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• 發布了文章 2023-07-31 17:30

  英飛凌的SiC MOS需要負壓嗎

  

  IPAC|2023年度英飛凌碳化硅直播季第一場直播于5月23日順利結束。直播中英飛凌的三位工程師孫輝波、趙佳、郝欣與大家探討了CoolSiC溝槽柵MOSFET的設計理念、高性能封裝互聯方案.XT、冷切割技術與應用。直播時間有限，未能回答全部觀眾問題，在此針對一些遺漏問題進行回答。如果大家還有任何問題，歡迎在文末留言，我們會及時回復。點擊下方視頻即可回看溝槽柵

  MOS SiC 英飛凌

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• 發布了文章 2023-07-31 16:57

  新品 | 用于高速開關應用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET

  

  新品用于高速開關應用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測NTC，并有使用預涂的熱界面材料（TIM）版本。產品型號：FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低

  MOSFET 高速開關

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• 發布了文章 2023-07-06 10:07

  零碳故事丨新能源“東風”下的第三代半導體

  

  來源：內容轉自公眾號21tech（News-21），作者：李強。于代輝英飛凌科技高級副總裁英飛凌科技零碳工業功率事業部大中華區負責人減碳趨勢下的節能、高效需求同樣給第三代半導體的登場搭好了舞臺。過去一段時間，盡管全球消費電子市場持續低迷，存儲芯片等各類半導體零部件的需求明顯減少，但廣泛用于光伏、風電等領域的功率半導體市場卻異常熱鬧。特別是在能源轉型的巨大需求

  半導體 新能源

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• 發布了文章 2023-07-01 10:10

  晶閘管在UPS旁路應用中的損耗計算

  

  功率晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器，UPS旁路等場合。本文通過公式計算和在線IPOSIM仿真兩種方式，對晶閘管在UPS旁路應用中的損耗計算和結溫預估進行說明，給廣大工程師在晶閘管選型時提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應用中的損耗計算，請參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計算》。晶閘管是半控型電力電子器件，可通過門極在晶閘管承受正向陽極電壓時，控制晶閘管

  UPS 晶閘管

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• 發布了文章 2023-06-30 10:08

  搶占席位｜2023英飛凌寬禁帶應用技術發展論壇

  

  主辦單位：英飛凌科技（中國）有限公司協辦單位：慕尼黑展覽（上海）有限公司合作媒體：世紀電源網、電源網：7月11日：上海國家會展中心伴隨科技高速發展，隨之帶來的氣候和能源挑戰愈演愈烈。以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶功率半導體在光伏風能發電、儲能、大數據、5G通信、新能源汽車等領域或將迎來前所未有的黃金發展期。如何促進寬禁帶半導體在集成電路領域的融合創新？如何提

  寬禁帶 英飛凌

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• 發布了文章 2023-06-22 10:14

  英飛凌的 CoolSiC™ XHP™ 2 高功率模塊助力推動節能電氣化列車低碳化

  

  為了實現全球氣候目標，交通運輸必須轉用更加環保的車輛，比如節能的電氣化列車。然而，列車運行有苛刻的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當長的使用壽命內可靠運行。因此，它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質量的節能牽引應用。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）為了滿足上述需求，在其CoolSiC功率模塊產品組合中增加了兩款

  電氣 英飛凌

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• 發布了文章 2023-06-08 08:16

  采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設計要點

  

  /引言/近年來，為了更好地實現自然資源可持續利用，需要更多節能產品，因此，關于焊機能效的強制性規定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiCMOSFET1200V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。文：英飛凌科技高級應用工程師JorgeCerezo逆變焊機通常是通過IGBT功率模塊解決方案設計來實

  MOSFET SiC

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• 發布了文章 2023-05-27 08:16

  提升新能源車電驅方案中單管封裝的散熱性能

  

  經典單管TO直插封裝有兩類TO-220和TO-247，其使逆變器系統并聯擴容靈活，器件成本優勢明顯，且標準封裝容易找替代品，廣泛應用于中小功率范圍。在單管電驅應用方案中可以覆蓋30kW到180kW功率范圍，最多需要6-8個單管的并聯來實現方案。用于最新汽車級EDT2芯片的器件參數Vcesat/Vth分布比較集中，器件之間電氣參數差異小，并聯降額比例小，可以有

  封裝 新能源

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• 發布了文章 2023-05-26 08:17

  1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓撲中的應用

  

  /引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級（650V&1200V）和三個系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對光儲、UPS、EVcharger、焊機等應用進行了專門的優化，并配備了全電流EC7rapid二極管。憑借極低的開關損耗、導通損耗和豐富的產品系列，H7單管正在成為光伏和儲能應用的新星。“產品特點按照應用需求去定義產

  IGBT 電壓

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• 發布了文章 2023-05-19 08:16

  凌云院IPAC | 2023年度英飛凌碳化硅直播季，重磅來襲！

  

  如果要說當前半導體行業最熱的話題是什么，無疑是第三代半導體，而這其中SiC毋庸置疑是最引人注目的當紅“炸子雞”。英飛凌自1992開始著手于碳化硅的研究，在長達30年的時間里，英飛凌不斷地進行技術打磨和沉淀，幫助新材料在新應用中快速成長。迄今為止英飛凌CoolSiC商用已有20余年，未來CoolSiC碳化硅器件除了光伏和儲能、充電設施以及各類電源應用以外，還會

  半導體 英飛凌

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