動態
-
發布了文章 2022-05-07 01:08
10.7.9 有機半導體材料（OSM）∈《集成電路產業全書》
10.7柔性半導體器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：器件主控：1、國產AGMCPLD、FPGAP515瀏覽量 -
發布了文章 2022-05-06 01:07
10.7.8 柔性微機電系統技術（F-MEMS）∈《集成電路產業全書》
10.7柔性半導體器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：器件主控：1、國產A415瀏覽量 -
發布了文章 2022-05-05 01:09
《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》全書
第１章導論１.１電子學的進展１.2碳化硅的特性和簡史１.３本書提綱第２章碳化硅的物理性質2.4總結2.3熱學和機械特性2.2.6擊穿電場強度2.2.5漂移速率2.2.4遷移率2.2.3雜質摻雜和載流子濃度2.2.2光吸收系數和折射率2.2.1能帶結構2.1晶體結構第３章碳化硅晶體生長3.9總結3.8切片及拋光3.7化學氣相淀積法生長3C-SiC晶圓3.6溶液4.1k瀏覽量 -
發布了文章 2022-05-05 01:07
10.7.7 柔性電子標簽∈《集成電路產業全書》
10.7柔性半導體器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：器件主控：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUP373瀏覽量 -
發布了文章 2022-05-04 01:09
附錄Ｃ 常見SiC多型體主要物理性質∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
附錄Ｃ常見SiC多型體主要物理性質附錄《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：器件主控：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPHi3518E553瀏覽量 -
發布了文章 2022-05-04 01:07
10.7.6 柔性襯底技術(FST)∈《集成電路產業全書》
FlexibleSubstrateTechnology（FST）審稿人：南京大學施毅國玉https://www.nju.edu.cn/main.htm審稿人：北京大學劉曉彥杜剛https://www.pku.edu.cn10.7柔性半導體器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：器件主控：1、國產AGMCP530瀏覽量 -
發布了文章 2022-05-03 01:09
附錄Ｂ 雙曲函數的性質∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
附錄Ｂ雙曲函數的性質附錄《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：器件主控：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPHi3518EV300Hi3431瀏覽量 -
發布了文章 2022-05-03 01:07
10.7.5 柔性存儲器(FM)∈《集成電路產業全書》
10.7柔性半導體器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：器件主控：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產M389瀏覽量 -
發布了文章 2022-05-02 01:10
附錄A 4H-SiC中的不完全雜質電離∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
附錄A4H-SiC中的不完全雜質電離附錄《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：器件主控：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPHi3518824瀏覽量 -
發布了文章 2022-05-02 01:08
10.7.4 有機場效應晶體管(OFETs)∈《集成電路產業全書》
10.7柔性半導體器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：器件主控：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替477瀏覽量