中微董事長尹志堯榮登“2018年度全球半導(dǎo)體行業(yè)明星榜”

中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司（以下簡稱“中微”）董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯博士榮登VLSIresearch（美國領(lǐng)先的半導(dǎo)體行業(yè)市場研究公司，以下簡稱“VLSI”）評選的“2018年度全球半導(dǎo)體行業(yè)明星榜”（2018 All Stars）。

中微公司致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領(lǐng)先的加工設(shè)備和工藝技術(shù)解決方案。中微通過創(chuàng)新驅(qū)動自主研發(fā)的等離子體刻蝕設(shè)備和硅通孔刻蝕設(shè)備已在國際主要芯片制造和封測廠商的生產(chǎn)線上廣泛應(yīng)用于先進(jìn)的集成電路加工工藝和最先進(jìn)的封裝工藝。目前，正在亞洲和歐洲地區(qū)40多條生產(chǎn)線上運行的中微反應(yīng)臺（包括介質(zhì)刻蝕、TSV、MOCVD）已達(dá)到1100個。中微開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備不僅已在客戶生產(chǎn)線投入量產(chǎn)，而且已成為在藍(lán)光LED市場占有率最大的領(lǐng)先設(shè)備。

華虹半導(dǎo)體無錫項目（華虹七廠）主體結(jié)構(gòu)全面封頂

該項目占地約700畝，總投資100億美元，將分期建設(shè)數(shù)條12英寸集成電路生產(chǎn)線。其中，一期項目總投資約25億美元，將新建一條工藝等級90~65納米、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。

該項目預(yù)計2019年上半年完成凈化廠房建設(shè)和動力機(jī)電設(shè)備安裝，下半年工藝設(shè)備搬入、調(diào)試并逐步實現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。

在11月20日舉行的2018第十六屆中國半導(dǎo)體封裝測試技術(shù)與市場年會上，華虹集團(tuán)副總裁項翔博士表示，華虹一廠、華虹二廠、華虹三廠為8英寸生產(chǎn)線，月產(chǎn)能分別為6.5萬片、5.9萬片、5萬片，總產(chǎn)能達(dá)17.4萬片。

上海新陽：上海新昇大硅片已通過中芯國際認(rèn)證

上海新陽2018年半年報曾表示，上海新昇300mm大硅片項目從2017年第二季度已經(jīng)開始向中芯國際等芯片代工企業(yè)提供樣片進(jìn)行認(rèn)證，并有擋片、陪片、測試片等產(chǎn)品持續(xù)銷售。2018年一季度末，上海新昇300mm硅片正片通過上海華力微電子有限公司的認(rèn)證并開始銷售。

截至目前，上海新昇大硅片已通過華力微、中芯國際的認(rèn)證。

上海新昇是國內(nèi)首個300mm大硅片項目的承擔(dān)主體，目前月產(chǎn)能達(dá)到10萬片，預(yù)計2019年實現(xiàn)月產(chǎn)能20萬片，2020年底實現(xiàn)月產(chǎn)能30萬片，將提高國產(chǎn)大硅片的供給能力。

華為首次公開ARM服務(wù)器芯片7nm加64核心

在智能計算大會暨中國智能計算業(yè)務(wù)戰(zhàn)略發(fā)布會，華為正式發(fā)布ARM服務(wù)器計算芯片，型號為“Hi1620”，據(jù)悉，這是華為的第四代服務(wù)器平臺。

華為表示該芯片將在2019年推出，采用臺積電7nm工藝制造，在ARMv8架構(gòu)的基礎(chǔ)上，華為自主設(shè)計了代號“TaiShan”(泰山)的核心，支持48核心、64核心配置。

Hi1620的封裝尺寸為60x75mm ，相比上一代Hi1616的57.5x57.5mm大了一點。不過華為官方表示，Hi1620將功耗控制在100W至200W的范圍內(nèi)，即24核對應(yīng)100W，64核對應(yīng)200W。

富士康計劃投資600億元人民幣在珠海建晶圓廠， 分析師：困難重重

日經(jīng)新聞21日引述知情人士消息稱，富士康正在與珠海市政府談判，計劃投資600億元人民幣（約90億美元）在珠海建立一座芯片工廠。目前談判已進(jìn)入最后沖刺階段，富士康將與子公司夏普及珠海市政府成立一家合資公司，該項目的投資大部分將由珠海市政府通過國家高新技術(shù)的名義補(bǔ)貼和稅收減免來承擔(dān)。

該晶圓廠將于2020年開始建設(shè)，富士康也將借此來挑戰(zhàn)臺積電等代工行業(yè)領(lǐng)先者。該工廠將制造用于超高清8K電視的芯片、攝像頭圖像傳感器以及工業(yè)應(yīng)用和連接設(shè)備的各種傳感器芯片，最終將擴(kuò)大珠海工廠的12英寸產(chǎn)能，為機(jī)器人和自動駕駛汽車制造更先進(jìn)的芯片。晶圓廠將不止為富士康制造芯片，也為其他廠商開放代工服務(wù)。

業(yè)內(nèi)人士表示，600億元投資將分階段到位，但由于政治問題等因素，珠海晶圓廠項目仍有可能生變或者推遲。

英特爾FPGA中國創(chuàng)新中心在重慶揭幕

英特爾FPGA中國創(chuàng)新中心19日落戶重慶西永微電子產(chǎn)業(yè)園。這是英特爾目前全球最大的聚焦FPGA技術(shù)與生態(tài)的創(chuàng)新中心，將推動FPGA在云計算、智慧城市、人工智能、智能制造、金融科技、5G通信等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用及前沿創(chuàng)新。

新成立的英特爾FPGA中國創(chuàng)新中心將以重慶為建設(shè)中心，聯(lián)合中國廣大的生態(tài)合作伙伴，共同培育FPGA創(chuàng)新生態(tài)鏈，加速產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新、應(yīng)用推廣和發(fā)展。目標(biāo)是將重慶打造為中國FPGA發(fā)展的人才培育中心、生態(tài)創(chuàng)新中心和產(chǎn)業(yè)集聚中心。

中國首臺ASML NXT2000i正式入駐SK海力士無錫工廠

12月19日晚間，中國首臺ASML NXT2000i正式搬入SK海力士位于無錫的工廠。

據(jù)ASML證實，此次入駐SK海力士無錫工廠確為NXT2000i，也即NXT2000。ASML解釋道，i是immersion的意思。NXT2000都是immersion的機(jī)器。所以NXT2000即NXT2000i。

據(jù)了解，無錫是SK海力士在中國的DRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)基地，目前每月晶圓的產(chǎn)量約為14萬片。

同時，SK海力士還成立了SK Hynix System IC公司，開始進(jìn)軍晶圓代工市場，同時增加1000萬美元投資，在無錫擴(kuò)大模擬IC芯片業(yè)務(wù)。

中微5nm蝕刻機(jī)將用于臺積電5nm芯片制造

在臺積電的5nm生產(chǎn)線中，就將有來自中微半導(dǎo)體的5nm等離子體蝕刻機(jī)，自主研發(fā)，近日已經(jīng)通過了臺積電的驗證，將用于全球首條5nm工藝生產(chǎn)線。

中微半導(dǎo)體與臺積電在28nm工藝世代就已經(jīng)有合作，10nm、7nm工藝也一直延續(xù)下來，值得一提的是，中微半導(dǎo)體也是唯一進(jìn)入臺積電7nm制程蝕刻設(shè)備的大陸本土設(shè)備商。

作為全球頭號代工廠，臺積電的新工藝正在一路狂奔，7nm EUV極紫外光刻工藝已經(jīng)完成首次流片，5nm工藝也將在2019年4月開始風(fēng)險試產(chǎn)，預(yù)計2020年量產(chǎn)。

華為已拿下25份5G合同，今年營收將破千億美元大關(guān)

華為輪值董事長胡厚昆在公司深圳總部一次新聞發(fā)布會上表示，至今華為已獲得逾25份第五代移動通訊（5G）商業(yè)合同，略高于11月宣布的22份。同時，5G基站(基地臺)出貨量已經(jīng)超過10,000個。

紫光突破封裝技術(shù)關(guān)鍵一棋，存儲教父 高啟全掌舵武漢新芯或締造，紫光系最快掛牌上市公司| 獨家

紫光集團(tuán)旗下的武漢新芯近期高層大變動，由兩岸存儲教父高啟全接下 CEO 一職，就是要以 3D IC 封裝技術(shù)為利器，幫助公司大改造，力拼在三年內(nèi)掛牌上市，使其成為紫光在國內(nèi)孵化的另一家全新上市公司。

武漢新芯成立后主要以從事以 12 寸晶圓廠生產(chǎn) NOR Flash 芯片和 CMOS 圖像傳感器芯片的代工制造，幫美商 NOR Flash 大廠飛索（后被 Cypress 并購），以及傳感器大廠豪威（OmniVision）做代工。

阿里巴巴半導(dǎo)體公司平頭哥落戶上海張江

今年9月份，在2018杭州云棲大會上，阿里正式宣布成立獨立的芯片公司——平頭哥半導(dǎo)體有限公司，該公司將達(dá)摩院自研芯片業(yè)務(wù)與阿里此前收購的中天微系統(tǒng)有限公司整合在一起，并宣稱正在研制的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片，計劃將于明年4月流片。

阿里巴巴平頭哥（上海）半導(dǎo)體技術(shù)有限公司已于11月7日正式注冊，注冊資本1000萬，且注冊地是張江，法定代表人為劉湘雯。股東信息顯示，其股東發(fā)起人正是阿里巴巴達(dá)摩院（杭州）科技有限公司，且持股比例100%。

主廠房完工百分之92，廣東粵芯月產(chǎn)能4萬片，明年3月設(shè)備搬入，12月量產(chǎn)

作為廣州第一座以虛擬IDM為營運策略的12英寸芯片廠，粵芯半導(dǎo)體項目于2018年3月開始打樁，10月按原計劃主廠房封頂，12月7日潔凈室正壓送風(fēng)，目前主廠房已經(jīng)完工約92%。計劃2019年3月潔凈生產(chǎn)車間完工，開始設(shè)備搬入并調(diào)試。粵芯半導(dǎo)體是廣州第一條全自動12英寸集成電路 Foundry生產(chǎn)線，大大降低了人工成本，提高了生產(chǎn)效率，必將是廣州智能制造的典范。

Arm中國執(zhí)行董事長吳雄昂：未來聚焦3個方向重點發(fā)展

吳總說：“Arm成立之后的第26年實現(xiàn)了一千億片出貨量，但是我們看到從2017年到2021年，僅僅四年時間我們將再次實現(xiàn)一千億片出貨量，預(yù)計今后20年將會實現(xiàn)一萬億片的出貨量，換言之，未來20年全球市場上我們將會看到有上萬億的智能終端設(shè)備的發(fā)展機(jī)遇，相當(dāng)于10萬到30萬億元產(chǎn)能的發(fā)展空間。”

要實現(xiàn)這樣的目標(biāo)，我們至少要面對3大挑戰(zhàn)。第一，我們不但要保持現(xiàn)在通過移動互聯(lián)網(wǎng)所實現(xiàn)的在芯片、成本、功耗上的優(yōu)勢，更重要的是，要把我們現(xiàn)在的安全架構(gòu)從軟件植入到硬件當(dāng)中。

第二，我們必須要提高邊緣計算的計算力，

第三，這樣的計算架構(gòu)轉(zhuǎn)移過程中，我們整個產(chǎn)業(yè)對于芯片、對于智能設(shè)備整個網(wǎng)絡(luò)的要求是多方面的各種各樣的升級，需要更多不同的產(chǎn)品形態(tài)出現(xiàn)。

今天，從全球來講，美國在半導(dǎo)體設(shè)計這塊占了58%的銷售額，但實際上美國市場半導(dǎo)體的消費量只有13%，這個情況和中國的現(xiàn)有情況是相反的。

吳總透露：“我們之后的發(fā)展會聚焦三個方向，第一個開發(fā)全球領(lǐng)先的技術(shù)，第二個打造更完整的創(chuàng)新生態(tài)，第三個和產(chǎn)業(yè)資本合作，推動整個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。”

以Arm為例，在過去10多年中，Arm在中國的合作伙伴出貨量增長了170多倍，累計出貨量超過110億，95%的中國SoC芯片都是基于Arm技術(shù)。更重要的是，為了支持Arm生態(tài)在中國的發(fā)展，Arm在2018年6月完成了第一次核心科技公司在中國做一個完整的分拆和合資，Arm在中國所有的業(yè)務(wù)、所有的技術(shù)分拆到了Arm中國，通過股權(quán)結(jié)構(gòu)的投資變化變成51%中方控股的合資公司，雙方實現(xiàn)了創(chuàng)新的模式。

國內(nèi)廠商深耕IGBT領(lǐng)域，腳踏實地向前走

IGBT商業(yè)化應(yīng)用以來，作為新型功率半導(dǎo)體器件的主型器件，IGBT在1-100kHz的頻率應(yīng)用范圍內(nèi)占據(jù)重要地位，其電壓范圍為600V-6500V，電流范圍為1A-3600A。

越來越多的中國企業(yè)嘗試進(jìn)入芯片制造領(lǐng)域，2018年來，國內(nèi)相繼7家功率半導(dǎo)體制造廠開工，有華虹宏力無錫12英寸晶圓廠、英飛凌無錫工廠擴(kuò)建（服務(wù)于上汽英飛凌合資公司）、揚(yáng)杰科技8英寸線、中芯國際紹興項目、湖南株洲盛元半導(dǎo)體項目、上海臨港積塔半導(dǎo)體生產(chǎn)線、士蘭微廈門生產(chǎn)線。

（1）2018年3月，華虹宏力無錫12英寸晶圓廠正式開工。該廠房將在2019年上半年完成土建施工，下半年完成凈化廠房建設(shè)和動力機(jī)電設(shè)備安裝、通線并逐步實現(xiàn)量產(chǎn)。

（2）2018年3月，上海汽車集團(tuán)股份有限公司和英飛凌科技股份公司成立合資企業(yè) “上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體（上海）有限公司”，上汽集團(tuán)持股51%，英飛凌持股49%，總部設(shè)在上海，生產(chǎn)基地位于英飛凌無錫工廠擴(kuò)建項目內(nèi)，計劃在2018下半年開始批量生產(chǎn)。

（3）2018年3月，揚(yáng)杰科技控股一條位于宜興的6英寸晶圓線，該生產(chǎn)線目前已能夠小批量生產(chǎn)IGBT芯片。公司正在積極規(guī)劃8英寸線，儲備8英寸晶圓、IGBT技術(shù)人才。

（4）2018年5月，中芯集成電路制造（紹興）項目舉行奠基儀式。該合資項目由中芯國際、紹興市政府、盛洋集團(tuán)共同出資，總投資58.8億元人民幣， 將面向微機(jī)電和功率器件集成電路領(lǐng)域，專注于晶圓和模組代工。

（5）2018年8月，總投資額為6.8億元、年產(chǎn)30億只功率器件的盛元半導(dǎo)體項目正式簽約落戶湖南株洲市云龍產(chǎn)業(yè)新城。盛元半導(dǎo)體項目在消費級功率半導(dǎo)體封測領(lǐng)域與南車株洲電力機(jī)車的汽車級IGBT產(chǎn)業(yè)基地等項目優(yōu)勢互補(bǔ)。深圳盛元半導(dǎo)體有限公司主營半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，是士蘭微電子、華微電子、華潤微電子等功率器件龍頭企業(yè)戰(zhàn)略封測合作伙伴。

（6）2018年8月，中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)積塔半導(dǎo)體有限公司特色工藝生產(chǎn)線項目在上海臨港正式開工。項目總投資359億元，目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能6萬片的8英寸生產(chǎn)線和5萬片12英寸特色工藝生產(chǎn)線。產(chǎn)品重點面向工控、汽車、電力、能源等領(lǐng)域，將顯著提升中國功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競爭力和規(guī)模化生產(chǎn)能力。

（7）2018年10月，杭州士蘭微電子股份有限公司廈門12英寸芯片生產(chǎn)線暨先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線正式開工。2017年12月，士蘭微電子與廈門市海滄區(qū)人民政府簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。士蘭微電子公司與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司共同投資220億元人民幣，在廈門規(guī)劃建設(shè)兩條12英寸90～65nm的特色工藝芯片（功率半導(dǎo)體芯片及MEMS傳感器）生產(chǎn)線和一條4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件（第三代功率半導(dǎo)體、光通訊器件、高端LED芯片）生產(chǎn)線。

匯豐、渣打相繼切斷與華為業(yè)務(wù)往來

據(jù)《華爾街日報》當(dāng)?shù)貢r間20日報道，兩家全球性銀行決定不再向華為提供金融服務(wù)。

報道援引熟悉上述決定的人士說法稱，這兩家銀行分別是匯豐銀行（HSBC）和渣打銀行（Standard Chartered），原因是華為的風(fēng)險太高。

北斗三號的舞臺，中國芯占C位

11月19號發(fā)射的北斗42、43號衛(wèi)星，是北斗三號系統(tǒng)的第十八和十九顆組網(wǎng)衛(wèi)星。這兩顆中圓地球軌道衛(wèi)星和前期發(fā)射的十七顆衛(wèi)星手拉手，標(biāo)志著北斗三號基本系統(tǒng)建成。

北斗三號是真正意義上的全球衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)，它的精度和可靠性大幅提高：定位精度為2.5至5米；測速精度為0.2米/秒；授時精度為20納秒。另外，它的設(shè)計壽命也從8年提高到10年到12年，并提出了“保證服務(wù)不間斷”指標(biāo)。

到2020年，北斗三號將有35顆衛(wèi)星，系統(tǒng)全面完成，成為世界上最大的衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)。

2017年，國產(chǎn)北斗芯片累計銷量已經(jīng)突破5000萬片，占據(jù)大部分終端市場，有機(jī)無芯的局面得到了改善。

伴隨著國產(chǎn)北斗芯片的爆發(fā)，高高在上的芯片價格也順勢而下，2012年一片民用級北斗芯片價格為200元至300元人民幣，當(dāng)時GPS芯片單價僅為30元人民幣左右。5年后，北斗芯片單價已降至1美元以下，與GPS芯片持平。

就在北斗三號第十七顆衛(wèi)星發(fā)射的前一天，中國衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)管理辦公室官方發(fā)布了北斗全球信號射頻基帶一體化集成芯片第二輪測評結(jié)果，5家企業(yè)將作為北斗全球用戶終端制造的提供商，支持北斗三號新體制全球應(yīng)用。這次評測將為實現(xiàn)北斗芯片的自主可控，支撐北斗應(yīng)用推廣設(shè)立一個嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。

從2013年開始，泰斗微電子、芯星通和杭州中科微等一批國內(nèi)公司就相繼推出了多模射頻基帶一體芯片。現(xiàn)在，單模芯片已難覓蹤跡，多模芯片成為主流。

SEMI下修全球晶圓廠設(shè)備預(yù)測投資金額，存儲器與大陸為兩大變量

根據(jù) SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）最新公布“全球晶圓廠預(yù)測報告”（World Fab Forecast Report），2018 與 2019 年全球晶圓廠設(shè)備投資金額將下修，2018 年的投資金額將較 8 月時預(yù)測的 14% 增長下修至 10% 增長；2019 年的投資金額更將從原先預(yù)測的 7% 增長，下修至8% 衰退。

另外，2019 年大陸的晶圓廠設(shè)備投資金額從原先預(yù)測的 170 億美元下修至 120 億美元。原因包括存儲器市場、中美貿(mào)易緊張關(guān)系、及建廠計劃延宕等，包括SK Hynix、GLOBALFOUNDRIES、聯(lián)電、中芯國際等半導(dǎo)體制造領(lǐng)導(dǎo)廠商皆暫緩在大陸的投資力道，福建晉華案也使DRAM的投資計劃暫停。

修正先前存儲器資本支出將成長 3% 的預(yù)測，2019 年整體記憶資本支出將下滑 19%，其中 DRAM的下滑最為劇烈，下滑幅度達(dá) 23%，3D NAND 則下滑 13%。

三星7nm EUV斬獲大客戶，將為IBM代工下一代處理器

作為當(dāng)前全球唯一能提供7nm晶圓代工的企業(yè)，臺積電囊括了絕大部分的訂單，包括蘋果、海思、賽靈思、英偉達(dá)，以及格芯停止7nm研發(fā)后轉(zhuǎn)單來的AMD等，三星顯得分外落寞。不過近日IBM宣布，將與三星代工一起合作開發(fā)下一代高性能Power系列、Z系列和LinuxONE微處理器，同時雙方的合作還將擴(kuò)展到下一個十年。

IBM下一代的Power10計劃在2020年至2021年推出，采用三星7nm EUV工藝。按照IBM此前的處理器路線圖規(guī)劃，目前的Power9使用的是14nm工藝，依然由格芯代工，下一代的Power10處理器規(guī)劃使用10nm工藝，再下一代的Power11才會使用7nm工藝。

鈺創(chuàng)盧超群：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)明年9月以后大爆發(fā)

對于明年半導(dǎo)體景氣，鈺創(chuàng)科技董事長盧超群認(rèn)為，受到全球政治、經(jīng)濟(jì)等因素影響，明年6月前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將會趨緩，不過，9月以后，受到人工智能（AI ）、5G帶動，全球半導(dǎo)體將進(jìn)入另一波大爆發(fā)階段。

英特爾關(guān)閉晶圓代工后臺積電樂了

市場傳出英特爾在進(jìn)行旗下3 座位于包括美國俄勒岡州、愛爾蘭以及以色列的晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)之外，還將關(guān)閉對外晶圓代工業(yè)務(wù)。有相關(guān)人士認(rèn)為，英特爾退出晶圓代工市場后，臺積電有望迎來轉(zhuǎn)單效應(yīng)，從中受惠。不過，市場分析師指出，原本英特爾晶圓代工市占本來就不高，所以轉(zhuǎn)單效應(yīng)不會太明顯。

三星電子成立傳感器團(tuán)隊，欲與索尼強(qiáng)第一

調(diào)查公司(TSR)稱，去年全世界CIS市場規(guī)模為13.2萬億韓元(116.88億美元)。索尼的銷售額達(dá)6.8萬億韓元(60.18億美元)，以51.4%的市場占有率排在第一位。三星電子的銷售額為2.75萬億韓元(24.48億美元)，以20.9%的市場占有率位居第二。

據(jù)韓國媒體thelec報道，三星電子設(shè)備解決方案(DS)部門最近通過組織重組，新設(shè)立“傳感器事業(yè)組”，負(fù)責(zé)LSI事業(yè)部內(nèi)的CMOS圖像傳感器(CIS)事業(yè)。項目組長由System LSI開發(fā)室長(研究委員，副社長級)樸庸仁擔(dān)任。樸副社長在這次擔(dān)任事業(yè)組長之前主要致力于傳感器產(chǎn)品的開發(fā)。

異質(zhì)芯片整合，半導(dǎo)體新趨勢

根據(jù)盧超群的說明，第一硅世代（Si 1.0）是平面制程的微縮，像是由90奈米微縮到65奈米等；第二硅世代（Si 2.0）采用3D晶體管的鰭式場效晶體管（FinFET）來延續(xù)摩爾定律前進(jìn)；第三硅世代（Si 3.0）則已開始采用封裝技術(shù)，將不同芯片整合成為同一顆芯片，利用采用系統(tǒng)級封裝（SiP）來達(dá)到目標(biāo)，或是臺積電采用的CoWoS或整合扇出型晶圓級封裝（InFO），由晶圓制程來達(dá)成同樣目標(biāo)。

盧超群也提出異質(zhì)整合將是第四硅世代（Si 4.0）的看法。 他表示，Si 4.0世代就是要充份利用異質(zhì)整合技術(shù)，結(jié)合半導(dǎo)體和應(yīng)用系統(tǒng)終端，實現(xiàn)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值達(dá)到1兆美元目標(biāo)，亦即讓摩爾定律不死，制程技術(shù)可持續(xù)微縮及走下去。

至于Si 4.0的異質(zhì)整合則是將包括處理器、內(nèi)存、繪圖芯片等不同3D芯片，并將鏡頭及傳感器、微機(jī)電、生物辨識感測、射頻組件等，共同整合為單顆芯片或奈米系統(tǒng)（nano system）。 如5G時代的傳輸芯片若采用異質(zhì)整合技術(shù)，就可把芯片及天線直接整合為一。

鈺創(chuàng)董事長盧超群很早就看到摩爾定律推進(jìn)即將放緩，所以近幾年一直提倡異質(zhì)整合（Heterogeneous Integration）的概念。 隨著IEEE在2月推出異質(zhì)整合的發(fā)展藍(lán)圖，半導(dǎo)體業(yè)界開始全力朝異質(zhì)芯片整合方向發(fā)展。