世紀(jì)金光是國(guó)內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈,包括:電子級(jí)碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應(yīng)用,形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系,正在大力進(jìn)行垂直整合,全面推進(jìn)從產(chǎn)業(yè)源頭到末端的全鏈貫通。
主要應(yīng)用
高效服務(wù)器電源 w新能源汽車(chē) w充電樁充電模組
光伏逆變器
工業(yè)電機(jī)
智能電網(wǎng)
航空航天
SiC MOSFET系列
產(chǎn)品覆蓋額定電壓650-1200V,額定電流30-92A,可滿(mǎn)足多種應(yīng)用需求。
產(chǎn)品特點(diǎn):產(chǎn)品為N溝道平面柵工藝平臺(tái),采用優(yōu)化的柵氧化技術(shù)及表面電場(chǎng)控制技術(shù),在保證較高的柵極可靠性的前提下,最大限度提升了表面溝道遷移率,有效降低溝道、JFET區(qū)電阻,同時(shí)降低了柵極電容。同時(shí)降低了器件的靜態(tài)及動(dòng)態(tài)損耗。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):產(chǎn)品為采用第三代半導(dǎo)體SiC材料研制的場(chǎng)控器件,基于材料本身的擊穿場(chǎng)強(qiáng)的優(yōu)勢(shì),產(chǎn)品具有擊穿電壓高,導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)速度快,開(kāi)關(guān)損耗小等特點(diǎn),同時(shí)具有較高的可靠性及較簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式。在各類(lèi)高壓電源、電力裝置里作為核心開(kāi)關(guān)功率器件,可有效提升系統(tǒng)效率,減小系統(tǒng)體積,降低系統(tǒng)復(fù)雜度。
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SiC
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