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• 發布了文章 2025-05-22 17:03

  新品 | 采用電平位移驅動器碳化硅SiC MOSFET交錯調制圖騰柱5kW PFC評估板

  

  新品采用電平位移驅動器碳化硅SiCMOSFET交錯調制圖騰柱5kWPFC評估板電子設備會污染電網，導致電網失真，威脅著供電系統的穩定性和效率。為此，電源設計中需要采用先進的功率因數校正（PFC）電路。PFC通過同步輸入電流和電壓波形來確保高功率因數。通過使用PFC，電源系統可以減少失真，保持穩定高效的供電。EVAL-1EDSIC-PFC-5KW是用于5kW交

  SiC MOSFET 碳化硅 評估板 驅動器

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• 發布了文章 2025-05-21 17:07

  新品 | EiceDRIVER™ 650 V +/- 4 A高壓側柵極驅動器 1ED21x7 系列

  

  新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側柵極驅動器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅動器IC與其他產品相比，提供了一種更穩健、更具性價比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流的高速柵極驅動器，可用于Si/SiCMOSFET和IGBT開關。設計采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術，1ED

  EiceDRIVER 英飛凌 驅動器

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• 發布了文章 2025-05-20 10:35

  英飛凌攜手優優綠能，助力電能轉換效率新突破

  

  在全國兩會聚焦新能源汽車充換電基礎設施升級、力推超充網絡擴建、高速充電走廊建設及換電模式普及的背景下，充換電行業正迎來高質量發展的關鍵期。近日，英飛凌科技宣布與深圳優優綠能股份有限公司深化合作，通過提供英飛凌先進的CoolMOS和TRENCHSTOPIGBT，CoolSiCMOSFET和EiceDRIVER驅動器等全套功率半導體解決方案，全面賦能優優綠能新一

  新能源汽車 電能轉換 英飛凌

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• 發布了文章 2025-05-19 17:32

  英飛凌碳化硅產品創新的四大支柱綜述(二)

  

  本文是作者2024年“第十八屆中國半導體行業協會半導體分立器件年會”演講稿第二部分，第一部分請見《英飛凌碳化硅SiC技術創新的四大支柱綜述（一）》。英飛凌SiC技術創新到豐富產品的四大支柱SiC技術創新到豐富產品的四個支柱簡單講，就是技術，質量，產量和產品。技術優勢要做好碳化硅MOSFET，在技術上需要做好兩件事情：性能穩定的體二極管垂直結構的功率MOSFE

  半導體 碳化硅 英飛凌

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• 發布了文章 2025-05-17 08:33

  電力電子中的“摩爾定律”(2)

  

  04平面磁集成技術的發展在此基礎上，平面磁集成技術開始廣泛應用于高功率密度場景，通過將變壓器的繞組(winding)設計在pcb電路板上從而代替利茲線，從而極大降低了變壓器的高度。然而pcb的銅帶厚度并不大，一般不會超過4oz（140μm）,因此想要通過pcb傳輸大電流會有極大的損耗。為

  電力電子 電流 磁集成技術

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• 發布了文章 2025-05-16 17:08

  新品 | 儲能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK™ 3B模塊

  

  新品儲能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊，采用EasyPACK3B封裝和最新開發的1200VTRENCHSTOPIGBTH7和Emcon7芯片技術。該模塊采用大電流PressFIT壓接式引腳，配備NTC溫度傳感器，并針對儲能應用進行了優化，非常適用于1000VDC100kW功率變換系統。產

  IGBT 三電平 儲能

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• 發布了文章 2025-05-15 17:05

  IPAC碳化硅直播季倒計時丨溝槽柵VS平面柵，孰是王者？

  

  直播時間：5月20日14:00直播主題：溝槽柵VS平面柵，孰是王者？立即掃碼報名吧！直播間不定時會有禮品掉落，速速掃碼預約！520碳化硅首場直播，帶你直擊可靠性核心戰場！平面柵和溝槽柵，簡約設計與繁復工藝的碰撞，單元均勻性與底部電場聚焦的較量，溝槽柵緣何在可靠性領域持續“占鰲”，成為行業標桿？高溫下溝槽柵SiC電阻漂移，真的會成為其可靠性路上的“絆腳石”？低

  碳化硅 英飛凌

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• 發布了文章 2025-05-14 10:08

  英飛凌與美的簽署戰略合作協議：聚焦技術創新與智能綠色生活

  

  近期，英飛凌科技與美的集團簽署戰略合作協議。通過深度整合各自優勢資源，雙方將在智能家電、新能源以及全球供應等多維度加深合作，共同為消費者提供綠色、安全、高效的產品與服務。英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人于代輝，美的集團副總裁兼首席可持續發展官李國林代表雙方正式簽署戰略合作協議。英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人于代輝

  智能家電 美的 英飛凌

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• 發布了文章 2025-05-13 17:04

  新品 | EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共發射極IGBT模塊

  

  新品EasyDUAL1B和2B，1200V共發射極IGBT模塊EasyDUAL1B，2B1200V共發射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技術，電流等級涵蓋75A、100A、150A、200A至300A。模塊采用PressFIT針腳技術和NTC。EasyDUAL1B和2B共發射極產品系列非常適合矩陣變換器的電機驅動應用。產品型

  IGBT 芯片

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• 發布了文章 2025-05-12 17:06

  英飛凌碳化硅SiC技術創新的四大支柱綜述（一）

  

  本文是按照2024年“第十八屆中國半導體行業協會半導體分立器件年會”演講稿整理碳化硅為提升綠色能源鏈中的各種應用提供了巨大潛力IGBT在大功率電力電子行業的應用是在20年前發展起來的，當年主要應用在工業電源、UPS和變頻器等有限領域。但到了今天，整個電能生態鏈——新能源發電、輸配電、電能質量改善等都成了IGBT的應用大戶。而且，用電領域的范圍還在拓展，如熱泵

  SiC 碳化硅 英飛凌

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