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三星電子計劃到2030年在IC芯片領(lǐng)域投資133萬億韓幣

XcgB_CINNO_Crea ? 來源:ZF ? 2019-04-29 15:20 ? 次閱讀
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CINNO Research 產(chǎn)業(yè)資訊,三星電子計劃到2030年在IC芯片領(lǐng)域投資133萬億韓幣(約合7758億人民幣),擴(kuò)展研發(fā)和設(shè)備投入。目標(biāo)將IC芯片也培育成世界第一。

IC芯片與存儲半導(dǎo)體不同,是數(shù)據(jù)演算和處理半導(dǎo)體,被稱之為第四次產(chǎn)業(yè)革命時代和核心部品。三星電子的存儲半導(dǎo)體雖是世界第一,但包含IC芯片在內(nèi)的非存儲半導(dǎo)體與全球領(lǐng)先企業(yè)依然有所差距。

三星電子4月24日對外宣布了劍指全球第一的“半導(dǎo)體愿景2030”。核心內(nèi)容為截止到2030年前,在國內(nèi)研發(fā)領(lǐng)域投資73萬億韓幣(約合4258億人民幣)、制造產(chǎn)業(yè)鏈投資60萬億韓幣(約合3500億人民幣)。而產(chǎn)業(yè)鏈投資主要集中在京畿道華城產(chǎn)業(yè)園新EUV設(shè)備等Foundry構(gòu)建。研發(fā)投資主要使用于人力資源和半導(dǎo)體技術(shù)提升。三星電子當(dāng)天還表示將雇傭1萬5千名IC芯片研發(fā)和制造人才。三星電子的計劃實(shí)施后可發(fā)揮42萬名的間接雇傭效應(yīng)。這是根據(jù)年平均11萬億韓幣(約合642億人民幣)的研發(fā)設(shè)施投資和產(chǎn)量提升而得出。

三星電子還強(qiáng)調(diào)了要與韓國半導(dǎo)體設(shè)計廠商Fabless謀求共贏,加強(qiáng)韓國IC芯片生態(tài)。為加強(qiáng)韓國Fabless中小企業(yè)的產(chǎn)品競爭力,縮短產(chǎn)品開發(fā)和設(shè)計時間,將支援Interface IP、Analog IP、Security IP等設(shè)計相關(guān)IP。

并放低半導(dǎo)體代工起步數(shù)量,支持中小Fabless企業(yè)的少量產(chǎn)品訂單,同時還將以每年2~3次的頻度進(jìn)行開發(fā)必備的“Multi project wafer”。

三星電子本次的計劃除了自身半導(dǎo)體事業(yè)的拓展以外,也包含了韓國政府從今年開始一直強(qiáng)調(diào)的非存儲半導(dǎo)體事業(yè)的培育方針。

在年初的2019企業(yè)人溝通會時韓國文在寅總統(tǒng)對三星李在镕曾問詢過非存儲半導(dǎo)體的事業(yè)擴(kuò)展計劃,并表示企業(yè)的成長需要新的嘗試,流露出對于非存儲半導(dǎo)體的培育計劃。

而在之后的3月份國務(wù)會議時還強(qiáng)調(diào):韓國非存儲半導(dǎo)體競爭力落后于存儲半導(dǎo)體,希望企業(yè)盡快謀求非存儲與存儲半導(dǎo)體并駕齊驅(qū)的方案。

三星此次的“半導(dǎo)體愿景2030”是在此背景下,而韓國政府也將在短時間內(nèi)會推出非存儲半導(dǎo)體培育方案。

三星電子計劃到2030年在IC芯片領(lǐng)域投資133萬億韓幣

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原文標(biāo)題:三星電子 | 2030年之前投資133萬億韓幣,劍指非存儲半導(dǎo)體世界第一

文章出處:【微信號:CINNO_CreateMore,微信公眾號:CINNO】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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