深圳市浮思特科技有限公司文章

• 羅姆發布高效能100V功率MOSFET，助力AI服務器電源管理升級2025-06-11 10:35

  

  近日，羅姆半導體集團(ROHM)宣布推出一款新型100V功率MOSFET，專為AI服務器的48V電源熱插拔電路設計。旨在提升數據中心的效率和可靠性，滿足日益增長的人工智能計算需求。根據羅姆的介紹，新產品現在已在月產100萬個的規模上投入量產。這一產品的前道工序生產基地位于日本滋賀工廠，后道工序則是在泰國的OSAT(封裝和測試服務)設施進行。這種全球化的生產布

  AI服務器 MOSFET 羅姆 194瀏覽量

• 紅外溫度計還是熱成像攝像機?哪種紅外傳感技術更適合2025-06-11 10:34

  

  在現代工業、科學和消費應用中，非接觸式溫度測量已變得至關重要。無論您是在管理工業設備、監測電氣系統、進行醫療篩查還是開展研發實驗，紅外(IR)感測技術都能夠在無需直接接觸的情況下實現精確的表面溫度評估。AI紅外攝像模組本文將探討兩種主流的紅外感測方法——紅外測溫儀和熱成像相機，幫助您確定哪種解決方案最適合您的技術需求。我們將深入了解它們的基本原理、性能差異以

  熱成像 紅外傳感器 紅外溫度計 74瀏覽量

• Real RGB OLED屏幕技術：開啟顯示屏新紀元2025-05-29 11:33

  

  近日，有消息透露，一種名為RealRGBOLED的新型屏幕技術正在測試中，預計將在今年年底至明年迎來大規模應用。這一突破性的技術不僅有望改善現有OLED屏幕的性能，還將為各類電子設備的顯示效果帶來顯著提升。RealRGBOLED是一種改進型OLED(有機發光二極管)顯示技術，旨在解決傳統OLED屏幕常見的像素折損和燒屏等問題。傳統OLED屏幕通常采用PenT

  OLED Real 顯示屏技術 450瀏覽量

• 浮思特 | 緊湊型SiC模塊助力高功率密度車載充電器發展2025-05-29 11:30

  

  電動汽車領域的發展日新月異：電動動力系統正朝著更高效率、更緊湊化的方向演進，以提升車輛自主性和續航里程。車載充電器(OBC)作為這一發展的核心部件，必須在保持高效率的同時實現最小化的重量與體積。這一技術挑戰的解決還需確保成本控制在限定范圍內。OBC用于交流充電，需接入電網單相或三相電壓。單相充電功率限制在3.6kW至7.5kW之間，三相充電則可支持11kW至

  SiC 模塊 車載充電器 354瀏覽量

• Power Integrations發布1700 V SiC開關集成電路，專為800 V電動汽車設計2025-05-28 11:42

  

  在全球電動汽車市場快速發展的背景下，PowerIntegrations公司近日推出了一款1700VSiC(碳化硅)開關集成電路，專門為800V電動汽車系統設計。此款新產品基于InnoSwitch3-AQ反激式集成電路，旨在滿足電動汽車行業對高效、安全和緊湊電力轉換方案的需求。電動汽車的電池系統正逐漸向高電壓平臺(如800V)邁進，以提高能量密度和充電效率。然

  SiC 電動汽車 集成電路 224瀏覽量

• 浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實現更高的電壓路徑2025-05-28 11:38

  

  橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉換應用領域正呈現強勁增長態勢。將這一材料體系擴展至更高電壓等級需要器件設計和襯底技術的創新。本文總結了臺灣研究團隊在工程襯底上開發1500V擊穿電壓(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis襯底技術(QST®)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首選技術，其主流最高工作電壓范

  GaN 功率器件 晶體管 114瀏覽量

• 臺積電加大投資布局 2納米制程研發取得積極進展2025-05-27 11:18

  

  近期，臺積電(TSMC)執行副總經理暨共同營運長秦永沛在一次公開活動中表示，公司的2納米制程研發進展順利，未來將進一步推動技術創新與市場需求的匹配。為了實現這一目標，臺積電計劃對位于高雄的晶圓22廠進行全期投資，預計總額將超過新臺幣1.5萬億元(約合500億美元)。在全球半導體行業中，臺積電一直處于領導地位，其先進制程的技術實力備受矚目。作為全球最大的半導體

  半導體 臺積電 328瀏覽量

• 浮思特 | 攻克GaN材料挑戰：實現性能突破的關鍵2025-05-27 11:15

  

  GaN技術正迎來其高光時刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開關、低能耗和優異熱性能等優勢，完美契合當今AI基礎設施、電動汽車平臺、可再生能源和工業控制等領域對高效高密度電源系統的需求。但對于試圖將氮化鎵投入量產的工程師而言，這些性能提升并非唾手可得——它們植根于材料層面而非器件層面，這意味著我們必須直面一系列持續存在的材料挑戰。晶體生長的奧秘首要認知是：氮化

  GaN 材料 氮化鎵 327瀏覽量

• Wolfspeed破產重組 SiC行業格局生變2025-05-26 11:36

  

  近日，行業先驅Wolfspeed被曝擬通過破產保護程序實施業務重組。這一動向折射出SiC產業激烈競爭下的洗牌趨勢，也凸顯中國供應鏈的快速崛起對傳統巨頭的沖擊。作為最早布局SiC領域的龍頭企業，Wolfspeed曾憑借技術先發優勢長期主導市場。近年來，該公司為鞏固地位啟動激進的產能擴張計劃：投資20億美元的紐約8英寸晶圓廠于2022年投產，并計劃在北卡羅來納州

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• 浮思特 | 實現電動汽車牽引逆變器更智能的直流母線放電技術2025-05-26 11:32

  

  在汽車逆變器中，高壓直流母線電容的放電通常需要龐大昂貴的外部元件，這不僅顯著推高了物料清單(BOM)成本(每個逆變器約4-6美元)，占用寶貴的PCB空間，更增加了設計復雜度——對于空間緊湊且成本敏感的電動汽車動力系統應用尤為突出。恩智浦GD3162柵極驅動器帶來了一項高度集成的解決方案，通過將放電功能直接嵌入驅動IC，重新定義了系統設計者的放電策略實施方式。

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