高通驍龍865或?qū)⒅С諰PDDR5X內(nèi)存和UFS3.0閃存
6月17日消息，高通驍龍855旗艦平臺已經(jīng)商用，有關(guān)下一代旗艦平臺驍龍865的信息開始被曝光，消息人士稱高通驍龍865旗艦平臺將會支持LPDDR5X內(nèi)存和UFS 3.0閃存。
知名爆料人士Roland Quandt透露，高通驍龍865旗艦平臺內(nèi)部代號是SM8250，它將分為兩個不同的版本，其中一版代號為Kona，另一版代號為Huracan，它們都將支持LPDDR5X內(nèi)存及UFS 3.0閃存，二者區(qū)別在于一款集成了高通驍龍5G調(diào)制解調(diào)器，另一款則沒有。
有媒體指出，這樣的設(shè)計合情合理。雖然高通驍龍855也能夠?qū)崿F(xiàn)5G連接，但是需要外掛高通驍龍X50調(diào)制解調(diào)器。
目前全球市場正式商用5G的地方還很少，5G可能會在未來一兩年內(nèi)才會逐漸覆蓋，有的地區(qū)甚至更慢，推出不支持5G的驍龍865移動平臺，將會減少相關(guān)設(shè)備的成本支出，預(yù)計價格會更具競爭力。
另外關(guān)于LPDDR5X內(nèi)存，報道稱它比LPDDR4X提高了1.5倍傳輸效率，功耗降低30%左右，值得期待。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
高通驍龍
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
1228瀏覽量
43492
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
佰維存儲發(fā)布新一代LPDDR5X內(nèi)存與DDR5內(nèi)存模組
近日，存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)佰維存儲推出了其新一代高效能內(nèi)存——LPDDR5X。這款內(nèi)存產(chǎn)品采用了先進的1bnm制程工藝，相較于上一代產(chǎn)品，其數(shù)據(jù)傳輸速率有了顯著提升，高達8533Mbps，提升了33
佰維存儲發(fā)布LPDDR5X高效能內(nèi)存
近日，佰維存儲正式推出了新一代高效能內(nèi)存——LPDDR5X。該產(chǎn)品采用先進的1bnm制程工藝，為旗艦智能手機等終端設(shè)備帶來了卓越的性能與節(jié)能優(yōu)勢。 LPDDR5X的數(shù)據(jù)傳輸速率高達8533Mbps
佰維存儲發(fā)布新一代LPDDR5X內(nèi)存
近日，存儲技術(shù)領(lǐng)域的佼佼者佰維存儲，正式推出了其最新的高效能內(nèi)存產(chǎn)品——LPDDR5X。這款內(nèi)存產(chǎn)品采用了先進的1bnm制程工藝，不僅在技術(shù)上實現(xiàn)了新的突破，更在性能上帶來了顯著的提升。
高通SM6115芯片_驍龍662性能評測_參數(shù)_跑分
高通SM6115芯片是一款基于11nm工藝技術(shù)的先進處理器，配備了八核心ARM Kryo處理器，主頻高達2.0GHz。它不僅支持LPDDR4X內(nèi)存，頻率達到1866MHz，還兼容
三星量產(chǎn)最薄LPDDR5X內(nèi)存，技術(shù)再突破
三星電子今日正式宣告，其業(yè)界領(lǐng)先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術(shù)已進入量產(chǎn)階段，再次引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)潮流。此次推出的LPDDR5X內(nèi)存封裝，以驚
三星開始量產(chǎn)其最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品，助力端側(cè)AI應(yīng)用
深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日，三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM（內(nèi)存）開始量產(chǎn)，支持12GB和16GB容量。這將進一步鞏固三星在
什么是滿級性能？天璣9400和10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存強強結(jié)合
天璣9400不僅在制程技術(shù)、CPU架構(gòu)和內(nèi)存速度上實現(xiàn)了全面的升級，更是展示了聯(lián)發(fā)科在行業(yè)競爭中的領(lǐng)先地位。隨著年底的臨近，全球各大廠商將陸續(xù)推出搭載天璣9400和10.7Gbps LPDDR5X
realme GT Neo6手機明日開啟預(yù)售，定價2099元起
在性能方面，該機搭載了高通第三代驍龍8s處理器、LPDDR5X內(nèi)存以及UFS4.0
美光推出Crucial英睿達LPCAMM2內(nèi)存模組，采用LPDDR5X技術(shù)，首家聯(lián)發(fā)
此款LPCAMM2內(nèi)存采用了LPDDR5X技術(shù)，最高速度達到7500MT/s，遠超DDR5 SO-DIMM的1.3倍，同時還能將待機功耗降低80％。與焊接式內(nèi)存不同，LPCAMM2
10.7Gbps，LPDDR5X還能繼續(xù)卷性能
10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存，也是市面上目前最快的LPDDR5X產(chǎn)品，相比前代性能提升25%。 LPDDR5X，從8533Mbps開始突破 2021年7月，JEDEC正式發(fā)布了
三星LPDDR5X DRAM內(nèi)存創(chuàng)10.7Gbps速率新高
值得注意的是，此前市場上其他品牌的LPDDR5X DRAM內(nèi)存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示，新款10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存采用12納米級制程工藝，相較前代產(chǎn)品性能提升
三星推出專為人工智能應(yīng)用優(yōu)化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM
近日，三星宣布已開發(fā)出其首款支持高達10.7吉比特每秒（Gbps）的LPDDR5X DRAM。
美光推LPDDR5X內(nèi)存，助提升手機電池續(xù)航
參考IT之家早先報道，美光首批9.6GbpsLPDDR5X內(nèi)存于去年10月面世，最大容量16GB，適配高通驍龍8Gen3平臺;SK海力士亦在
美光LPDDR5X與UFS 4.0賦能三星Galaxy S24系列，AI體驗再升級
美光科技近日宣布，其低功耗LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0移動閃存存儲技術(shù)已成功應(yīng)用于三星Galaxy S24系列部分設(shè)備中，為全球手機用戶帶來了前所未有的人工智能體驗。
高通驍龍8 Gen 4將成業(yè)界首款支持LPDDR6內(nèi)存旗艦芯片
然而，由于偏高的成本原因，現(xiàn)階段眾多企業(yè)仍未能大規(guī)模應(yīng)用高標LPDDR。面對此問題，以vivo X100 Pro為例，盡管去年11月曾傳言其會采用LPDDR5T規(guī)格，但實際上使用的仍然是LPD
工商網(wǎng)監(jiān)
評論