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把圖像從掩膜版轉移到晶圓表面是由多個步驟來完成的。特征圖形尺寸、對準容限、晶圓表面情況和光刻層數都會影響到特定光刻工藝的難易程度和每一步驟的工藝。許多光刻工藝都被定制成特定的工藝條件。然而，大部分都是基本光刻十步法的變異或選項。我們所演示的這個工藝過程是一個亮場掩膜版和負膠相作用的過程。
下面就是這十步工藝的具體流程。
下節小編繼續為大家講解光刻工藝。
- 淺析半導體行業圖形化工藝之光刻工藝
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2023-06-28 10:04:58979
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半導體前端工藝：沉積——“更小、更多”，微細化的關鍵
在半導體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:27443
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什么是光刻工藝？光刻的基本原理
光刻是半導體芯片生產流程中最復雜、最關鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導體芯片生產的難點和關鍵點在于將電路圖從掩模上轉移至硅片上，這一過程通過光刻來實現， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:532121
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半導體制造之光刻原理、工藝流程
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產業的關鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學敏感性的混合液體。其利用光化學反應，經曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上，是用于微細加工技術的關鍵性電子化學品。
2023-10-09 14:34:492019
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使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口
持續的器件微縮導致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發階段的關鍵任務之一就是尋找工藝窗口較大的優秀集成方案。如果晶圓測試數據不足，評估不同集成方案的工藝窗口會變得困難。為克服這一不足，我們將舉例說明如何借助虛擬制造評估 DRAM 電容器圖形化工藝的工藝窗口。
2023-11-16 16:55:04345
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光刻工藝的基本步驟 ***的整體結構圖
光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認為其物理極限在0.25，k?體現了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。
2023-12-18 10:53:05496
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一文解析半導體設計電路的“光刻工藝”
利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。
2024-03-06 14:28:50132
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三星擬應用金屬氧化物抗蝕劑（MOR）于DRAM EUV光刻工藝
據悉，MOR作為被廣泛看好的下一代光刻膠（PR）解決方案，有望替代現今先進芯片光刻工藝中的化學放大膠（CAR）。然而，CAR在提升PR分辨率、增強抗蝕能力及降低線邊緣粗糙度上的表現已無法滿足當前晶圓制造的產業標準。
2024-04-30 15:09:13173
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工商網監
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