本文介紹了單晶圓系統：多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導體制造領域，單晶圓系統展現出獨特的工藝優勢，它具....
本文介紹了芯片里的介質及其性能。 介電常數k概述 在介質薄膜的沉積過程中，除了薄膜質量如均勻性、致密....
本文介紹了PECVD中影響薄膜應力的因素。 影響PECVD 薄膜應力的因素有哪些？各有什么優缺點？ ....
本文介紹了如何在光子學中利用電子生態系統。 這一目標要求光子學制造利用現有的電子制造工藝和生態系統。....
本文主要介紹磁性靶材磁控濺射成膜影響因素 ? 磁控濺射作為一種重要的物理氣相沉積技術，在薄膜制備領域....
? 本文主要介紹軟件在芯片設計中的作用 在芯片設計中，軟件扮演著非常重要的角色，它不僅幫助芯片設計驗....
本文主要介紹光纖耦合器 ? 光纖耦合器也叫光纖分路器。光纖耦合器的原理與水管接頭或者電力分路器不同，....
本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖，gate就是柵極，柵極由最開....
本文主要介紹如何理解芯片設計中的IP 在芯片設計中，IP（知識產權核心，Intellectual P....
可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應溫度較高，氫原子....
在半導體制造的復雜流程中，晶圓歷經前道工序完成芯片制備后，劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關鍵環節，....
但隨著技術迭代，晶體管尺寸持續縮減，電阻電容（RC）延遲已成為制約集成電路性能的關鍵因素。在90納米....
光學操控技術已成為諸多應用領域中的有力工具，它的蓬勃發展也使得學界對光學器件小型化的需求日益增長。因....
SiC外延設備的復雜性主要體現在反應室設計、加熱系統和旋轉系統等關鍵部件的精確控制上。在SiC外延生....
2024年12月31日，國家市場監督管理總局(國家標準化管理委員會)發布2024年第32號中華人民共....
在數字支付技術迅猛發展的今天，支付寶推出的“碰一下”支付功能以其便捷性和高效性迅速吸引了廣泛關注。這....
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優勢和多樣的沉積技....
光刻是芯片制造過程中至關重要的一步，它定義了芯片上的各種微細圖案，并且要求極高的精度。以下是光刻過程....
晶圓，作為芯片制造的基礎載體，其表面平整度對于后續芯片制造工藝的成功與否起著決定性作用。
隨著半導體技術不斷逼近物理極限，傳統的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場效應晶體管（FinF....
激光具有多種特性，使其在許多實際應用中都很有用。激光是單色的、定向的、相干的。相比之下，普通白光是許....
ALD 和 ALE 是微納制造領域的核心工藝技術，它們分別從沉積和刻蝕兩個維度解決了傳統工藝在精度、....
朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請的專利為場效應晶體管奠定了理論基礎。 雖然第一個工作的....
本文簡單介紹了衍射光柵的歷史及其重要作用。 很難指出還有哪一種裝置比衍射光柵為每個科學領域帶來了更重....
碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發光二極管等領域有著廣泛的應用。其中，基....
本文簡單介紹了連續波和脈沖波的概念、連續波電流與脈沖波電源的定義以及脈沖波電源相對于連續波的電源模式....
? 本文簡單介紹了數據I/O模塊的概念、特點以及作用。 一、數據 I/O 模塊是什么 1. 承接內外....
本文從愛因斯坦追光實驗入手，用通俗易懂的語言介紹了多普勒頻移現象。 ? 愛因斯坦是20世紀最偉大的天....
本文簡單介紹了離子注入工藝中的重要參數和離子注入工藝的監控手段。 在硅晶圓制造過程中，離子的分布狀況....
本文介紹了集成電路制造中良率損失來源及分類。 良率的定義 良率是集成電路制造中最重要的指標之一。集成....
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