01：采用LDMOS技術(shù)的全通訊頻段射頻高功率產(chǎn)品介紹
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
射頻
+關(guān)注
關(guān)注
104文章
5622瀏覽量
168281 -
恩智浦
+關(guān)注
關(guān)注
14文章
5884瀏覽量
108471 -
功率
+關(guān)注
關(guān)注
14文章
2073瀏覽量
70109
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
瑤華半導(dǎo)體:引領(lǐng)大功率射頻封測技術(shù),助力5G與能源應(yīng)用
無線通信的有效傳輸。作為大功率射頻功放器件封測的領(lǐng)先企業(yè)， 瑤華半導(dǎo)體 憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新能力，已在行業(yè)中獲得廣泛認(rèn)可，成為通信與能源應(yīng)用領(lǐng)域的重要合作伙伴。 01 關(guān)于瑤華半導(dǎo)
射頻功率計(jì)的技術(shù)原理和應(yīng)用場景
射頻功率計(jì)是一種用于測量射頻信號功率的儀器，其技術(shù)原理和應(yīng)用場景如下：技術(shù)原理
發(fā)表于 11-27 15:06
射頻分析儀的技術(shù)原理和應(yīng)用場景
射頻分析儀是一種功能強(qiáng)大的電子測量儀器，在無線通信、電子測試等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。以下是關(guān)于射頻分析儀的技術(shù)原理和應(yīng)用場景的詳細(xì)介紹：一、射頻
發(fā)表于 11-26 14:32
康希通信射頻前端模塊美林美深科技KCT8547HE-1型號
在這個(gè)科技日新月異的時(shí)代，無線通訊技術(shù)的每一次革新都深刻地改變著我們的生活。今天，我們自豪地向大家介紹一款革命性的產(chǎn)品——KCT8547HE-1，這是一款專為IEEE 802.11 a
星曜半導(dǎo)體發(fā)布LB L-PAMiD全自研射頻模組芯片
近日，星曜半導(dǎo)體正式推出了其針對5G應(yīng)用的全自研射頻模組芯片產(chǎn)品——STR51210-11。這款LB L-PAMiD模組芯片集成了星曜半導(dǎo)體全自主開發(fā)的2G+4G/5G LB PA（
在航空航天應(yīng)用中使用AFE11612-SEP偏置GaN和LDMOS射頻功率放大器
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在航空航天應(yīng)用中使用AFE11612-SEP偏置GaN和LDMOS射頻功率放大器.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 09-04 09:34
?0次下載
LDMOS的結(jié)構(gòu)和優(yōu)點(diǎn)
場效應(yīng)晶體管），廣泛應(yīng)用于無線通信、廣播電視、雷達(dá)、醫(yī)療和工業(yè)等領(lǐng)域。LDMOS以其低失真、高效率、高輸出功率、高可靠性和低成本等優(yōu)點(diǎn)，在功率放大器的設(shè)計(jì)中占據(jù)了重要地位。以下是對
10公里通訊LoRa模塊，Ra-01SCH-P模組詳細(xì)介紹+使用教程
Ra-01SCH-P是安信可科技設(shè)計(jì)開發(fā)的 LoRa 系列模組。該模組用于超長距離擴(kuò)頻通信，其射頻芯片 LLCC68+主要采用 LoRa?遠(yuǎn)程調(diào)制解調(diào)器，用于超長距離擴(kuò)頻通信，抗干擾性強(qiáng)，能夠最大
羅徹斯特為Ampleon的ICN8系列LDMOS射頻功率晶體管延長市場壽命
產(chǎn)品類型。 隨著市場技術(shù)的快速迭代，基于先進(jìn)技術(shù)的應(yīng)用創(chuàng)新極具挑戰(zhàn)，客戶需要長期供貨支持。針對擁有長壽命系統(tǒng)的客戶，羅徹斯特電子與Ampleon合作支持延長產(chǎn)品生命周期。 羅徹斯特電子
經(jīng)典款LoRa模組Ra-01！小體積，遠(yuǎn)距離，低功耗！
Ra-01 433MHz LoRa射頻模組 采用SX1278芯片 小體積 SPI接口經(jīng)典封裝 CE/FCC認(rèn)證 安信可 LoRa 系列模塊（Ra-01）由安信可科技設(shè)計(jì)開發(fā)。其
1.2-1.3GHZ頻段的的VTX 射頻芯片方案
想整個(gè)1.2-1.3GHZ頻段的的VTX 應(yīng)用，diy下，不知哪位大俠有相關(guān)頻段的射頻芯片+PA介紹，是1.2--1.3Ghz，不是5.8GHZ （RTC6705+RTC6659E方案
發(fā)表于 06-18 09:00
AR的低頻段的大功率放大器介紹
；IEC61000-4-3從26MHz起的輻射抗擾度測試等，會需要幾百瓦，幾千瓦乃至1萬瓦的射頻功率放大器。 不同頻段的功率放大器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)方法都是不同的，10 KHz起到幾百M(fèi)Hz
射頻功率計(jì)的定義和應(yīng)用
隨著無線通信技術(shù)的飛速發(fā)展，射頻信號在通信、廣播、雷達(dá)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。射頻功率計(jì)作為測量射頻信號
江西薩瑞微獨(dú)家研發(fā)【一種LDMOS場效應(yīng)管及其制備方法】
廣泛關(guān)注。本文將深入剖析一種LDMOS場效應(yīng)管及其制備方法，旨在為半導(dǎo)體領(lǐng)域的專業(yè)人士和愛好者提供前沿的技術(shù)動態(tài)和實(shí)踐指導(dǎo)。01背景技術(shù)LDMOS
如何實(shí)現(xiàn)高功率密度三相全橋SiC功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)呢？
為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相
工商網(wǎng)監(jiān)
評論