英飛凌工業半導體文章

• 英飛凌于馬來西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導體晶圓廠2024-08-10 08:14

  

  ●馬來西亞總理、吉打州州務大臣與英飛凌管理層共同出席了新工廠一期項目的生產啟動儀式。●新晶圓廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導體市場的領導地位。●強有力的客戶支持與承諾以及重要的設計訂單為持續擴建提供了支撐。●居林晶圓廠100%使用綠電并在運營實踐中采取先進的節能和可持續舉措。全球推進低碳化的舉措拉動了對功率半導體的市場需求。順應這一趨勢，英飛凌科技股

  半導體 晶圓 碳化硅 英飛凌 577瀏覽量

• PCIM2024論文摘要｜新型400V SiC MOSFET用于高效三電平工業電機驅動2024-08-08 08:14

  

  /摘要/400VSiCMOSFET技術商用化彌補了長期存在的200V中壓MOSFET與600V超級結MOSFET之間產品和技術空缺。400VSiCMOSFET技術開關損耗低、導通電阻小，非常適合三電平拓撲結構。本文簡要介紹了該器件的設計理念，并研究了其在ANPC拓撲的三相交流通用工業驅動器中的性能，該驅動器工作在高達750VDC的輸入電壓下。簡介目前400V

  MOSFET SiC 電機驅動 2466瀏覽量

• 一款適用于光伏應用的半橋評估板設計2024-08-06 08:14

  

  8月7日14:00，IPAC技術專家線上手把手免費教學2kV碳化硅驅動板設計&如何使用評估板助力系統設計掃描下方二維碼，立即報名，直播內容，先睹為快！光伏，作為重點發展的新質生產力，其市場規模仍在迅速發展擴大中，其技術迭代也在不斷演進升級。英飛凌作為半導體技術和市場應用的領軍企業，發布了一系列具有差異化附加價值的創新半導體，并同時推出了一款適用于光伏應用的半

  光伏 英飛凌 評估板 1027瀏覽量

• 我們的城市為什么越來越熱？2024-08-03 08:14

  

  全球氣候在變暖，我們焚燒石油，煤炭等化石燃料，產生了大量二氧化碳等溫室氣體，導致全球氣候變暖，尤其大陸氣溫升高，城市變得越來越熱。圖：上海前灘的夜晚，被太陽曬熱的建筑熱島效應夏天天太熱，在陽光下火辣辣的，大家一定會抱怨太陽太猛。但你知道嗎？上海的夏天越來越熱不能怪太陽，大城市自身散發的熱量可以高達來自太陽輻射熱量的五分之二。城市中心氣溫一般比周圍郊區高1℃左

  熱成像儀 燃油汽車 電動汽車 1021瀏覽量

• IPAC碳化硅直播季丨如何設計2000V CoolSiC™驅動評估板2024-08-02 08:14

  

  英飛凌繼推出市面首款擊穿電壓達到2000V的CoolSiCMOSFET分立器件，再次推出首個應用于2000VCoolSiCMOSFET的評估板。本次IPAC直播間特邀評估板開發團隊，免費教學，帶您深入了解兩款評估板設計精髓與測試要點，領略英飛凌2000VCoolSiC碳化硅產品的高效與可靠

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• 新品 | 可直接驅動的單端反激式輔助電源用 1700V CoolSiC™ MOSFET2024-08-01 08:14

  

  新品可直接驅動的單端反激式輔助電源用1700VCoolSiCMOSFETCoolSiCMOSFET1700VG1450mΩ、650mΩ和1000mΩ，采用TO247-3-HCC封裝，適用于單端反激式輔助電源，主要應用如太陽能逆變器、電動汽車充電器、UPS和通用電機驅動器。主要特點包括：可由反激式控制器直接驅動，無需柵極驅動器IC、高耐壓且損耗小、.XT互連技

  MOSFET SiC 輔助電源 749瀏覽量

• ?英飛凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技術助力電力電子行業變革2024-07-31 08:14

  

  該技術將對數據中心、可再生能源和消費電子等行業產生深遠影響。在日新月異的電力電子行業，對更高效、更強大、更緊湊元器件的需求持續存在。對于新一代硅基MOSFET，英飛凌進行了巨大的研發投入，以重新定義系統集成標準，使其在廣泛的電力電子應用中能夠實現更高功率密度和效率。在英飛凌，CoolMOS8的推出意味著這些投入已經取得了成效。它是一項先進的MOSFET技術，

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• 新品 | 650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F2024-07-27 08:14

  

  新品650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅動器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封裝，用于驅動功率MOSFET和IGBT。產品型號：2ED2388S06F產品特點工作電壓（相對于VS）高達+650V負VS瞬態抗擾度為100V集成超快、低電阻自舉二極管90ns傳播延遲最大電源電壓為25V應用價值集成自舉

  MOSFET 二極管 驅動器 595瀏覽量

• PCIM2024論文摘要｜并聯SiC MOSFET的均流研究2024-07-25 08:14

  

  /摘要/并聯SiCMOSFET面臨著許多技術挑戰,包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數對并聯SiCMOSFET分流影響的理論分析和數學計算。提出了基于SPICE模型的Simetrix仿真,以研究不同參數對分流的影響。最后提出了驅動電路設計建議和柵極電阻設計方法。導言隨著市場和應用的發展,高額定功率和高功率密度成為越來越重要的趨勢。目前，

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• 新品 | 雙通道交錯PFC級和三相逆變橋Easy模塊2024-07-24 08:14

  

  新品雙通道交錯PFC級和三相逆變橋Easy模塊EasyPIM2B集成PIM模塊，帶雙通道交錯PFC級和三相逆變橋，適用于熱泵/暖通空調應用。產品型號：FB50R07W2E3_B23EasyPIM2B650V50APIM模塊，采用50AHighspeed5交錯PFC級，50A溝槽柵截止層IGBT3，發射極受控Emcon3二極管的逆變三相橋，壓接安裝和NTC。F

  easy PFC 模塊 逆變橋 914瀏覽量