隨著汽車電動(dòng)化的發(fā)展,馬達(dá)發(fā)生器的需求不斷增加。馬達(dá)與逆變器呈現(xiàn)一體化的趨勢,小型、高耐熱、耐振動(dòng)要求也不斷提高,因此對元件的高可靠性提出了要求。此外,根據(jù)不同配線電感,有時(shí)會(huì)發(fā)生較大的浪涌電壓,因此配線及緩沖電容器相關(guān)措施不可或缺。同時(shí),噪音對策也同樣重要。
一、馬達(dá)/發(fā)電機(jī)電路結(jié)構(gòu)示例
驅(qū)動(dòng)馬達(dá)及發(fā)電機(jī)時(shí)使用了將直流變?yōu)榻涣鞯哪孀兤麟娐贰D孀兤麟娐分惺褂糜?a target="_blank">IGBT等半導(dǎo)體開關(guān),最近則使用了SiC等高速器件,通過高頻化不斷推進(jìn)小型化趨勢發(fā)展。大型馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需要400V以上的電壓,逆變器電路前段中使用有升壓電路,同時(shí)為提高效率,一般會(huì)使用兩個(gè)半導(dǎo)體開關(guān)。馬達(dá)驅(qū)動(dòng)時(shí)會(huì)迅速流過電流,連接升壓電路與逆變器的高壓線需要實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定化,因此會(huì)使用稱為DC LINK的電容器。
圖1 : 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
二、適用于DC Link/Snubber的電容器
SiC、Gan等高速器件得到越來越廣泛的使用,逆變器也不斷小型化,因此噪音對策變得越來越重要。根據(jù)不同配線電感,有時(shí)會(huì)發(fā)生較大的浪涌電壓,因此配線及緩沖電容器相關(guān)措施不可或缺。
圖2 : TDK電容器產(chǎn)品導(dǎo)覽
圖3 : 代表性電容器
三、關(guān)于薄膜電容器
逆變器電路輸入需要穩(wěn)定的DC電壓。由于馬達(dá)是以低頻驅(qū)動(dòng),因此吸收波紋部分需要較大的容量。薄膜電容器的允許波紋電流較大,因此適用于穩(wěn)定電壓。
表1 : 薄膜電容器的產(chǎn)品線
四、CeraLink?緩沖電路中的運(yùn)用事例
馬達(dá)驅(qū)動(dòng)時(shí)會(huì)迅速流過電流。急劇的電流變化會(huì)造成大幅振蕩電壓,從而會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體器件耐壓惡化,并產(chǎn)生噪音。CeraLink雖然是SMD,但其擁有高耐壓、高容量。通過SMD的優(yōu)勢在優(yōu)化圖案的同時(shí),還可降低配線的寄生電感。此外,由于器件本身ESL較小,因此可減少振蕩電壓的產(chǎn)生。
圖4 : CeraLink?緩沖電路中的運(yùn)用事例
要求值
● 高靜電容量密度:2 to 5 μF/cm3
● 低ESL:2.5 to 4 nH
● 高耐熱性CeraLink?可安裝在半導(dǎo)體附近,并且最高可在150°C下工作
● dV/dt無限制
圖5 :CeraLinkTM在高頻、高溫下的損耗較小,因此允許波紋電流值較大
五、關(guān)于IGBT/FET驅(qū)動(dòng)用變壓器
馬達(dá)驅(qū)動(dòng)用逆變器電路及大電力轉(zhuǎn)換器中使用電橋電路。電橋電路由High side(高壓)Low side(低壓)半導(dǎo)體開關(guān)構(gòu)成,驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體開關(guān)時(shí)需要穩(wěn)定電源。High side側(cè)的電壓尤為高,汽車馬達(dá)中最大達(dá)到800V。與Low side側(cè)之間需要絕緣電源,因此使用了小型、高耐壓的變壓器。此外,其中會(huì)使用多個(gè)半導(dǎo)體開關(guān),而柵極電壓一旦不均等則器件間可靠性將會(huì)不均勻,因此需要保持電壓的均等化。
圖6 : TDK變壓器產(chǎn)品的特征
表2 : 因結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的不同與產(chǎn)品線
IGBT等功率器件以及驅(qū)動(dòng)電路、自我保護(hù)功能的電力半導(dǎo)體器件。
用于驅(qū)動(dòng)IPM的電源電壓要求在15V±10%。為了與電力器件絕緣,通常會(huì)使用變壓器,但變壓器特性不佳則會(huì)導(dǎo)致電壓穩(wěn)定性降低。此外,為了確保絕緣可靠性,所使用的線材也十分重要,因此采用了在高溫環(huán)境下也能保持高可靠性的線材。重視空間及成本時(shí)使用集中型變壓器,而重視配置自由度及電壓穩(wěn)定性時(shí)則使用分散型變壓器。
圖7 : IGBT/FET驅(qū)動(dòng)用變壓器使用事例
變壓器所要求的特性
● 高可靠性 …… 次級(jí)側(cè)的各繞組間需要絕緣(各繞組間時(shí)刻在長時(shí)間的嚴(yán)酷環(huán)境下施加高電壓(400~800V))
● 高效化 …… 采用低漏磁、偏差小的結(jié)構(gòu)與最佳設(shè)計(jì)
● 搭載性 …… 支持高頻化,通過最佳Platform化實(shí)現(xiàn)小型化
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