本文介紹了High-K材料的物理性質、制備方法及其應用。

經過封裝與測試的芯片，理論上已具備使用條件。然而在現實生活里，一個集成電路產品通常需要眾多芯片共同組....

多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly）是由無數微小硅晶粒組成的非單晶....

3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優勢，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰。

本文介紹了MOS集成電路中的等比例縮小規則和超大規模集成電路的可靠性問題。

在集成電路設計中，版圖（Layout）是芯片設計的核心之一，通常是指芯片電路的物理實現圖。它描述了電....

本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。

本文介紹了集成電路設計領域中混合信號設計的概念、挑戰與發展趨勢。

本文通過分析器件制造中的影響因素，提出了版圖設計技術與匹配原則及其應用。

本文介紹了集成電路制造工藝中的柵極的工作原理、材料、工藝，以及先進柵極工藝技術。

Low-K材料是介電常數顯著低于傳統二氧化硅（SiO?，k=3.9–4.2）的絕緣材料，主要用于芯片....

光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復轉印環節，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導....

半導體集成電路失效機理中除了與封裝有關的失效機理以外，還有與應用有關的失效機理。

在材料納米力學性能測試的眾多方法中，納米壓痕技術憑借其獨特的優勢脫穎而出，成為當前的主流測試手段。

Bi-CMOS工藝將雙極型器件（Bipolar）與CMOS工藝結合，旨在融合兩者的優勢。CMOS具有....

化學元素鋰于1817年由Johan August Arfwedson通過分析礦物鋰長石（LiAlSi....

本文主要介紹CMOS集成電路基本制造工藝，特別聚焦于0.18μm工藝節點及其前后的變化，分述如下：前....

封裝設計圖紙是集成電路封裝過程中用于傳達封裝結構、尺寸、布局、焊盤、走線等信息的重要文件。它是封裝設....

無線通信系統從 1980 年代的第一代發展到最近的第五代 （5G），一直是推動這項技術在通信和我們日....

薄膜外延生長是一種關鍵的材料制備方法，其廣泛應用于半導體器件、光電子學和納米技術領域。

本文介紹了N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對氧含量的影響。

本文介紹了晶圓清洗的污染源來源、清洗技術和優化。

氮化鈦（TiN）是一種具有金屬光澤的陶瓷材料，其晶體結構為立方晶系，化學穩定性高、硬度大（莫氏硬度9....

新一代封裝技術中出現了嵌入多個芯片的復雜系統設計。倒裝芯片和銅柱互連、多MEMS-IC系統以及新型傳....

在之前的文章中我們已經對集成電路工藝的可靠性進行了簡單的概述，本文將進一步探討集成電路前段工藝可靠性....

光電探測器,作為光電子技術的核心,在信息轉換和傳輸中扮演著不可或缺的角色,其在圖像傳感和光通信等領域....

微波、低頻無線電波和高頻光波都是電磁波譜中的不同部分，它們在頻率范圍、波長、傳播特性、應用領域等方面....

本文介紹了影響集成電路可靠性的Cu/low-k互連結構中的電遷移問題。

本文介紹了集成電路制造工藝中的電鍍工藝的概念、應用和工藝流程。

本文首先介紹了器件失效的定義、分類和失效機理的統計，然后詳細介紹了封裝失效分析的流程、方法及設備。