在晶圓代工市場上，三星公司在14nm節點上多少還領先臺積電一點時間，10nm節點開始落伍，7nm節點上則是臺積電大獲全勝，臺積電甚至贏得了幾乎所有7nm訂單，三星只有自家Exynos及IBM的7nm訂單，臺積電也因此宣傳自己在7nm節點上領先友商1年時間。

再往后呢？三星、臺積電也公布了7nm之后的6nm、5nm及3nm工藝了，其中在3nm節點上臺積電也投資了200億美元建廠，只不過他們并沒有詳細介紹過3nm工藝路線圖及技術水平。

日前三星在美國的晶圓代工論壇上公布了自家的工藝路線圖，FinFET工藝在7、6、5、4nm之后就要轉向GAA環繞柵極晶體管工藝了，3nm節點開始使用第一代GAA工藝，官方稱之為3GAE工藝。

基于全新的GAA晶體管結構，三星通過使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

此外，MBCFET技術還能兼容現有的FinFET制造工藝的技術及設備，從而加速工藝開發及生產。

根據三星的路線圖，他們2021年就要量產3GAE工藝了，這時候臺積電也差不多要進入3nm節點了，不過臺積電尚未明確3nm的技術細節，這意味著三星已經在GAA工藝上領先了。

根據IBS（International Business Strategies）公司CEO Handel Jones的說法，三星3nm GAA工藝在技術上領先了臺積電1年時間，領先Intel公司2-3年時間，可以說三星要在3nm節點上全面反超臺積電及Intel公司了。

但是三星的野心不止于此，目前尚未有公司宣布3nm之后的半導體工藝，目前大家都認為摩爾定律在3nm之后就要徹底失效，遭遇量子物理的考驗，而三星則希望借助GAA工藝開發2nm工藝，未來甚至要實現1nm工藝。