我只用了cusb2.0線路,usb3.0相關引腳都懸空。同樣程序下載到開發板芯片溫度正常。請問什么原因會導致芯片發燙?
發表于 05-21 06:41
兩方面展開分析: 一、部分國產SiC碳化硅MOSFET廠商避談柵氧可靠性的根本原因 技術矛盾:電性能與可靠性的權衡 碳化硅MOSFET設計中,柵氧可靠性與電性能參數(如導通電阻Rds(on)、開關損耗Qg)存在物理規律上的沖突。例如,減薄柵氧厚度可顯著降低導通電阻
發表于 04-07 10:38
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IGBT的高溫漏電流與電壓阻斷能力固有缺陷是其被新一代電力電子設備加速淘汰的根本原因 一、IGBT的高溫漏電流與電壓阻斷能力固有缺陷的本質 材料物理特性限制 IGBT基于硅(Si)材料,其帶隙較窄
發表于 03-31 12:12
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HI,TI:如上圖設計,使用穩壓電源供電接入+5V和-5V,開電后大約1分鐘左右,TLC7135開始發燙,+5V的電流也從70mA(+5V也供電給MCU)變為230mA。請問我的設計是否合理?是什么原因導致這個問題呢?
發表于 01-03 07:00
TPA3118發熱厲害,然后電感也發熱比較厲害,不知道是什么原因,當時聲音又很正常,沒有什么底噪呀啥的
發表于 10-12 07:00
電阻兩端電壓滿足-100mV≤Vrsense≤100mV;
電機未轉動時,芯片溫度正常;單通過H橋控制電機正轉或反轉時,芯片會出現發燙嚴重甚至燒毀的現象。
通過示波器測試采樣電阻兩端電壓(示波器一端
發表于 09-09 07:23
肚及元件擊穿的故障。導致其體積膨脹??汕f不能大意 如出現這種類似現象一定要及時更換以免造成嚴重后果。 電力電容器鼓肚的根本原因通常與以下幾個因素有關: 1、過電壓 :當電容器長期處于高于額定電壓的運行狀態時,內
發表于 09-03 14:17
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您好我按如圖仿真加+-5v電壓沒加offset output電路調理時單級輸出偏置4v多?。『髞硗喽讼吕?0歐姆電阻還是有1v多偏離。最關鍵是芯片燙手嚴重,直到把電壓減到+-3.3v才好轉!請問偏離和發燙是什么原因
發表于 09-02 08:00
谷景揭秘升壓電感發熱發燙原因編輯:谷景電子升壓電感可能很多人不是很熟悉,它作為電子電路中用于儲能和濾波的元件,在使用中可能會出現發熱嚴重的問
發表于 08-18 20:24
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120度,非常燙,不知什么原因,檢查了電路板上的正15V或-15V對地無短路、檢查了芯片各管腳封裝無錯誤、換了新的芯片,發燙的現象還存在,請各位大神指教!
我的電路板有2個THS401
發表于 08-13 07:35
你好,下面是我的DAC部分電路圖,運放用的是OPA828ID,封裝SOIC-8,±15V供電,現在一上電就發燙,用紅外成像儀顯示能達到67℃,網上查詢了解到,運放發熱的主要原因是自激
發表于 08-09 08:10
使用OPA454芯片,上電后板子的功能都可以實現,就是OPA454發燙的厲害。芯片供電正負50V,E/D COM引腳接地,E/D (Enable/Disable)接的30pF電容到地以及懸空都試過
發表于 08-08 06:17
?22.5V。
無78L12和79L12及空載情況下:+15V輸出+17V,-15V輸出為?1.7V。
這兩種情況下的運放超級燙,能發燙的都在發燙
發表于 07-29 06:06
大佬們,我是新手一個,最近照著CN0272的參考電路做了一個測電流的電路圖,在焊接完用直流電源通電5V/2A測試的時候,發現AD8065發燙,AD2300出來的電壓也變成4V,-5V正常轉出,現在不清楚AD8065發
發表于 07-25 21:20
升壓電感可能很多人不是很熟悉,它作為電子電路中用于儲能和濾波的元件,在使用中可能會出現發熱嚴重的問題。為什么會這樣呢?本篇我們就來簡單分析一下。 電感在使用發熱是屬于正常現象,因為電流
發表于 07-15 10:41
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