絕緣柵場效應管結構
絕緣柵場效應管
絕緣柵場效應管的種類較多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前應用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場效應管也即金屬一氧化物一半導體場效應管，通常用MOS表示，簡稱作MOS管。它具有比結型場效應管更高的輸入阻抗（可達1012Ω以上），并且制造工藝比較簡單，使用靈活方便，非常有利于高度集成化。
增強型MOS管結構
1、柵極G與漏極D、源極S之間相絕緣，它們之間的電阻無限大；
2、沒有外加電壓時漏極與源極之間不導通；增強型NMOS管是以P型硅片作為基片（又稱襯底），漏極連接的為N半導體，襯底與源極連在一起，故P型襯底與漏極N型半導體會形成二極管，稱為寄生二極管；因此漏極和源極之間的反向電阻很小。
增強型MOS管工作原理：在柵極與源極之間加上正向電壓后，達到一定值后就會形成導電溝道，改變電壓就改變了導電溝道的寬度和導電能力；
耗盡型MOS管結構
1、柵極與漏極、源極絕緣，它們之間的電阻無限大；
2、漏極與源極之間能夠導通，溝道在制造時就已形成；在柵極與源極之間加上反向向電壓后，改變電壓就改變了導電溝道的寬度和導電能力；
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