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• 發布了文章 2024-12-10 11:36

  LED芯片封裝大揭秘：正裝、垂直、倒裝，哪種更強？

  

  在LED技術日新月異的今天，封裝結構的選擇對于LED芯片的性能和應用至關重要。目前，市場上主流的LED芯片封裝結構有三種：正裝、垂直和倒裝。每種結構都有其獨特的技術特點和應用優勢，本文將詳細探討這三種封裝結構的區別，幫助讀者更好地理解和選擇適合的LED芯片封裝方案。

  led 正裝 芯片封裝

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• 發布了文章 2024-12-09 10:49

  揭秘！芯片封裝中那些不為人知的核心材料

  

  在現代電子產業中，芯片封裝作為半導體制造的關鍵環節，不僅保護芯片免受外界環境的影響，還承擔著電氣連接、散熱、機械支撐等重要功能。而封裝的核心材料，則是實現這些功能的關鍵所在。本文將深入探討芯片封裝的核心材料，包括其種類、特性以及應用，揭示它們在半導體技術中的重要性。

  基板 材料 芯片封裝

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• 發布了文章 2024-12-07 09:58

  功率器件封裝新突破：納米銅燒結連接技術

  

  隨著第三代半導體材料如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的快速發展，功率器件的性能要求日益提高。傳統的封裝材料已無法滿足功率器件在高功率密度和高溫環境下可靠服役的需求。納米銅燒結連接技術因其低溫連接、高溫服役、優異的導熱和導電性能，以及相對較低的成本，在功率器件封裝研究領域備受關注。本文將綜述納米銅燒結連接技術的研究進展，從納米銅焊膏的制備、影響燒結連接接頭

  功率器件 半導體材料 封裝

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• 發布了文章 2024-12-06 16:25

  BGA技術賦能倒裝芯片，開啟高密度I/O連接新時代

  

  近年來，隨著電子產品的不斷小型化和集成度的提高，倒裝芯片（Flip Chip）封裝技術因其優異的電學性能、高I/O引腳數、封裝尺寸小等優點，逐漸成為高端器件及高密度封裝領域中的主流封裝形式。而在倒裝芯片封裝技術中，球柵陣列（BGA, Ball Grid Array）作為一種重要的連接技術，發揮著不可替代的作用。本文將深入探討BGA在倒裝芯片工藝中的應用，分析

  BGA 半導體 芯片

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• 發布了文章 2024-12-05 10:39

  半導體制造三要素：晶圓、晶粒、芯片的傳奇故事

  

  在半導體制造領域，晶圓、晶粒與芯片是三個至關重要的概念，它們各自扮演著不同的角色，卻又緊密相連，共同構成了現代電子設備的基石。本文將深入探討這三者之間的區別與聯系，揭示它們在半導體制造過程中的重要作用。

  半導體 晶圓 晶粒 芯片

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• 發布了文章 2024-12-04 12:48

  真空共晶爐怎么選？看這一篇就夠了！

  

  在現代電子制造領域，真空共晶爐作為關鍵設備，其性能直接影響到焊接質量和生產效率。然而，面對市場上琳瑯滿目的產品，如何選購一臺既高效又可靠的真空共晶爐，卻成為許多企業面臨的難題。本文將從真空度、漏濾率、加熱板材質及冷卻方式等關鍵要素出發，為您揭示真空共晶爐選購的奧秘。

  焊接 電子制造 設備

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• 發布了文章 2024-12-02 15:49

  精準把控DBC銅線鍵合工藝參數，打造卓越封裝品質

  

  在快速發展的半導體行業中，封裝技術扮演著至關重要的角色。隨著芯片性能的不斷提升，對封裝技術也提出了更高的要求。直接鍵合銅（Direct Bonded Copper，簡稱DBC）技術作為一種高效、可靠的封裝技術，近年來在微電子封裝領域得到了廣泛應用。本文將深入探討DBC銅線鍵合工藝參數的研究，以期為相關領域的工程師和技術人員提供參考和指導。

  DBC 半導體 封裝

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• 發布了文章 2024-11-29 15:34

  揭秘BGA芯片植球技巧，打造完美電子連接！

  

  BGA（Ball Grid Array，球柵陣列封裝）芯片植球是電子元器件焊接領域中的一項重要技術，廣泛應用于IC芯片與PCB板的連接。本文將詳細介紹BGA芯片植球的幾種常見方法，包括手工植球、自動植球機植球和激光植球等，并探討每種方法的操作步驟、優缺點及適用范圍。

  BGA 電子元器件 芯片

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• 發布了文章 2024-11-28 13:11

  BGA芯片封裝凸點工藝：技術詳解與未來趨勢

  

  隨著集成電路技術的飛速發展，芯片封裝技術也在不斷進步，以適應日益增長的微型化、多功能化和高集成化的需求。其中，球柵陣列封裝（BGA）作為一種先進的封裝技術，憑借其硅片利用率高、互連路徑短、信號傳輸延時短以及寄生參數小等優點，迅速成為當今中高端芯片封裝領域的主流。在BGA芯片封裝中，凸點制作工藝是至關重要的一環，它不僅關系到封裝的可靠性和性能，還直接影響到封裝

  BGA 芯片封裝 集成電路

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• 發布了文章 2024-11-27 09:54

  碳化硅外延技術：解鎖第三代半導體潛力

  

  碳化硅（Silicon Carbide, SiC）作為第三代半導體材料的代表，以其優異的物理和化學特性，在電力電子、光電子、射頻器件等領域展現出了巨大的應用潛力。在碳化硅產業鏈中，外延技術作為連接襯底與器件制造的關鍵環節，其質量和性能直接決定著碳化硅器件的整體表現。本文將深入探討碳化硅外延技術的核心地位、技術特點、應用挑戰以及未來發展趨勢。

  半導體 半導體封裝 碳化硅

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