在港股市場(chǎng)中，中芯國(guó)際(00981-HK)是少數(shù)可以代表中國(guó)科技的“重器”企業(yè)之一。

不過，與國(guó)際芯片巨頭比，中芯國(guó)際仍位居中間梯隊(duì)的晶圓代工陣營(yíng)。雖然已經(jīng)走了出生死存亡期，但中芯國(guó)際因在國(guó)際芯片市場(chǎng)上始終無法有很大的突破和建樹，業(yè)績(jī)跌宕起伏也在所難免。

2018年四季度凈利環(huán)比大跌602%

2月14日，中芯國(guó)際發(fā)布2018年第四季度業(yè)績(jī)公告，期內(nèi)收入為7.88億美元，同比基本持平；公司擁有人應(yīng)占期內(nèi)溢利為2652萬美元，同比大幅下降44.4%，環(huán)比更是驟減602.3%。

值得注意的是，中芯國(guó)際在2018年前三個(gè)季度業(yè)績(jī)均錄得增長(zhǎng)，而2018年四季度為中芯國(guó)際凈利潤(rùn)首個(gè)下降的季度。不過由于前三個(gè)季度的貢獻(xiàn)，中芯國(guó)際在2018年全年的收入同比仍增長(zhǎng)8.3%。第四季屬銷售淡季，季節(jié)性下滑已在預(yù)期之中。但是相較于2017年四季度環(huán)比增長(zhǎng)84.2%，中芯國(guó)際2018年第四季度已屬表現(xiàn)欠佳了。

此外，根據(jù)中芯國(guó)際2019年第一季指引，預(yù)期季度收入下降16%至18%。中芯國(guó)際好不容易在2016年穩(wěn)定了盈利，并實(shí)現(xiàn)了新一輪的產(chǎn)能擴(kuò)張，而2019年卻未能開個(gè)好兆頭。不過這也并不是一件令人意外的事，因?yàn)楫?dāng)前中芯國(guó)際處于科技投入的關(guān)鍵時(shí)期，至今還是未能進(jìn)入自主芯片的一線陣營(yíng)，在14nm、7nm等新工藝制程的突破仍尚需時(shí)日。在當(dāng)前全球半導(dǎo)體行業(yè)面臨挑戰(zhàn)的節(jié)點(diǎn)上，中芯國(guó)際的業(yè)績(jī)大幅變動(dòng)并不令人驚訝。

中芯國(guó)際目前正在進(jìn)一步延長(zhǎng)其12寸晶圓差異化發(fā)展，14納米FinFET處于初期階段的利潤(rùn)影響及未達(dá)規(guī)模效益，將對(duì)其結(jié)構(gòu)性盈利能力復(fù)蘇構(gòu)成壓力，預(yù)期中芯國(guó)際今年仍處轉(zhuǎn)變之年，業(yè)績(jī)將會(huì)繼續(xù)承壓。

庫(kù)存調(diào)整致毛利率波動(dòng)明顯

2017年，中芯國(guó)際處于過渡階段，面對(duì)市場(chǎng)動(dòng)能持續(xù)轉(zhuǎn)變及價(jià)格壓力增加的挑戰(zhàn)。中芯國(guó)際開啟新晶圓廠及調(diào)整產(chǎn)品組合以應(yīng)對(duì)持續(xù)演化的市場(chǎng)，從而造成庫(kù)存增加。

中芯國(guó)際2017年至2018年前三季的存貨都保持在高位，而制成品是其存貨攀升的原因，制成品在2017年存貨大增1.6倍達(dá)到1.51億元，而同期的營(yíng)收僅微增6.4%。收入下降，存貨大增，而存貨增加必定影響其產(chǎn)能利用率，2017年四季度8寸等值晶圓的產(chǎn)能利用率下降至85.8%的歷史階段性低位，這就是中芯國(guó)際在過渡期面臨的困境。

一家企業(yè)的庫(kù)存與其毛利率并沒有存在十分緊密的聯(lián)系，但由上圖可見，在存貨較低的情況下，中芯國(guó)際毛利率較高，而存貨攀升，毛利率呈現(xiàn)下降的趨勢(shì)。2018年下半年起，半導(dǎo)體行業(yè)逐漸進(jìn)入“過冬期”，中芯國(guó)際加大了對(duì)庫(kù)存的調(diào)整。在2018年第三季的營(yíng)運(yùn)中，中芯國(guó)際電源管理芯片、指紋識(shí)別芯片、機(jī)上盒芯片等表現(xiàn)較為突出，但手機(jī)市場(chǎng)則相對(duì)疲弱。2018年11月，中芯國(guó)際CO-CEO 趙海軍赴***拜訪多家IC設(shè)計(jì)公司，爭(zhēng)取鞏固既有訂單、爭(zhēng)取新訂單。

到了2018年四季度，中芯國(guó)際終于有所收獲，庫(kù)存下降明顯，環(huán)比下降了15%至5.93億美元，但毛利率仍未止跌。主流智能手機(jī)及消費(fèi)類集成電路產(chǎn)品或?qū)?huì)在2019年第二季對(duì)中芯國(guó)際有庫(kù)存補(bǔ)充的需求，另外中芯國(guó)際披露稱有部分客戶已開始下單，以在次季重添庫(kù)存，目前中芯國(guó)際已在這方面做著準(zhǔn)備。中芯國(guó)際聯(lián)席首席執(zhí)行官梁孟松稱，目前第一代FinFET14nm技術(shù)已進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段，而據(jù)媒體報(bào)道，中芯國(guó)際會(huì)在今年上半年如期大規(guī)模量產(chǎn)14nm FinFET工藝，首個(gè)訂單將來自手機(jī)領(lǐng)域，屆時(shí)毛利率或?qū)⒒謴?fù)增長(zhǎng)。

仍處芯片陣營(yíng)中間梯隊(duì)所面臨的挑戰(zhàn)

目前，在全球芯片領(lǐng)域的陣營(yíng)中，可分為三個(gè)梯隊(duì)。

第一梯隊(duì)就是擁有先進(jìn)制程的臺(tái)積電、Intel、Samsung等超級(jí)陣營(yíng)了，仍處在摸索自主芯片道路上的中芯國(guó)際、Global Foundries等為中間梯隊(duì)，而華虹半導(dǎo)體(01347-HK)、Tower Jazz、力晶等則屬于第三梯隊(duì)。

在自主芯片的道路上摸索前行長(zhǎng)達(dá)18年，中芯國(guó)際還是未能進(jìn)入芯片領(lǐng)域第一梯隊(duì)的超級(jí)陣營(yíng)。芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝的產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)要求在近期內(nèi)仍是我國(guó)晶圓代工企業(yè)很明顯的短板，能否自強(qiáng)除了需要國(guó)家層面的支持，還需要企業(yè)面對(duì)各種挑戰(zhàn)。

技術(shù)研發(fā)仍較落后。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手***積體電路制造股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“臺(tái)積電”)以及三星等國(guó)際巨頭相比，中芯國(guó)際研發(fā)進(jìn)展較慢，制程開發(fā)落后，近些年一直都在追趕與臺(tái)積電、三星等晶圓代工領(lǐng)先者在先進(jìn)制程技術(shù)上的差距。

臺(tái)積電各制程營(yíng)收占比

由以上兩圖可看出，臺(tái)積電各個(gè)制程的納米級(jí)產(chǎn)品生命周期表現(xiàn)相當(dāng)穩(wěn)定，大概每2-3年就有新一代制程實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，從開始量產(chǎn)到20%以上高位營(yíng)收占比的時(shí)間也越來越短。表明臺(tái)積電對(duì)產(chǎn)品生命周期的把控能力很強(qiáng)，對(duì)良率和產(chǎn)能的控制也相當(dāng)好。

中芯國(guó)際各制程營(yíng)收占比

反觀中芯國(guó)際各制程營(yíng)收占比圖，產(chǎn)品生命周期顯得比較混亂，150/180nm的成熟制程芯片一直以來都是營(yíng)收的主要貢獻(xiàn)，28nm先進(jìn)制程芯片的營(yíng)收占比較低。先進(jìn)制程的研發(fā)速度與臺(tái)積電相反，顯得越來越慢，兩家公司的差距逐漸拉大。在28nm先進(jìn)制程芯片方面，中芯的28nm制程芯片2015年開始量產(chǎn)的，而臺(tái)積電的28nm制程芯片早在2011年就已經(jīng)開始貢獻(xiàn)營(yíng)收，二者差距已經(jīng)達(dá)到了4年。換句話說，中芯國(guó)際和臺(tái)積電在技術(shù)方面的差距有4年時(shí)間。

不過，中芯國(guó)際在改善高新科技研發(fā)上的執(zhí)行進(jìn)展及路線圖仍是值得贊賞的，其制造方面的執(zhí)行能力仍有待觀察，因?yàn)殡y度與研發(fā)方面可謂不相伯仲。

研發(fā)費(fèi)用及折舊成本攀升。2010年-2018年度，中芯國(guó)際研發(fā)費(fèi)用逐年提升，復(fù)合增長(zhǎng)率為11.21%。雖然中芯國(guó)際研發(fā)費(fèi)用絕對(duì)數(shù)量遠(yuǎn)低于臺(tái)積電，但研發(fā)占比大幅高于行業(yè)龍頭，從分反映了公司對(duì)于研發(fā)的重視和研發(fā)先進(jìn)工藝的決心。

集成電路制造是資本與技術(shù)密集型的產(chǎn)業(yè)，需要不斷的進(jìn)行資本投入，如此高昂的研發(fā)投入是中芯國(guó)際縮小與同行差距的必走之路，但也要承受著巨大的開支。

此外，折舊及攤銷成本也是影響中芯國(guó)際業(yè)績(jī)的一大因素。就在中芯國(guó)際開啟新一輪產(chǎn)品研發(fā)和產(chǎn)能擴(kuò)張的2016年，其折舊及攤銷成本也隨之大幅上升，主要原因在于產(chǎn)能擴(kuò)張及先進(jìn)工藝產(chǎn)線建設(shè)導(dǎo)致新進(jìn)產(chǎn)線占比增加，從而加重了折舊負(fù)擔(dān)。

據(jù)悉，中芯國(guó)際使用年限平均法對(duì)廠房及設(shè)備計(jì)提折舊，折舊年限為5-10 年，晶圓代工行業(yè)設(shè)備折舊年限一般5-7年。中芯國(guó)際在2012 年量產(chǎn)的40nm產(chǎn)品，除深圳產(chǎn)線及中芯北方產(chǎn)線外，投產(chǎn)年限均超過了7 年。另外，28nm及以下產(chǎn)品由于生產(chǎn)時(shí)間較晚，也面臨著折舊壓力。

結(jié)語：落后就會(huì)被挨打，自強(qiáng)才是生存之道。當(dāng)前全球晶圓代工掣制程迭代速度明顯放緩，巨頭制程進(jìn)步時(shí)間明顯拉長(zhǎng)，為中芯國(guó)際追趕提供了有利時(shí)機(jī)。正處于技術(shù)攻堅(jiān)期的中芯國(guó)際想要追趕國(guó)際巨頭，難度較高，需付出很高的代價(jià)。畢竟這個(gè)產(chǎn)業(yè)還需要長(zhǎng)期的艱苦奮斗，因?yàn)?a target="_blank">半導(dǎo)體制造是一個(gè)重資產(chǎn)、高風(fēng)險(xiǎn)且投資回報(bào)周期長(zhǎng)的產(chǎn)業(yè)。