針對嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)片外Flash存儲器IAP無現(xiàn)成方案的問題,介紹一種基于代碼重入思想的片外存儲器IAP解決方案。
2011-11-30 11:58:39
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NAND Flash是一種非易失存儲器,也就是掉電不丟失類型,現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash,比如U盤、固態(tài)硬盤,手機存儲等等,電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:32
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引言:串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲器件,在特殊應(yīng)用場景中具有不可替代的地位,本節(jié)是數(shù)字存儲器件系列第一節(jié),介紹串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性。
2023-08-11 15:44:22
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引言:串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲器件,在特殊應(yīng)用場景中具有不可替代的地位,本節(jié)是數(shù)字存儲器件系列第一節(jié),介紹串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性。
2023-09-05 10:09:34
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概念理解:FLASH存儲器又成為閃存,它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲器,但是FLASH得存儲容量都普遍的大于EEPROM,,在存儲控制上,最主要的區(qū)別是FLASH芯片只能一大片一大片
2022-03-02 07:20:19
存儲空間是如何進行配置的?存儲器的特點是什么?FLASH和OTP存儲器的功耗模式有哪幾種狀態(tài)?
2021-10-21 08:28:25
Flash存儲器分為哪幾類?Flash存儲器有什么特點?Flash與DRAM有什么區(qū)別?
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實現(xiàn)擴展,由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制,因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設(shè)計出一個合理
2019-08-16 07:06:12
電壓即可進行電可擦除和重復(fù)編程,成本低及密度大,因而廣泛用于嵌入式系統(tǒng)中。與RAM 不同的是,Flash存儲器除了具有一些典型的存儲器故障類型外,還會出現(xiàn)一些其它的故障類型,例如 NOR類型的Flash
2020-11-16 14:33:15
最近工作上需要對英飛凌XC886這款單片機的Flash進行讀寫,以下為簡要的幾點總結(jié):一、Flash存儲器結(jié)構(gòu):XC886共有32KFlash,地址映射如下圖所示:共三塊P-Flash用來存儲程序
2022-01-26 06:46:26
串行存儲器A25L010資料下載內(nèi)容包括:A25L010引腳功能
2021-03-29 06:31:18
串行EEPROM存儲器及應(yīng)用
2017-02-05 13:47:29
紫外線)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM:電可擦除可編程ROM)。以上是大家在各種教材上看到的存儲器的分類。問題是,ROM明明叫只讀存儲器
2012-01-06 22:58:43
存儲器接口生成器(MIG)解決方案---Virtex-4 存儲器接口和Virtex-II Pro存儲器解決方案 Virtex-4? FPGAs solve
2009-10-24 12:02:14
, 每塊區(qū)域的大小是 512MB(1)Block0 內(nèi)部區(qū)域功能劃分Block0 主要用于設(shè)計片內(nèi)的 FLASH,0x0000 0000-0x0007FFFF:取決于 BOOT 引腳,為 FLASH、系統(tǒng)存儲器、 SRAM 的別名。0x08000000-0x0807FFFF:片內(nèi) FLASH,我們編寫.
2022-01-20 08:21:34
的存儲器的位置。存儲器映射有兩種映射規(guī)則--大端映射和小端映射。存儲器映射是指把芯片中或芯片外的FLASH,RAM,外設(shè),BOOTBLOCK等進行統(tǒng)一編址。即用地址來表示對象。這個地址絕大多數(shù)是由廠家
2014-03-24 11:57:18
編程和串行下載,下載壽命通常可達10,000 次。由于AVR 指令都為16 位或32 位,程序計數(shù)器對它按字進行尋址,因此FLASH 存儲器按字組織的,但在程序中訪問 FLASH 存儲區(qū)時專用指令L...
2021-11-23 08:22:22
AVR 系列單片機內(nèi)部有三種類型的被獨立編址的存儲器,它們分別為:Flash 程序存儲器、內(nèi)部SRAM 數(shù)據(jù)存儲器和EEPROM 數(shù)據(jù)存儲器。 Flash 存儲器為1K~128K 字節(jié),支持并行編程
2021-07-13 09:18:28
Flash存儲器來存儲配置碼流,并利用JTAG接口完成配置碼流下載的FPGA多配置解決方案。與System ACE方案相比,該方案不僅能快速完成多個配置碼流的下載,還具有更高的配置速度和更低的實現(xiàn)
2019-06-10 05:00:08
M25P32是意法半導(dǎo)體公司研制的32Mbit(4M×8)串行FLASH存儲器,具有高級的寫保護機制,通過高速的SPI 40MHz至50Mhz兼容總線訪問。
2021-04-23 07:58:10
自舉程序存儲在 STM32 器件的內(nèi)部自舉 ROM 存儲器(系統(tǒng)存儲器)中。在生產(chǎn)期間由 ST編程。其主要任務(wù)是通過一種可用的串行外設(shè)(USART、CAN、USB、I2C 等)將應(yīng)用程序下載到內(nèi)部
2023-09-28 07:15:06
的FLASH分成兩部分:主存儲塊、信息塊。 主存儲塊用于存儲程序,我們寫的程序一般存儲在這里。 信息塊又分成兩部分:系統(tǒng)存儲器、選項字節(jié)。系統(tǒng)存儲器存儲用于存放在系統(tǒng)存儲器自舉模式下的啟動程序
2015-11-23 17:03:47
2KB。頁面典型的用途就是用于按頁擦除FLASH。從這點來看,頁面有點像通用FLASH的扇區(qū)。STM32產(chǎn)品的分類STM32根據(jù)FLASH主存儲塊容量、頁面的不同,系統(tǒng)存儲器的不同,分為小容量、中容量
2013-10-07 15:55:30
,如圖(小密度的STM32)所示: 圖中完全可以看出Flash模塊中的三個組成部分在整個存儲器中的位置。具體的內(nèi)部區(qū)域的意義及功能請參見編程手冊PM0042,里面很詳細。7 STM32存儲器結(jié)構(gòu)總結(jié)
2018-08-14 09:22:26
大家好!xilinx軟錯誤緩解控制器IPcore V4.1用于配置內(nèi)存以避免SEU。我想知道,有關(guān)塊存儲器,分布式存儲器和觸發(fā)器的一些解決方案是否有關(guān)于SEU的解決方案?非常感謝你!
2020-08-05 07:40:29
停止供電的時候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù),而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù),典型的RAM就是計算機的內(nèi)存。
1.1 存儲器ROM介紹
rom最初不能編程,出廠什么內(nèi)容就永遠什么內(nèi)容,不靈活。后來出現(xiàn)了
2023-05-19 15:59:37
電路設(shè)計(如何掛載到NIOSII的總線上),最終解決了不同數(shù)據(jù)位寬的多種存儲器的同平臺測試解決方案,并詳細地設(shè)計了各結(jié)口的硬件實現(xiàn)方法。
2019-07-26 06:53:39
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時,應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21
我正在學(xué)習(xí)如何在微控制器斷電后使用 STM32L431CC FLASH 存儲器存儲數(shù)據(jù)。通過Keil編譯,我得到:程序大小:Code=34316 RO-data=1228 RW-data=364
2023-01-12 07:47:33
Flash類型與技術(shù)特點有哪些?如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動器?如何去設(shè)計Flash存儲器?
2021-04-27 06:20:01
Flash存儲器模塊是什么?它包含哪些部分?如何進行Flash存儲器模塊的自編程操作?
2021-04-26 07:14:53
本文提出了一個網(wǎng)絡(luò)存儲器的基本解決方案,實現(xiàn)了網(wǎng)絡(luò)存儲器的基本功能。
2021-04-26 06:50:19
嵌入式系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。作為一種非易失性存儲器,Flash在系統(tǒng)中通常用于存放程序代碼、常量表以及一些在系統(tǒng)掉電后需要保存的用戶數(shù)據(jù)等。常用的Flash為8位或16位數(shù)據(jù)寬度,編程電壓為單3.3V
2019-06-10 05:00:01
富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司供稿鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起,從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
文件.hex,請用-P hex替換-p mcs選項開關(guān)。 結(jié) 語 本文介紹的是SPI Flash存儲器的復(fù)用編程方法的實現(xiàn)。在應(yīng)用程序不是很大時,可以使用此方法復(fù)用SPI Flash存儲器,減少外圍電路,但是配置時間較長。在不要求配置時間的基礎(chǔ)上,可以考慮使用SPI配置模式。
2020-05-02 07:00:00
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器,如果可能,我們?nèi)绾问褂谩U堉笇?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
為什么要開發(fā)和測試存儲器件?怎樣去測試存儲器的基本功能?如何去擴展存儲器的測試能力?
2021-04-15 06:44:19
求一套FLASH存儲器實時存取管理方案。
2021-04-25 08:18:52
AT45D041的工作原理是什么?AT45D041與AT89C55的接口如何去實現(xiàn)?
2021-04-26 06:11:30
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別?特點?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
用SPI接口擴展外部Flash存儲器本應(yīng)用例使用SPMC75F2413A的SPI(Serial Peripheral Interface)功能實現(xiàn)對具有SPI接口的Flash存儲設(shè)備進行操作。完成
2009-09-21 09:19:30
用于串行總線應(yīng)用的示波器分段存儲器
2012-11-01 15:32:39
簡易串行存儲器拷貝器相關(guān)資料下載
2021-05-14 07:59:03
有兩個問題請教板上各位大牛,謝謝了。
1、6657芯片中是不是沒有程序存儲器,是不是必須要外接flash才能存入程序?
2、如果使用外接的flash程序存儲器,如何從外部設(shè)備啟動呢?有沒有這樣的例程或者手冊可以供我參考?我想外接一個flash存儲器(通過SPI或者EMIF外接)作為程序存儲器,謝謝!
2018-06-21 18:24:08
怎樣去設(shè)計DSP自動引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的硬件?對FLASH存儲器進行燒寫有哪些步驟?怎樣使用FLASH存儲器去設(shè)計引導(dǎo)裝載系統(tǒng)?
2021-04-27 07:13:39
和用于讀取,寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器,可以在字節(jié)級別讀取,寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種,在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列,在塊中
2023-04-07 16:42:42
MC68HC908GP32 MCU的Flash存儲器在線編程技術(shù).doc
2006-04-05 00:01:31
47 從C8 0 5 1F0 2 x Fl a s h 存儲器的結(jié)構(gòu)可以知道,C8051F02x 的Flash 存儲器中,不僅具有64KB 的Flash 存儲器(其地址為0x0000~0xFFFF,該存儲器可以用來存儲程序代碼和非易失性數(shù)據(jù)),還有一
2009-04-15 10:50:33
124 以基于TMS320C32 DSP 開發(fā)的故障錄波裝置為模型,介紹AMD公司的Flash 存儲器Am29F040的原理和應(yīng)用;利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在Flash存儲器內(nèi)的特性, 結(jié)合TMS320C
2009-04-16 09:52:51
11 ATMEL公司生產(chǎn)的串行Flash AT45系列存儲器的容量已達到了16Mb,常用于數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng).文中以AT45D041為例,詳細介紹了該系列Flash存儲器的命令集以及串行SPI接口的應(yīng)用方法,并給出了相應(yīng)的
2009-04-22 15:13:29
39 DataFlash 是Atmel 公司新推出的大容量串行Flash 存儲器產(chǎn)品,具有體積小、容量大、功耗低和硬件接口簡單的特點,非常易于構(gòu)成微型測量系統(tǒng)。本文重點介紹此類存儲器與單片機的
2009-05-14 16:28:15
16 以基于TMS320C32 DSP 開發(fā)的故障錄波裝置為模型,介紹AMD公司的Flash 存儲器Am29F040的原理和應(yīng)用;利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在Flash存儲器內(nèi)的特性, 結(jié)合TMS320C
2009-05-15 14:20:53
21 采用一種簡單可行的方法, 在TI 公司TMS320C6X DSP 集成開發(fā)環(huán)境CCS2.0 下, 通過JTAG口實現(xiàn)對DSP外部Flash可擦寫存儲器的在線編程;將用戶數(shù)據(jù)文件燒寫到DSP的外部Flash中, 并在TMS320C6711
2009-05-15 14:45:37
40 利用XILINX解決方案快速創(chuàng)建存儲器接口設(shè)計
2010-01-08 23:05:26
39 NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-02-24 14:41:26
10 LM3S 系列微控制器Flash 存儲器應(yīng)用
在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng),該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)的存儲。它在整個存儲器中所處的位置在最起始
2010-03-27 15:29:58
48 NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-07-17 18:06:29
14 內(nèi)建自測試是一種有效的測試存儲器的方法。分析了NOR型flash存儲器的故障模型和測試存儲器的測試算法,在此基礎(chǔ)上,設(shè)計了flash存儲器的內(nèi)建自測試控制器。控制器采用了一種23
2010-07-31 17:08:54
35 存儲器的種類很多,按存儲類型來分,可分為FLASH存儲器、EPROM存儲器、EEPROM存儲器、SRAM存儲器等。FLASH的特點是必擦除以后才能編程;EEPROM寫入速度較慢,通常為ms(毫秒)級,不
2010-08-09 14:52:20
59 串行NOR Flash是用串口進行連續(xù)數(shù)據(jù)存取的小尺寸、低功耗Flash存儲器;相對于并行Flash,它用更少的引腳傳送數(shù)據(jù),這降低了系統(tǒng)空間、功耗、成本。它內(nèi)部的地址空間是線性的,隨
2010-11-17 17:37:45
72 1-Wire®串行存儲器產(chǎn)品通過單線連接為你的產(chǎn)品添加存儲器!
1-Wire串行存儲器產(chǎn)品提供EEPROM和EPROM存儲矩陣,能夠通過單線1-Wire接口供
2009-04-20 23:22:42
1388 
基于FPGA的串行Flash擴展實現(xiàn)
FPGA憑借其方便靈活、可重復(fù)編程等優(yōu)點而日益被廣泛應(yīng)用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點,在眾多領(lǐng)域中
2010-01-12 10:39:55
1363 
Flash的可自編程性(Self-Programmability)是指,用Flash存儲器中的駐留軟件或程序?qū)?b class="flag-6" style="color: red">Flash存儲器進行擦除/編程,但是,要求運行程序代碼的存儲區(qū)與待編程的存儲區(qū)不在同一模塊
2010-07-06 09:16:11
1679 
Flash 存儲器的簡介
在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng),該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)
2010-11-11 18:25:09
4564 
介紹了AM29F010B的編程要求,結(jié)合M68HC11上電自動引導(dǎo)功能,針對發(fā)動機控制單元設(shè)計中編程的問題,提供了一種Flash存儲器在系統(tǒng)編程的方案,并給出了相應(yīng)環(huán)節(jié)的程序流程圖和部分操作的程序
2011-09-14 10:33:07
3121 
ARM嵌入式應(yīng)用程序架構(gòu)設(shè)計實例精講--ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實驗05Flash存儲器
2016-07-08 11:08:19
0 串行EEPROM存儲器及應(yīng)用
2016-12-11 23:41:10
0 LPC1110 串行NOR Flash存儲方案
2017-09-29 19:03:37
11 基于LPC1110 串行NOR Flash存儲方案
2017-10-09 09:22:52
13 FLASH存儲器(也就是閃存)就 是非易失隨機訪問存儲器(NVRAM),特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失,因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲器,分為DRAM和SRAM兩大類,其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:46
8295 Flash存儲器技術(shù)趨于成熟,應(yīng)用廣泛,它結(jié)合了OTP存儲器的成本優(yōu)勢和EEPROM的可再編程性能,是目前比較理想的存儲器。Flash存儲器具有電可擦除、無需后備電源來保護數(shù)據(jù)、可在線編程、存儲密度
2017-10-11 18:57:41
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FLASH存儲器又稱閃存,是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù),FLASH存儲器通常被用來保存設(shè)置信息,如在電腦的BIOS(基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:30
20879 )寫入硬件系統(tǒng)的Flash存儲器中,讓系統(tǒng)脫機運行,這是許多DSP開發(fā)人員及初學(xué)者遇到并需要解決的問題。 從JTAG接口對DSP外部Flash的編程方法不只一種。本文以TMS320C6711-150
2017-10-24 10:48:09
1 flash存儲器,及閃速存儲器,這一類型的存儲器具有速度快、方便等特點,是人們使用電腦辦公或者娛樂時必備的工具。
2017-10-30 08:54:34
31401 ,存儲器內(nèi)的信息仍然存在,主要是閃存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中,而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-04-09 15:45:33
109972 FLASH存儲器(FLASH Memory)是非易失存儲器,即使在供電電源關(guān)閉后仍然能保留信 息, 可以對存儲器單元塊進行擦除和再編程,并且不需要額外的編程電壓。FLASH存儲器具有工 作電壓低、擦寫速度快、功耗低、壽命長、價格低廉、控制方法靈活、體積小等優(yōu)點。
2019-08-09 08:00:00
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據(jù)外媒報道,東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:32
1234 本文在分析現(xiàn)有各種條形LED顯示屏單元板電路的基礎(chǔ)上,提出了一種基于多端口串行Flash存儲器的LED 顯示控制系統(tǒng)。 利用單片機的SPI接口產(chǎn)生可控時鐘,將多端口串行Flash 存儲器中的顯示數(shù)據(jù)以“DMA”方式直接輸出至超長條形LED顯示屏。
2019-12-10 16:53:05
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貿(mào)澤將備貨多款兆易創(chuàng)新存儲器解決方案。GD25 SPI NOR Flash存儲器產(chǎn)品線可提供四種電壓規(guī)格、20年數(shù)據(jù)保持時間和10萬次擦寫次數(shù),具有高可靠性。
2020-02-27 17:14:42
872 相信有很多人都對計算機里的各種存儲器(ROM、RAM、FLASH 等等)傻傻分不清,就會存在,內(nèi)存條是 dram 還是 nand?nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么?程序
2020-12-17 14:56:38
10520 介紹了 Flash 存儲器的特性和應(yīng)用場合 ,在16 位地址總線中擴展大容量存儲的一般方法。討論了 MCS-51 系列單片機與 Flash 存儲器的硬件接口方式和軟件編程過程 ,以及在應(yīng)用中應(yīng)該注意的問題 ,并以 W29C040為例 ,給出了實際原理圖和有關(guān)實現(xiàn)。
2021-03-18 09:50:04
7 AN-946: 通過LIN—協(xié)議6進行Flash/EE存儲器編程
2021-03-18 22:57:20
9 FLASH存儲器是一種電擦除與再編程的快速存儲器,又稱為閃速存儲器。它可以分為兩大類:并行Flash和串行FLASH。串行產(chǎn)品能節(jié)約空間和成本,但存儲量小,又由于是串行通信,所以速度較慢,開發(fā)編程
2021-03-20 11:04:48
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Memory,NVM)類型。與其他 NVM 解決方案相比,串行存儲器件兼具引腳數(shù)更少、封裝更小、電壓和功耗更低等優(yōu)勢。
2021-03-31 11:14:47
7 編程和串行下載,下載壽命通常可達10,000 次。由于AVR 指令都為16 位或32 位,程序計數(shù)器對它按字進行尋址,因此FLASH 存儲器按字組織的,但在程序中訪問 FLASH 存儲區(qū)時專用指令L...
2021-11-14 20:21:01
11 AN4852_使用STM32微控制器內(nèi)置的UART引導(dǎo)程序編程外部Flash存儲器
2022-11-21 17:07:09
0 Flash存儲器是一種非易失性存儲器,即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:28
2618 摘要:本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討,以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06
490 CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用,可用來存儲應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。芯片支持對 FLASH 存儲器的讀、擦除和寫操作,支持擦寫保護和讀保護。芯片內(nèi)置 FLASH 編程所需的高壓 BOOST 電路,無須額外提供編程電壓。
2024-02-28 17:43:59
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