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Tvj - IGBT元宇宙中的結(jié)溫2022-05-24 05:30
///在IGBT應(yīng)用中，結(jié)溫是經(jīng)常使用的一個參數(shù)，大部分讀者應(yīng)該都很熟悉這個概念，但是這和元宇宙有什么關(guān)系呢？我想先請大家考慮一個問題：IGBT結(jié)溫到底是指具體哪兒的溫度？。。。你們是不是已經(jīng)開始上百度搜索答案了？我在百度百科以及維基百科搜索出結(jié)溫的解釋大概是這樣的：晶體管結(jié)溫，簡稱結(jié)溫，是指半導(dǎo)體芯片內(nèi)的最高工作溫度，通常芯片的結(jié)溫會比芯片的外殼高。。。原IGBT 5249瀏覽量 -
新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT2022-05-24 05:26
新品溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT相關(guān)器件：P2000DL45X1682000A4500V帶續(xù)流二極管125mm平板型P3000ZL45X1683000A4500V不帶續(xù)流二極管125mm平板型InfineonTechnologiesBipolar擴展了其高IGBT 1976瀏覽量 -
如何計算驅(qū)動芯片的desat保護時間2022-05-24 05:24
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IGBT門極驅(qū)動到底要不要負壓2022-05-13 01:25
先說結(jié)論，如果條件允許還是很建議使用負壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計的復(fù)雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負壓。下面我們從門極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來看這個問題。IGBT是一個受門極電壓控制開關(guān)的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關(guān)，在實際使用中會產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCGIGBT 1949瀏覽量 -
英飛凌精彩亮相歐洲PCIM 2022：盡享非凡功率2022-05-10 01:25
PCIM歐洲始于1979年的德國紐倫堡，是全球電力電子行業(yè)的頂級展會及研討會，已有40年多年歷史。在這一行業(yè)盛會上，全球從業(yè)者齊聚一堂，展示與交流電力電子技術(shù)和應(yīng)用。來自學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的專家在這里發(fā)布最新的研究成果和新產(chǎn)品，內(nèi)容從器件、驅(qū)動控制、封裝技術(shù)到最終系統(tǒng)，涵蓋整個生態(tài)鏈。英飛凌將亮相PCIM2022（5月10日至12日，德國紐倫堡），展示功率半導(dǎo)體英飛凌 768瀏覽量 -
如何拓展IGBT驅(qū)動器電流2022-05-08 01:46
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當(dāng).XT技術(shù)遇上SiC單管2022-04-30 01:57
英飛凌于2020年發(fā)布了基于.XT技術(shù)的D2PAK-7L封裝1200VSiCMOSFETSMD系列產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻從350mohm到30mohm，覆蓋功率范圍最高可到20kW，產(chǎn)品目錄下圖1。圖1.英飛凌D2PAK-7L1200VSiCMOSFET產(chǎn)品也許您已選用測試，或許還在選型觀望，又或者正懵懂于“.XT”是個啥？不妨讀完此文，撥云見日，三站地鐵，十分鐘足SiC 1323瀏覽量 -
怎么理解驅(qū)動芯片的驅(qū)動電流能力2022-04-28 01:33
使用功率開關(guān)器件的工程師們肯定都有選擇驅(qū)動芯片的經(jīng)歷。面對標(biāo)稱各種電流能力的驅(qū)動產(chǎn)品時，往往感覺選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下，總希望選擇一個剛好夠用的產(chǎn)品。以下內(nèi)容或許能給到些啟發(fā)。首先來看一下這個驅(qū)動峰值電流的定義方式。這個很重要，不同公司的產(chǎn)品往往宣傳說法不一樣，所以要參考規(guī)格書。以下圖1是英飛凌的1EDI系列產(chǎn)品的電流表。比如1EDI60I12A驅(qū)動器 3474瀏覽量 -
新品 | 采用950V IGBT7 S7芯片和SiC二極管的Dual-Boost Easy3B模塊2022-04-26 01:23
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新品 | CIPOS™ Tiny 600V 15A三相IPM2022-04-23 01:42
