氮化鎵器件和解決方案的進展與應用分析
觀看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天與國防業務部門總經理）的訪談，了解氮化鎵器件和解決方案的最新進展與新應用。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
ADI
+關注
關注
148文章
46031瀏覽量
259450 -
氮化鎵
+關注
關注
61文章
1771瀏覽量
117614
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
氮化鎵技術驅動的高效逆變器設計：硅與GaN器件的比較分析
通過重新設計基于氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優化的車輛逆變器性能使開關頻率提高了四倍，減少了體積和重量，同時實現了98.5%的效率。在DRS，我們
CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC
深圳市三佛科技有限公司供應CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC,原裝現貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化
發表于 03-31 14:26
氮化鎵系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
氮化鎵系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
氮化鎵（GaN）充電頭安規問題及解決方案
器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現突破，成為快充技術的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優勢：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
垂直氮化鎵器件的最新進展和可靠性挑戰
過去兩年中，氮化鎵雖然發展迅速，但似乎已經遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創企業倒閉或者賣盤，這引發大家對垂直氮化
不同的氮化鎵襯底的吸附方案，對測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響
在當今高速發展的半導體產業浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學與光學性能，在眾多高端芯片制造領域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應用天地。然而
氮化鎵襯底的環吸方案相比其他吸附方案，對于測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響
在半導體領域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應用場景中嶄露頭角，成為推動行業發展的關鍵力量。而對于
氮化鎵充電器和普通充電器有啥區別？
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵
發表于 01-15 16:41
氮化鎵和砷化鎵哪個先進
景和技術需求。 氮化鎵（GaN）的優勢 高頻與高效率 ：氮化鎵具有高電子遷移率和低電阻率，使得它在高頻和高功率應用中表現出色。例如，在5G通信、雷達系統、衛星通信等需要高頻工作的領域，
華燦光電在氮化鎵領域的進展概述
7月31日，是世界氮化鎵日。在這個充滿探索與突破的時代，氮化鎵憑借其卓越的特質和廣袤的應用維度，化作科技領域的一顆冉冉升起的新星。氮化
氮化鎵（GaN）的最新技術進展
本文要點氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。
工商網監
評論