MK米客方德文章

• SD NAND在STM32應(yīng)用上的保姆級教程2023-10-27 17:51

  

  SDNAND與正點原子精英板的連接由于正點原子精英板沒有SDNAND接口，只有TF卡接口，所以SDNAND需要用到轉(zhuǎn)接板來連接。SDNAND正常運行現(xiàn)象本次實驗的程序是正點原子的SD卡實驗例程，先用讀卡器把SDNAND接到電腦上，并復(fù)制一個文件進去，再插到開發(fā)板上；用送的數(shù)據(jù)線連接USBUART接口，下載好程序，打開電腦上的串口助手，按下KEY0，即可讀取到

  NAND SD STM32 1267瀏覽量

• SD NAND焊盤脫落原因分析2023-10-11 17:59

  

  SDNAND焊盤脫落現(xiàn)象在使用SDNAND的過程，難免有個芯片會出現(xiàn)焊盤脫落，如下圖：從這個焊盤的放大圖可以明顯的看到焊盤有明顯的拉扯痕跡，可以看出焊盤的脫落是受到外力導(dǎo)致的。在批量生產(chǎn)中也可能會連續(xù)的出現(xiàn)芯片焊盤脫落現(xiàn)象，這種情況一般會有明顯的規(guī)律，如下圖：焊盤脫落位置全部都集中在左側(cè)，現(xiàn)象很一致，SDNAND的焊盤并不會輕易脫落，在實際生產(chǎn)中總會有各種各

  NAND SD 焊盤 1565瀏覽量

• SD NAND供電電源的重要性2023-10-07 16:05

  

  下圖是sd協(xié)議規(guī)定的上電規(guī)范，SDNAND的工作電壓范圍是2.7V-3.6V電源供電需要注意一下幾個方面：1、為了確保芯片能正常上電復(fù)位，電壓要在0.5V以下至少1ms；2、電源上升的時候需要保持電源是穩(wěn)定的、是持續(xù)上升的，上升到正常工作電壓的時間是0.1ms-35ms；3、主機關(guān)閉電源時，將卡的VDD降至0.5伏以下a最小周期為1ms。在斷電期間，DAT,

  NAND SD 電源 847瀏覽量

• SD NAND關(guān)于3.3V和1.8V之間的轉(zhuǎn)換2023-09-21 14:19

  

  SD NAND默認是3.3V的，有些MCU只支持1.8V，為了適配1.8V，SD NAND需要內(nèi)部用命令把3.3V轉(zhuǎn)換成1.8V，下圖是SD協(xié)議規(guī)范

  NAND SD 電子產(chǎn)品 3398瀏覽量

• SD NAND使用注意事項和焊接/解焊溫度2023-08-28 14:18

  

  散包裝SDNAND的使用注意事項1、若購買散包裝，請務(wù)必上線前120℃烘烤8小時。2、若物料沒有全部使用，剩余部分請務(wù)必存放于氮氣柜或抽真空保存，再次上線前請務(wù)必120℃烘烤8小時

  NAND SD TF卡 1551瀏覽量

• SD NAND相對于NOR Flash的優(yōu)勢2023-08-28 14:12

  

  一、SDNAND和NORFlashSDNAND和NORFlash在不同的方面都有著不同的優(yōu)劣勢，SDNANDNORFlash成本SDNAND相對較便宜NORFlash相對較昂貴容量1Gb~512Gb512Kb-32Mb擦除寫入速度SDNAND的讀取速度較快，例如MK-米客方德8GB的MKDN032GIL-AA工業(yè)級pSLC芯片的實測讀取速度可達42.8MBy

  FlaSh NAND SD 1011瀏覽量

• SD NAND、SPI NAND和Raw NAND的比較2023-08-28 14:08

  

  SDNAND、SPINAND和RawNANDSDNANDSPINANDRawNAND接口SD/SPISPI并口ecc有有部分有壞塊管理有————磨損平均有————垃圾回收有————掉電保護有————封裝LGA-8/LGA-16WSON8TSOP48/BGA63SD卡、貼片式TF卡、貼片式T卡等，與eMMC類似，內(nèi)部完成ECC校驗、壞塊管理、磨損平均、掉電保護

  NAND SD 測試座 轉(zhuǎn)接板 1654瀏覽量

• pSLC 閃存介紹：高性能和耐久性的閃存解決方案2023-08-02 08:15

  

  在當今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存的原理、優(yōu)勢以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。什么是pSLCpSLC是一種虛擬的SLC技術(shù)，通過采用特殊的控制算法和管理方法，在MLC或TLC閃存芯片上模擬SLC存儲單元。1

  NAND 存儲 閃存 1591瀏覽量

• 關(guān)于存儲的TBW和寫入放大2023-07-25 14:34

  

  TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標。但由于寫入放大的影響，實際TBW值可能會偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數(shù)，并探討如何降低寫入放大對存儲器的影響。

  microSD 存儲 1917瀏覽量

• 從存儲卡——SD/micro SD的圖標了解SD卡2023-07-17 16:32

  

  D卡有不少規(guī)范，常用包含存儲空間和存儲速度兩種，廠商會把滿足的規(guī)范的圖標印在卡面上，所以通過卡上有的規(guī)格，就能很快判斷出這張卡的容量、類型和最低速度，甚至適用場景。這樣，在購買存儲卡時便能夠自己判斷出是否為自己需要的卡。MicroSD卡的規(guī)范和SD卡相同。

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