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CMOS圖像傳感器技術(shù)及SOI在近紅外CMOS圖像傳感器中的應(yīng)用

NVQ8_sensors_io ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-08-16 16:35 ? 次閱讀

一. 3D成像和傳感市場

早期的3D成像和傳感技術(shù)主要應(yīng)用于傳統(tǒng)的醫(yī)療和工業(yè)領(lǐng)域,但市場規(guī)模很小,數(shù)年來一直維持在1億美元以下。隨著近年來技術(shù)不斷取得突破,3D成像和傳感技術(shù)已經(jīng)開始進(jìn)軍消費(fèi)電子汽車電子領(lǐng)域,未來將迎來爆發(fā)式的增長。

據(jù)最新預(yù)計(jì)(圖1),3D成像與傳感的全球市場規(guī)模將從2017年的21億美元擴(kuò)大至2023年的185億美元,年復(fù)合增長率達(dá)到44%。在2017年iPhone X Face ID采用了3D像機(jī)的觸發(fā)下,未來消費(fèi)類3D成像和傳感市場將持續(xù)成為增長最快、規(guī)模最大的領(lǐng)域:從2017至2023年,消費(fèi)類3D成像和傳感市場的年復(fù)合增長率將達(dá)到82%,到2023年的市占比將超過七成(圖2)。

圖1 2011~2023年3D成像和傳感市場預(yù)測

圖2 2017年和2023年3D成像和傳感細(xì)分市場占比

目前在移動(dòng)消費(fèi)市場,全球已經(jīng)建立了完善的3D成像產(chǎn)業(yè)鏈(圖3)。由于技術(shù)領(lǐng)先,蘋果及其聯(lián)盟公司目前牢牢把控3D成像技術(shù),預(yù)計(jì)Android陣營大規(guī)模普及3D成像可能要到2019年。屆時(shí)一旦Android智能手機(jī)的替代供應(yīng)鏈就位,3D成像的市場的體量將快速增大。

在中國,諸多手機(jī)制造商已經(jīng)開始布局3D成像技術(shù):小米8探索版中搭載了3D人臉識(shí)別技術(shù);OPPO和華為預(yù)計(jì)今年下半年相關(guān)機(jī)型也將會(huì)搭載3D傳感器。雖然中國在手機(jī)應(yīng)用端已經(jīng)在全球率先切入3D成像,但是3D成像供應(yīng)鏈基本都是海外公司,國內(nèi)供應(yīng)鏈缺失。由于技術(shù)壁壘較高,未來中國廠商很難打進(jìn)3D成像的供應(yīng)鏈。

圖3 2018~2023年全球移動(dòng)消費(fèi)類3D成像生態(tài)鏈

二. CMOS圖像傳感器技術(shù)及SOI在近紅外CMOS圖像傳感器中的應(yīng)用

2.1 3D成像技術(shù)簡介

現(xiàn)階段,3D成像技術(shù)有三條主流技術(shù)路線:結(jié)構(gòu)光(Structured light)、飛行時(shí)間(TOF,Time of Flight)和雙目視覺技術(shù)(Stereo Vision)。下面對(duì)這三種技術(shù)作簡要介紹。

1)雙目測距。雙目測距原理(圖4(a))類似人的雙眼,在自然光下通過兩個(gè)相機(jī)抓取圖像,然后通過三角形原理來計(jì)算并獲得深度信息。目前的雙攝就是雙目測距的典型應(yīng)用。

2)結(jié)構(gòu)光。結(jié)構(gòu)光技術(shù)(圖4(b))主要是通過近紅外激光器發(fā)射的具有一定結(jié)構(gòu)特征的光線,投射到被拍攝物體上,再由專門的紅外相機(jī)進(jìn)行采集,采集后生成的圖像相對(duì)原始光線結(jié)構(gòu)發(fā)生變化,然后通過運(yùn)算單元將這種結(jié)構(gòu)的變化換算成深度信息,進(jìn)而復(fù)原整個(gè)三維空間。

3)TOF。TOF成像原理(圖4(c))是發(fā)射一束經(jīng)過相位調(diào)制的紅外激光到被測物體,當(dāng)紅外激光被反射回相機(jī)時(shí),會(huì)因?yàn)楣怙w行時(shí)間的延遲,導(dǎo)致相位與發(fā)射時(shí)的相位有微小的變化,通過計(jì)算相位的變化,就可以計(jì)算出被測物體到相機(jī)之間的距離。

圖4 3D成像。(a)雙目測距,(b)結(jié)構(gòu)光,(c)TOF。

圖5 3種3D成像技術(shù)比較

比較這三種3D成像技術(shù)(圖5):雙目立體成像抗環(huán)境光干擾強(qiáng),分辨率高,但整體系統(tǒng)的復(fù)雜性、高功耗、不理想的暗光環(huán)境表現(xiàn),以及低精度給其應(yīng)用帶來較大的局限性。聯(lián)想曾在Phab2 ProAR手機(jī)上嘗試類似的方案,但體驗(yàn)并不樂觀;TOF技術(shù)基本不需要使用光學(xué)棱鏡,抗干擾性能好,視角更寬,不足是深度圖像分辨率較低,功耗較大。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為ToF適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品的后置3D成像,用于遠(yuǎn)具體、室外強(qiáng)干擾環(huán)境;結(jié)構(gòu)光技術(shù)的優(yōu)勢在于技術(shù)成熟,功耗低,深度圖像分辨率比較高,但是極易受到外界光的干擾、識(shí)別距離近,適合于消費(fèi)電子產(chǎn)品前置3D成像,用于近距離場景。

從廠商的站隊(duì)以及產(chǎn)品影響力來看,結(jié)構(gòu)光技術(shù)是最主流的3D成像實(shí)現(xiàn)方法。采用結(jié)構(gòu)光技術(shù)路線代表公司有蘋果、微軟、Intel、Google等。

2.2 iphoneX的3D成像技術(shù)

蘋果早在2011年就開始布局3D成像領(lǐng)域(表1),特別是在2013年,蘋果以3.45億美元收購了以色列的3D視覺公司PrimeSense,這項(xiàng)收購是蘋果史上最大手筆的收購之一。PrimeSense是結(jié)構(gòu)光方案最主要的專利持有者,因此,iphoneX中的3D成像采用的推測是結(jié)構(gòu)光技術(shù)。iPhoneX的TrueDepth通過結(jié)構(gòu)光技術(shù)實(shí)現(xiàn)面部解鎖,容錯(cuò)率可達(dá)百萬分之一,安全性能良好。另外,由于借助不可見的紅外光,TrueDepth還支持在黑夜等暗光環(huán)境下使用。

表1蘋果近幾年收購的3D成像技術(shù)公司

TrueDepth 3D相機(jī)除了能夠獲取平面圖像以外,還可以獲得拍攝對(duì)象的深度信息,即三維的位置及尺寸信息,其通常由多個(gè)相機(jī)+深度傳感器組成,硬件復(fù)雜度較高,因此,iPhoneX在正面屏幕頂部開了個(gè)“齊劉海”(圖6)。

TrueDepth是一款集成了五個(gè)子模塊的復(fù)雜組合體(圖6)。這五個(gè)子模塊分別是:近紅外相機(jī)(STM提供)、TOF測距傳感器+紅外泛光照明器(STM提供)、RGB相機(jī)(LG Innotek提供模組,索尼提供圖像傳感器)、點(diǎn)陣式投影器(ams提供)和彩色/環(huán)境光傳感器(ams提供),該3D相機(jī)模組使用柱形凸塊連接近圖像傳感器以及包括四個(gè)透鏡的光學(xué)模塊。

iPhoneX實(shí)際進(jìn)行人臉識(shí)別的過程非常復(fù)雜,不過可以簡化成以下幾個(gè)步驟。

1)檢測物體靠近。當(dāng)人臉靠近時(shí),首先工作的是距離感應(yīng)器,它將會(huì)告訴iPhoneX是否有物體靠近;2)檢測用戶臉部。泛光感應(yīng)元件采用垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)對(duì)前方物體進(jìn)行掃描,由紅外鏡頭接收信息,并傳給A11芯片神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)進(jìn)行判斷,識(shí)別為臉部后再進(jìn)行下一步操作;3)獲取3D人臉信息。點(diǎn)陣投影器(結(jié)構(gòu)光發(fā)射器)通過將30000多個(gè)肉眼不可見的近紅外光點(diǎn)投影在人的臉部,繪制成獨(dú)一無二的面譜;4)結(jié)構(gòu)光接收。紅外鏡頭則讀取點(diǎn)陣圖案,捕捉它的紅外圖像,為用戶人臉繪制精確細(xì)致的深度圖,然后將數(shù)據(jù)發(fā)送至A11以確認(rèn)是否匹配,匹配度滿足蘋果設(shè)置的要求后手機(jī)就能實(shí)現(xiàn)解鎖。

圖6 iPhoneX“齊劉海”結(jié)構(gòu)(上圖)和所采用的3D成像模組(下圖)

與傳統(tǒng)相機(jī)硬件產(chǎn)業(yè)鏈相比,iPhoneX 3D相機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈新增加了“紅外光源+光學(xué)組件+紅外傳感器”等部分,其中紅外CMOS傳感器是核心器件,價(jià)格昂貴(表2)。iPhoneX紅外CMOS傳感器采用的是STM基于SOI技術(shù)的解決方案,接下來將重點(diǎn)解析。

表2 蘋果3D傳感零部件及價(jià)格細(xì)分

2.3 CMOS圖像傳感器技術(shù)路線

傳統(tǒng)的CMOS圖像傳感器是在體硅上實(shí)現(xiàn)的,其靈敏度和分辨率主要采用兩個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)衡量:1)量子效率(QE)。量子效率代表其捕獲的光子與轉(zhuǎn)化為電子的光子的比率,量子效率越高,圖像越亮;2)模傳遞函數(shù)(MTF)。模傳遞函數(shù)代表輸出像與輸入像的對(duì)比度之比,模傳遞函數(shù)越高,圖像越清晰。模傳遞函數(shù)主要受到像素間各種串?dāng)_(圖7)的影響,因此也可以用串?dāng)_來評(píng)估模傳遞函數(shù)的高低。因此,設(shè)計(jì)高品質(zhì)的CMOS圖像傳感器的要點(diǎn)有兩個(gè),一方面要提高量子效率,另一方面要降低串?dāng)_。下面介紹幾種主流的隔離解決方案(圖8)。

圖7 體硅襯底上CMOS圖像傳感器的各種串?dāng)_示意圖

首先第一種解決方案如圖8(B)所示,采用不同劑量的P+對(duì)每個(gè)像素進(jìn)行側(cè)壁注入(SWI),注入后在像素兩側(cè)形成側(cè)壁,可以鈍化硅懸空鍵,減小光電二極管的暗電流,從而提高了光電轉(zhuǎn)換效率。經(jīng)過P+鈍化后的像素的量子效率可以提高20%之多。

第二種解決方案(圖8(C))是在n型硅襯底上制備釘扎深二極管pinned deep diode)。這種方法是利用多重注入在像素內(nèi)形成結(jié)電容隔離墻,可以降低像素間的串?dāng)_并且有效調(diào)控光生載流子的漂移。與傳統(tǒng)二極管相比,深二極管在藍(lán)色光譜中量子效率增加到60%,綠色光譜增加到超過50%。

圖8 體硅襯底上不同的像素隔離架構(gòu)

第三種解決方案是采用深槽隔離(DTI)結(jié)構(gòu)進(jìn)行隔離(圖8(D))。DTI的機(jī)制如下(圖9):Si-SiO2界面可用作隔離墻阻止電子擴(kuò)散,降低串?dāng)_;Si-SiO2組成了類波導(dǎo)結(jié)構(gòu),將光線限制在硅中,實(shí)現(xiàn)了光學(xué)隔離,并且延長光在硅中的光程,提高量子效率、降低串?dāng)_。與前兩種解決方案相比,DTI結(jié)構(gòu)的隔離效果最為顯著(圖10)。另外,溝槽越深,DTI的隔離性越好,串?dāng)_越小。由圖11結(jié)果知,DIT的深度一般要超過4μm。

圖9 DTI結(jié)構(gòu)抑制串?dāng)_、增加光程的機(jī)制

圖10 (a)不同隔離方案量子效率比較,(b)P+注入和DTI隔離后像素的光學(xué)特性比較

圖11 串?dāng)_和DTI深度的關(guān)系

綜上,采用DTI隔離技術(shù)在體硅上制備的CMOS傳感器的靈敏度和分辨率最高,目前STM、三星具備采用DTI隔離技術(shù)制備CMOS傳感器的能力。

2.4 iPhoneX的近紅外圖像傳感器架構(gòu):DTI + SOI襯底

iphoneX中的近紅外CMOS傳感器是由蘋果和STM聯(lián)合開發(fā)的,器件的截面圖如圖12所示。

下面對(duì)該結(jié)構(gòu)像素隔離的方案進(jìn)行解析:首先,iphoneX采用了DTI隔離技術(shù);另外,與2.3節(jié)介紹的體硅隔離不同,iphoneX采用的是SOI襯底。根據(jù)圖8和圖12,推測SOI襯底上近紅外圖像傳感器的采用了DTI 與SOI襯底相結(jié)合的隔離架構(gòu)(圖13),該架構(gòu)的特點(diǎn)是DTI結(jié)合SOI襯底的BOX層能夠?qū)嵪袼氐娜綦x:通過DTI隔離像素間的光學(xué)和電學(xué)串?dāng)_;通過BOX隔離來自襯底的噪聲,隔離金屬污染;DTI和BOX形成了全反射腔,大大增加了有效光程,光捕獲能力增大。因此,該架構(gòu)能夠提高量子效率、減少串?dāng)_,從而大幅提高了近紅外傳感器的靈敏度和分辨率。

圖12 iPhoneX中近紅外CMOS圖像傳感器的截面圖

圖13 SOI襯底上近紅外圖像傳感器的結(jié)構(gòu)和原理圖

另外,BOX層上外延硅的厚度是由近紅外光在硅中的穿透深度決定的。為了保證感應(yīng)能力和避免太陽光的干,近紅外圖像傳感器采用的一般是近紅外短波,波長范圍在780~1100nm之間,這個(gè)波段的近紅外線在硅中的吸收深度﹥6μm(圖14),從圖(12)中知,iPhoneX中圖像傳感器硅外延層的厚度約6.1μm。在全反射腔的作用下,近紅外線的吸收深度﹥6μm,滿足應(yīng)用需求。

圖14 不同電磁波在硅中的穿透深度

經(jīng)分析,iphoneX的近紅外圖像傳感器對(duì)SOI襯底沒有特殊要求,推測采用的是常規(guī)PD-SOI襯底,目前該襯底主要由Soitec公司提供。Soitec將面向傳感器應(yīng)用的SOI襯底稱為Imager-SOI,產(chǎn)品規(guī)格為:晶圓尺寸是300mm,BOX厚度在15~150nm之間,頂層硅厚度在50~200nm之間。Soitec從2016年開始給STM供貨Imager-SOI,隨后產(chǎn)能不斷增加。Soitec計(jì)劃到2020年Imager-SOI的晶圓出貨量5萬片(圖15)。

圖15 Soitec Imager-SOI晶圓年出貨量估計(jì)(單位:千片)

三. 總結(jié)

蘋果實(shí)現(xiàn)了3D Face ID,同時(shí)也再次“解鎖”了3D成像和傳感技術(shù)。未來3D成像和傳感技術(shù)將會(huì)滲透到更多的應(yīng)用場景,其市場將會(huì)持續(xù)高速膨脹。SOI CMOS傳感器技術(shù)已經(jīng)在智能手機(jī)占得先機(jī),被蘋果證明在結(jié)構(gòu)光3D成像中具有獨(dú)特的優(yōu)勢,未來如果能夠降低成本并打入Android陣營,則市場前景光明。

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原文標(biāo)題:3D成像和傳感市場及SOI技術(shù)在近紅外CMOS圖像傳感器中的應(yīng)用簡析

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