根據(jù)市場(chǎng)分析公司Yole Developpement的數(shù)據(jù)，經(jīng)過(guò)40多年的發(fā)展，PCM將迎來(lái)迅速發(fā)展的大時(shí)代，并在2023年實(shí)現(xiàn)約50億美元的年銷售額。

其市場(chǎng)份額將會(huì)從2018年的2.73億美元增長(zhǎng)到2023的61億美元，這將占每年獨(dú)立的新興非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)份額的83％，這是一個(gè)約86％的復(fù)合年增長(zhǎng)率。

預(yù)計(jì)到2023年， ReRAM的銷售額將從2018年幾乎微不足道的份額增長(zhǎng)到銷售額排名第二的位置。

新興的非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)受到來(lái)自獨(dú)立的和嵌入式應(yīng)用技術(shù)市場(chǎng)的沖擊。資料來(lái)源：Yole Developpement。

獨(dú)立非易失性存儲(chǔ)器的增長(zhǎng)將主要通過(guò)SCM及推動(dòng)基于PCM的3D XPoint存儲(chǔ)器的Intel和Micron來(lái)推動(dòng)。值得注意的是，海力士正在研究類似于英特爾和美光的方法。

Yole的分析師Simone Bertolazzi在一份聲明中說(shuō)：“雖然圍繞嵌入式應(yīng)用的新興NVM正在發(fā)展，但獨(dú)立存儲(chǔ)器將會(huì)主導(dǎo)市場(chǎng)，這主要由SCM企業(yè)和客戶端應(yīng)用驅(qū)動(dòng)。”

Yole的高級(jí)分析師Yann de Charentenay表示，DRAM的擴(kuò)展在未來(lái)五年內(nèi)仍會(huì)繼續(xù)，但速度將比以前慢。由于3D集成技術(shù)的發(fā)展，NAND閃存的容量也將不斷增加。因此，新興的NVM不會(huì)取代獨(dú)立的DRAM和NAND閃存，但會(huì)在組合存儲(chǔ)器中對(duì)其進(jìn)行補(bǔ)充。

Yole表示，ReRAM有望成為第一個(gè)與3D XPoint相競(jìng)爭(zhēng)的獨(dú)立技術(shù)，但由于技術(shù)挑戰(zhàn)，ReRAM的發(fā)展相對(duì)較為緩慢。獨(dú)立的ReRAM的主要支持者是Crossbar Inc.和Nantero Inc.

新興的非易失性存儲(chǔ)器因應(yīng)用而發(fā)展。資料來(lái)源：Yole Developpement。

Yole聲稱ReRAM可能在2020年之后再次競(jìng)爭(zhēng)SCM。由于高速和高耐久性，STT-MRAM也很有前景，但制造工藝更復(fù)雜。

相比之下，對(duì)于新興非易失性存儲(chǔ)器的嵌入式市場(chǎng)，STT-MRAM正在為微控制器增添動(dòng)力。Yole說(shuō)，所有主要的代工廠都參與了這個(gè)領(lǐng)域。

與獨(dú)立市場(chǎng)相比，嵌入式新興NVM市場(chǎng)規(guī)模較小，占2017年新興NVM市場(chǎng)的3％左右。然而，所有頂級(jí)代工廠都在準(zhǔn)備28nm或22nm的STT-MRAM產(chǎn)品，中芯國(guó)際和聯(lián)華電子將ReRAM推遲了約兩年。

Yole預(yù)測(cè)，到2023年，STT-MRAM將占據(jù)每年11億美元的市場(chǎng)份額的四分之三左右，其余大部分將用于ReRAM技術(shù)。

目前尚不清楚Yole是如何衡量嵌入式存儲(chǔ)器市場(chǎng)的，因?yàn)榇鎯?chǔ)器的價(jià)值已經(jīng)包含在嵌入存儲(chǔ)器的微控制器和SoC的銷售價(jià)格中。

作為嵌入式NVM，Yole給予PCM很小的市場(chǎng)份額。STMicroelectronics是迄今為止唯一宣布有意使用該技術(shù)的公司。