MRAM在存算一體上展現出的優勢
磁性隨機存儲器（MRAM）是一種基于自旋電子學的新型信息存儲器件，其核心結構由一個磁性隧道結和一個訪....
使用AlN（氮化鋁）成功實現晶體管操作
在物理性能方面，AIN比碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有更小的損耗和更高的耐壓，因此可以形成高....
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