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發布了文章 2025-05-10 08:32
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碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評價的真相
在碳化硅(SiC)技術的應用中,許多工程師對SiC的性能評價存在誤解,尤其是關于“單位面積導通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續為您揭開這些誤區的真相(誤區一見:碳化硅何以英飛凌?——溝槽柵技術可靠性真相),并介紹英飛凌如何通過技術創新應對這些挑戰。常見誤區2:“SiC的性能主要看單位面積導通電阻Rsp,電阻141瀏覽量 -
發布了文章 2025-04-26 08:33
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發布了文章 2025-04-19 08:34