近日，三星2018科技日在圣何塞（San Jose,CA）圓滿結束，此次三星也帶來了一些新產品、新技術，這些創新有助于最大化數據中心的效率，并使人工智能和其他企業和新興技術成為可能。2018年三星科技日的主要內容包括:

三星代工廠的7nm的EUV進程節點在功耗、性能和尺寸方面有顯著改進。

SmartSSD是一種現場可編程門陣列（FPGA）SSD，它提供加速的數據處理以及能夠繞過服務器CPU限制。

在企業應用程序和數據中心，QLC-SSD每個單元提供存儲比TLC-SSD多33%，這樣能合并存儲占用并提高所有權總成本(TCO)。

據三星半導體公司總裁蔡志剛（J S Choi）表示：“三星的技術領導力和產品競爭力是無與倫比的。”將7nm EUV投入生產表示三星取得了巨大突破。SmartSSD和256GB 3DS RDIMM的發布也代表了性能和容量的突破，將繼續推動計算邊界。同時，這些對三星綜合技術生態系統的補充將為下一代數據中心、高性能計算(HPC)、企業、人工智能(AI)和新興應用提供動力。

實現三星7nm LPP（低功耗PLUS）EUV工藝節點的初始生產是半導體制造中的一個重要里程碑。7nm LPP EUV工藝技術所提供的關鍵優點包括與10nm工藝相比，減少了40%的面積、50%的動態功率降低和20%的性能提升。7LPP工藝是最終實現3nm工藝的關鍵步驟。

三星新推出的SmartSSD和四級單元(QLC)-SSD加速了數據處理，繞過了服務器CPU限制，并降低了功耗。這些新產品允許數據中心以更快的速度繼續擴展，又可以控制成本。

新的數據中心產品包括鍵值(KV)-SSD和Z-SSD。KV-SSD克服了塊存儲的低效性，減少了延遲。當CPU架構達到最大值時，數據中心的性能可以均勻地擴展。下一代Z-SSD將是有史以來最快的閃存，具有超低延遲、雙端口高可用性和u - 2格式，Z-SSD還具有PCIe Gen 4接口，順序讀取帶寬有望達到12GB/s，比現在的SATA III ssd快20倍。

三星針對數據中心和企業應用的QLC-SSD比tlc - ssd每個單元提供了33%的存儲空間。三星的1TB QLC-SSD為企業用戶提供了一種最前沿的存儲選擇，與HDDs相比，它創造了顯著的競爭效率，并有助于提高所有權總成本(TCO)的最重要指標。