實際應用中，溫度、電壓、老化 (放置時間) 等這些“隱藏”因素會對陶瓷電容的實際電容值產生影響。我們將通過系列文章分別從溫度、電壓、老化三個方面詳細分析這幾個因素和電容值之間的關系。

以鐵電材料（比如鈦酸鋇）作為介電材料的陶瓷電容，應用電壓對實際電容值的影響往往比較明顯。鈦酸鋇常常使用在X5R與X7R陶瓷電容當中。由于應用電壓的影響，有些電容甚至為此損失掉70%的標稱電容值。因此對于Class-II/III的電容，如果在對穩定性要求比較高的電路中隨意替換，可能會面臨風險。

DC電壓對電容值的影響

如果要掌握電壓對陶瓷電容容值的影響。除了實際測試與查看數據手冊之外，在線免費工具KEMET K-SIM可以直接查詢基于KEMET型號的各種參數與曲線，包括DC電壓與標稱電容值變化的關系曲線。

舉例：比較以下三個電容（C0G/X5R/X7R）DC電壓對標稱容值變化的影響

C0G (KEMET C1206C104J4GACTU, 0.1UF 16V C0G 1206 ±5%)

X5R (KEMET C0402C104K4PACTU, 0.1UF 16V X5R 0402 ±10% )

X7R (KEMET C0402C104K4RACTU, 0.1UF 16V X7R 0402 ±10%)

在Digi-Key網站產品頁面中的設計資源欄里，可以直接鏈接到KEMET K-SIM在線工具。無需再次輸入型號，一鍵打開KEMET K-SIM。Digi-Key網站中的KEMET 陶瓷電容基本都能通過該方法鏈接到K-SIM。

圖1，通過Digi-Key網站KEMET產品頁面，鏈接到在線免費工具KEMET K-SIM

如下圖，當電壓從0升到12VDC時：

C0G (C1206C104J4GACTU) 電容值下降0%

X7R (C0402C104K4RACTU) 電容值下降40%

X5R (C0402C104K4PACTU) 電容值下降53.33%

我們可以看出，對于Class I C0G，電壓對電容值的影響很少。對于Class II X5R/ X7R，電壓對電容值的影響比較大。

圖2，DC電壓與標稱電容值變化的關系（圖片來源：KEMET K-SIM）

AC電壓對電容值的影響

下圖是典型的AC電壓對于Class-II電容影響的曲線圖。不同的AC電壓，電容值的誤差也不一致，甚至有可能高于標稱電容值。

圖3，典型AC電壓對于Class-II電容的影響（圖片來源：KEMET）

封裝對電容值的影響

有時陶瓷電容生產廠家為了在更小的封裝里，維持相同水準的電容值，而選擇性地減少電介質的厚度或者調整電介質配方。這種設計的改變可能會導致更高的電壓應力以及更大的電容值損失。

下圖比較了0805/1206/1210封裝下47uF/6.3V陶瓷電容，應用電壓對實際電容值的影響：在5V電壓下封裝越小，實際電容值下降越快。

圖4，不同封裝47uF/6.3V陶瓷電容電壓對實際電容值影響（圖片來源：KEMET）

封裝的大小影響了電介質的厚度，在施加相同電壓的情況下，尤其是對以鐵電材料作為介電材料的陶瓷電容，電介質的厚度越小，內部的電場應力越大。

總結

實際應用中，電壓的大小、介電材料的類型、電介質的厚度等都會對陶瓷電容的實際電容值產生影響。其中鐵電材料作為介電材料往往是罪魁禍首。借助Digi-Key網站的在線工具以及KEMET K-SIM來協助陶瓷電容選型設計，可以了解電壓與電容值之間的關系，做到事半功倍。