Persistent Memory 一直是存儲的熱點，這里面的技術(shù)和藥物的研發(fā)類似，需要大量的時間和投入。NAND Flash這樣的技術(shù)，其實是在1985年就研制成功，是隨著使用的成本一步一步下降到今天的地步。

對于目前PM的總結(jié)，還是用The Memory Guys (http://thememoryguy.com/)的對比了。

先來看一下，每種技術(shù)后面的公司。MRAM目前是Everspin+GF， 之前的Avalanche這次完全沒有聲音。IBM和Samsung都有對MRAM的報告，但是他們也有對其他PM的報告。對于ReRAM來講，Crossbar+UMC，對于被收購之前的Sandisk和HPE在這個上面的投入，好像已經(jīng)隨著Martin的離開消失了。https://www.theregister.co.uk/2017/01/25/cutting_hewlett_packard_labs_down_to_size/

對于FRAM，貌似是TI和Fujitsu 這兩家最積極。但是這兩個廠家和數(shù)據(jù)中心的距離都有點遠。對于大部分的新技術(shù)，行業(yè)中已有的巨頭都是處于觀望態(tài)度，除了不想出現(xiàn)殺敵一千，自傷八百的局面，還有就是創(chuàng)新者的窘境的問題。因此，可以看出，MRAM和ReRAM的現(xiàn)狀最符合這個情況，小公司在前面打拼，大公司在后面觀望。

從產(chǎn)品來看，MRAM，ReRAM，Xpoint這三個技術(shù)是目前市場的焦點。但是Xpoint的地位基本上和X86在數(shù)據(jù)中心的地位類似，ARM和Power都在努力，但是現(xiàn)實比較骨感。

FMS2018 今年也有了一個MRAM的開發(fā)者日，從其中的話題不難看出，MRAM目前關(guān)注的市場是以Embedded市場為主，和數(shù)據(jù)中心有一些偏差。我們的確看到Everspin和其他幾個小廠都有使用Xilinx的FPGA作為MRAM的控制器，出品基于PCIE接口的MRAM產(chǎn)品，但是因為容量的原因，目前肯定不是用來做主存儲，因此對于Xpoint基本上沒有威脅。今年年初的SNIA的NVM Summit中對MRAM的總結(jié)更全面。

ReRAM之前曾經(jīng)因為HPE的“The Machine”熱過一陣，記得在2016年的NVM Summit上，Sandisk的人信心滿滿的談和HPE的合作，他們覺得Samsung因為自己有128G的DIMM 產(chǎn)品，對于NVM的進展不關(guān)心，因此希望ReRAM可以成為挑戰(zhàn)Intel 3DXpoint的最強勁的對手。后來，因為Sandisk被WD收購，HPE解散了“The Machine”的團隊，目前大部分的人馬在做新的協(xié)議，Gen-Z。 Gen-Z和ZFS一樣，應(yīng)該都寄托了工程師Nerd對技術(shù)的深切渴望，“我是終極產(chǎn)品，其他人都可以洗洗睡了”，但是希望不要是ZFS一樣。

和MRAM的一個比較的不同是，ReRAM和目前的顯學(xué)AI的關(guān)系更加緊密，利用自身的結(jié)構(gòu)，ReRAM上的PIM和NN的研究不少。

3DXpoint無疑是目前市場的勝利者，雖然Intel和Micron都對3D Xpoint是啥守口如瓶，但是坊間的磨皮公司很多，基本都拆解的差不多。

l PCM的技術(shù)，20nm的制成

l Cross Point的陣列，堆疊的選擇器

l 花了近10年的時間，Intel，Micron，Numonyx 以及IP的vendor都有提及

雖然目前市場的AEP沒有做到Intel在2015年預(yù)熱時候的宣傳，對比NAND，有1000X的性能， 1000X的endurance， 但是它無疑是市場上的贏家，在推出M.2/U.2 的PCIE接口之后，他有推出了DIMM slot。

比較有意思的是，這個技術(shù)是Intel和Micron的合作，兩家的合作即將終止，但是到現(xiàn)在為止Micron沒有推出任何產(chǎn)品，特別在今年的FMS的Micron展臺上也沒有3D Xpoint的消息，這個的確是一個比較奇怪的事情，Micron是不是覺得Intel這種賠本賺吆喝的事情只是適合Intel做？最新的消息，Google Cloud率先選擇部署3D Xpoint 的DIMM，這個是否可以為NVDIMM-P帶來更多的應(yīng)用。

對于單個3D Xpoint的芯片來講，猜測的規(guī)格如下：

l 128Gbit。>10%的OP.

l 讀延時是～125ns，寫延時是比較大。

l Endurance: ~200K cycles

可以看出，這個不是DRAM的替代者，當然也不是NAND Flash的替代者。

可以看到3D NAND的生命周期比之前預(yù)想的要長很多。這個可能對于其他兩家的PM不是好消息。

另外報道一個比較有意思的現(xiàn)象，在第二天早上的一個Session中 NEWM-201A-1: 3D XPoint: Current Implementations and Future Trends (New Memory Technologies Track), 雖然比較早，但是的確是門庭若市。因為在第二個環(huán)節(jié)，應(yīng)用材料的session實在聽不懂，直接去了PMEM-201-1: Persistent Memory Software and Applications (Persistent Memory Track)， 這個Session基本只有10個人不到。的確很奇怪，對于PM的制造的興趣大于對如何使用的興趣，這個對于PM可能也不是啥好事吧。