乾照光電南昌基地一期工程的正式投產，意味著又增加了乾照在藍綠領域的競爭力。

乾照光電南昌基地分兩期共投資50億元。其中一期工程于2018年1月正式動工，2018年12月建成并投產，將新增氮化鎵LED外延片和芯片產能80萬片/月（折合2英寸）。二期工程將根據市場情況擇機動工，將在一期工程的基礎上再增加80萬片/月的產能。

注：以上數據均為折合2英寸

預計到2019年，乾照光電三個基地的總產能將達到145萬片/月（其中120萬片氮化鎵LED，25萬片四元系紅黃光LED）。南昌二期工程投產后，將達到230萬片/月（其中200萬片氮化鎵LED，30萬片四元系紅黃光LED）。

說完產量，我們再來談談你關心的技術層面。

在通用照明領域，LED芯片的發展趨勢主要有兩點：一是繼續提升光效，二是不斷降低成本。雖然乾照光電在2014年才首次進入通用照明領域，但通過對外延和芯片的結構和工藝進行優化，不斷提升產品性能，目前乾照光電通用照明產品的性能已達到國內第一梯隊的水平。

在背光和顯示領域，LED芯片的發展趨勢主要是微縮化。譬如從傳統的直下式背光逐漸過渡到Mini-LED背光，從傳統的顯示屏逐漸過渡到小間距顯示屏，再到Mini-LED顯示屏，甚至到Micro-LED顯示屏。

在芯片微縮化的過程中有許多技術挑戰，譬如：

· 如何進一步提高外延片的均勻性和一致性，甚至做成不需要分選的one-bin-wafer？

· 如何克服芯片微縮化以后表面缺陷的影響，提高LED芯片在極小驅動電流下的光效？

· 如何對大量的微小芯片進行巨量轉移？

針對以上的問題，乾照光電于2017年成立了未來顯示研究院，專門針對Mini-LED和Micro-LED的技術難題進行攻關，目前已取得了不少成果。

總體來說，借用第三方機構的評論：此次乾照光電南昌基地一期工程的正式投產，意味著，進一步加深了業界對于乾照光電的印象——將不再僅僅是國內紅黃光LED芯片龍頭而是全色系LED的第一梯隊企業。

由此，乾照光電也利用在氮化鎵和四元系LED領域所積累的豐富的化合物半導體專業知識和技能，結合一流的生產管理和品質管控標準，在其它應用領域，也投入了大量的資源進行技術攻關或產品開發。譬如用于植物照明的特殊波長的LED芯片，用于安防監控、近距感測等領域的紅外LED，用于油漆固化、殺菌消毒的紫外LED，用于3D人臉識別的VCSEL，用于衛星和可穿戴設備的多結太陽能電池……以此打造化合物半導體開發平臺，為廣大客戶提供最優質的產品和服務。

圖注：乾照光電化合物半導體開發平臺