820
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    初級(jí)元器件知識(shí)之功率MOSFET

    什么是功率 MOSFET? 我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。此外,二極管作為開(kāi)關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過(guò)或屏蔽一個(gè)信號(hào)
    發(fā)表于 06-03 15:39

    半導(dǎo)體分立器件分類有哪些?有哪些特性?

    半導(dǎo)體分立器件分類及應(yīng)用領(lǐng)域 一、核心分類 ?基礎(chǔ)元件? ?二極管?:包括普通二極管(如硅/鍺二極管)、穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)等。 ?三極管?:如NPN/PNP型雙極
    的頭像 發(fā)表于 05-19 15:28 ?204次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b>分類有哪些?有哪些特性?

    碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見(jiàn)問(wèn)題Q&amp;A

    碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),隨著國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)、成本及供應(yīng)鏈都日趨完善,國(guó)產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:12 ?566次閱讀
    碳化硅(SiC)<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>替代</b>硅基IGBT常見(jiàn)問(wèn)題Q&amp;A

    BW-AH-5520”是針對(duì)半導(dǎo)體分立器件在線高精度高低溫溫度實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)專用設(shè)備

    、適用于DIP, SMD等各種封裝的小型電子元件、分立器件集成電路等精密在線高低溫測(cè)試。 3、精密步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)過(guò)程測(cè)試(Leaded驅(qū)動(dòng)環(huán))。 4、根據(jù)待測(cè)器件封裝形式及規(guī)格
    發(fā)表于 03-06 10:48

    Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

    Si IGBT和SiCMOSFET器件在不同電流下的優(yōu)異特性,一般會(huì)將的Si-IGBT和 SiC-MOSFET按照一定比例進(jìn)行混合并聯(lián)使用。
    的頭像 發(fā)表于 01-21 11:03 ?1567次閱讀
    Si IGBT和SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>混合<b class='flag-5'>器件</b>特性解析

    SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

    BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
    發(fā)表于 01-16 14:32 ?1次下載

    廣東佳訊邀您一起探究:SiC MOSFET 替代 IGBT ,這是必然走向嗎?

    碳化硅MOSFET以其高開(kāi)關(guān)速度、高溫工作能力和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì),在電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢(shì),但碳化硅MOSFET有望成為下一代主流功率
    的頭像 發(fā)表于 01-15 17:40 ?485次閱讀
    廣東佳訊邀您一起探究:SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>替代</b> IGBT ,這是必然走向嗎?

    電路中的主動(dòng)元件,被動(dòng)元件,有源器件,無(wú)源器件分立元件,集成電路怎么區(qū)分?

    Part 01 前言 我們?cè)谄綍r(shí)閱讀電路相關(guān)的文章,或者看相關(guān)書籍的時(shí)候經(jīng)常會(huì)看到以下名詞:主動(dòng)元件,被動(dòng)元件,有源器件,無(wú)源器件分立元件,集成電路,那么這些名詞表示什么含義?平時(shí)的
    的頭像 發(fā)表于 12-31 11:58 ?2w次閱讀
    電路中的主動(dòng)元件,被動(dòng)元件,有源<b class='flag-5'>器件</b>,無(wú)源<b class='flag-5'>器件</b>,<b class='flag-5'>分立</b>元件,<b class='flag-5'>集成</b>電路怎么區(qū)分?

    分立器件在智能窗簾中的應(yīng)用

    環(huán)境條件和用戶需求智能地控制窗簾的開(kāi)合。它需要哪些分立器件產(chǎn)品配合,如何實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的功能,合科泰本期來(lái)講解一下。
    的頭像 發(fā)表于 12-13 16:57 ?560次閱讀

    分立器件在智能穿戴手表中的應(yīng)用

    智能穿戴手表作為一種非常常用的手表產(chǎn)品,它具有健康監(jiān)測(cè)、運(yùn)動(dòng)監(jiān)測(cè)、睡眠監(jiān)測(cè)、日常便利、事件管理和定位、智能互聯(lián)等功能,它極大地豐富了用戶的生活體驗(yàn)。智能手表要想實(shí)現(xiàn)這些功能,需要什么樣的分立器件產(chǎn)品呢?
    的頭像 發(fā)表于 11-15 10:49 ?827次閱讀
    <b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b>在智能穿戴手表中的應(yīng)用

    集成負(fù)載開(kāi)關(guān)與分立MOSFETs

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《集成負(fù)載開(kāi)關(guān)與分立MOSFETs.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 10-08 11:20 ?1次下載
    <b class='flag-5'>集成</b>負(fù)載開(kāi)關(guān)與<b class='flag-5'>分立</b>MOSFETs

    集成式與分立式開(kāi)漏電平轉(zhuǎn)換

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《集成式與分立式開(kāi)漏電平轉(zhuǎn)換.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 08-28 10:35 ?0次下載
    <b class='flag-5'>集成</b>式與<b class='flag-5'>分立</b>式開(kāi)漏電平轉(zhuǎn)換

    替代Trench MOSFET?國(guó)產(chǎn)SGT MOSFET產(chǎn)品井噴

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近幾年第三代半導(dǎo)體在功率器件上發(fā)光發(fā)熱,低壓消費(fèi)應(yīng)用上GaN器件統(tǒng)治充電頭市場(chǎng),新能源汽車高壓平臺(tái)上SiC器件逐漸成為標(biāo)配。在硅基功率器件領(lǐng)域,借助新能源
    的頭像 發(fā)表于 08-02 00:13 ?9027次閱讀
    <b class='flag-5'>替代</b>Trench <b class='flag-5'>MOSFET</b>?國(guó)產(chǎn)SGT <b class='flag-5'>MOSFET</b>產(chǎn)品井噴

    BW-4022A 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)

    博微BW-4022A半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 07-24 16:04 ?897次閱讀
    BW-4022A 半導(dǎo)體<b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b>測(cè)試系統(tǒng)

    GaN MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及原理

    GaN MOSFET(氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種新型的功率器件,具有高功率密度、高效率和快速開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比,GaN MOSFET具有更高的
    的頭像 發(fā)表于 07-14 11:39 ?2516次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 中文字幕视频一区二区 | 失禁h啪肉尿出来高h | 久久久五月天 | 一级特黄视频 | 新天堂 | 伊人久久大杳蕉综合大象 | 青草午夜精品视频在线观看 | 亚洲欧美强伦一区二区另类 | 俺色也| 毛片其地| 欧美乱论视频 | 朱元璋传奇1998王耿豪版 | 亚洲成年人影院 | 直接在线观看的三级网址 | 日本黄色大片在线播放视频免费观看 | 青草精品视频 | 特级毛片视频在线 | 色偷偷.com | 黄色二级视频 | 色偷偷网址| 在线观看免费视频网站色 | 久久久久毛片成人精品 | 国产情侣真实露脸在线最新 | 手机在线看福利 | 色五月天天 | 国产一区二区三区在线观看视频 | 久久亚洲精品玖玖玖玖 | 一本大道加勒比久久 | 久久精品人人做人人看 | 国产亚洲第一伦理第一区 | 美女性爽视频国产免费 | www午夜视频| 超薄肉色丝袜精品足j福利 超黄视频在线观看 | 国产精品美女一区二区三区 | 国产三级a三级三级天天 | 在线毛片免费 | 宅男午夜 | 国产视频一二 | 国产精品第一页在线观看 | 精品国产_亚洲人成在线高清 | 手机看片福利永久 |