正點(diǎn)原子FPGA之SDRAM：SDRAM讀寫(xiě)測(cè)試實(shí)驗(yàn)（2）
SDRAM之所以成為DRAM就是因?yàn)樗粩噙M(jìn)行刷新（Refresh）才能保留住數(shù)據(jù)，因?yàn)樗⑿拢≧efresh）是DRAM最重要的操作。那么要隔多長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)一次刷新，目前公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是，存儲(chǔ)體中電容的數(shù)據(jù)有效保存期上限是64ms（毫秒，1/1000秒）.
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發(fā)表于 12-25 08:00
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發(fā)表于 08-04 09:43
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發(fā)表于 11-24 14:36
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發(fā)表于 12-04 13:06
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發(fā)表于 12-04 15:06
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發(fā)表于 12-04 15:06
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發(fā)表于 12-05 11:21
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