三菱電機提供SiC MOSFET裸片樣品
近日，三菱電機集團宣布，將于11月14日開始提供用于電動汽車（EV）、插電式混合動力汽車（PHEV）....
SiC的離子注入工藝及其注意事項
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡....
三菱電機紅外傳感器國內首次亮相
三菱電機紅外傳感器采用三菱電機自主研發的熱敏二極管紅外傳感器技術，實現了高像素和高溫分辨率。即使在昏....
三菱電機發布用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM
三菱電機集團近日宣布，開始為5G massive MIMO*1（mMIMO）基站提供新型16W平均功....
三菱電機推出兩款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊
三菱電機集團近日宣布，從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統在內的大型工業設備提供低電流版本3.3k....
三菱電機發布商用手持雙向無線電用6.5W硅射頻高功率MOSFET樣品
三菱電機集團近日（2024年2月27日）宣布，將于2月28日開始提供其新型6.5W硅射頻（RF）高功....
三菱電機將與Nexperia B.V.建立戰略合作伙伴關系
三菱電機集團近日（2023年11月13日）宣布，將與Nexperia B.V. 建立戰略合作伙伴關系....
三菱電機將投資Coherent的SiC業務 發展SiC功率器件業務
三菱電機將投資Coherent的新SiC業務； 旨在通過與Coherent的縱向合作來發展SiC功率....
三菱電機開始提供5G Massive MIMO基站用GaN功率放大器模塊樣品
三菱電機集團近日（2023年9月14日）宣布，將于9月21日開始提供用于5G Massive MIM....
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