金屬層1工藝是指形成第一層金屬互連線，第一層金屬互連線的目的是實現把不同區域的接觸孔連起來，以及把不....
ILD 工藝是指在器件與第一層金屬之間形成的介質材料，形成電性隔離。ILD介質層可以有效地隔離金屬互....
Salicide 工藝是指在沒有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區和多....
與亞微米工藝類似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區重摻雜的工藝，降低器件有源區的串聯電阻，提....
與亞微米工藝類似，側墻工藝是指形成環繞多晶硅的氧化介質層，從而保護LDD 結構，防止重摻雜的源漏離子....
與亞微米工藝類似，多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極，柵極的作用是控制器件的關閉或者導通。....
與亞微米工藝類似，柵氧化層工藝是通過熱氧化形成高質量的柵氧化層，它的熱穩定性和界面態都非常好。
與亞微米工藝類似，雙阱工藝是指形成NW和PW的工藝，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW....
STI 隔離工藝是指利用氧化硅填充溝槽，在器件有源區之間嵌入很厚的氧化物，從而形成器件之間的隔離。利....
有源區工藝是指通過刻蝕去掉非有源區的區域的硅襯底，而保留器件的有源區。
集成電路的可靠性與內部半導體器件表面的性質有密切的關系，目前大部分的集成電路采用塑料封裝而非陶瓷封裝....
頂層金屬工藝是指形成最后一層金屬互連線，頂層金屬互連線的目的是實現把第二層金屬連接起來。頂層金屬需要....
IMD2 工藝與 IMD1工藝類似。IMD2 工藝是指在第二層金屬與第三層金屬之間形成的介質材料，形....
金屬層2（M2）工藝與金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線，金屬互連線的目的是實現....
隨著器件的特征尺寸減少到90mm 以下，柵氧化層厚度也不斷減小，載流子的物理特性不再遵從經典理論，其....
隨著集成電路工藝技術的不斷發展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成....
當柵與襯底之間存在壓差時，它們之間存在電場，靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發生彎曲，并....
SMT僅僅是用來提高NMOS 的速度，當工藝技術發展到45nm 以下時，半導體業界迫切需要另一種表面....
應力記憶技術（Stress Memorization Technique, SMT），是一種利用覆蓋....
與通過源漏嵌入 SiC 應變材料來提高NMOS 的速度類似，通過源漏嵌入 SiGe 應變材料可以提高....
源漏區嵌入SiC 應變技術被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度，它是通過外延生長....
按照基本工藝制程技術的類型，BiCMOS 工藝制程技術又可以分為以 CMOS 工藝制程技術為基礎的 ....
BCD 工藝制程技術只適合某些對功率器件尤其是BJT 或大電流 DMOS 器件要求比較高的IC產品。....
1986年，意法半導體（ST）公司率先研制成功BCD工藝制程技術。BCD工藝制程技術就是把BJT，C....
PMOS（Positive channel Metal Oxide Semiconductor，P ....
本章主要介紹了集成電路是如何從雙極型工藝技術一步一步發展到CMOS 工藝技術以及為了適應不斷變化的應....
觀察矽晶圓的外緣，可以發現有如圖4-6-1所示的邊緣磨邊加工。此種針對外緣進行磨邊的加工，一般稱為“....
完成打線的半導體晶片，為了防止外界物理性接觸或污染的侵入，需要以包裝或是封裝材料密封。
在半導體記憶體中，例如一個1G的DRAM，代表一個半導體晶片上擁有10億個能夠記憶1 bit的資訊單....
將制作在晶圓上的許多半導體，一個個判定是否為良品，此制程稱為“晶圓針測制程”。
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